Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện và điện tử bên trong tòa nhà

Nội dung text: Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện và điện tử bên trong tòa nhà

1. - 1 - STUDY LIGHTNING SOLUTIONS FOR ELECTRICAL AND ELECTRONIC EQUIPMENT INSIDE THE BUILDING ĐẶNG THỊ HÀ THANH - QUYỀN HUY ÁNH* Khoa Điện – Điện Tử, Trung Cấp Nghề Việt – Hàn Bình Dương, Việt Nam *Trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM TÓM TẮT Tên đề tài: NGHIÊN CỨU GIẢI PHÁP CHỐNG SÉT CHO THIẾT BỊ ĐIỆN VÀ ĐIỆN TỬ BÊN TRONG TÒA NHÀ. Học viên thực hiện: Đặng Thị Hà Thanh Đơn vị công tác: Trường Trung Cấp Nghề Việt – Hàn Bình Dương Địa chỉ: Số 466/68, Tổ 10, Khu 8, P.Phú Hòa, TP.Thủ Dầu Một, Tỉnh Bình Dương. EMail: hathanhspkt88@gmail.com Luận văn “ Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện và điện tử bên trong tòa nhà” nghiên cứu và giải quyết các vấn đề sau:  Hướng dẫn thiết kế lắp đặt các hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ theo tiêu chuẩn IEC62.305.  Xây dựng mô hình MOV trong Matlab. Qua so sánh kết quả mô phỏng và số liệu cung cấp của các nhà sản xuất, nhận thấy mô hình MOV hạ thế đề nghị đạt mức chính xác khá cao (sai số điện áp dư trong khoảng trên mô hình MOV so với dữ liệu được cho bởi nhà sản xuất có giá trị thấp nhất là 0,17% và cao nhất là 4.5%). Bên cạnh đó, thông số cần nhập vào của mô hình lại khá đơn giản, hoàn toàn được cung cấp bởi nhà sản xuất.  -Xây dựng mô hình SG trong Matlab với sai số điện áp dư so với dữ liệu được cho bởi nhà sản xuất thấp hơn 5%.  Xây dựng và đánh giá hiệu quả bảo vệ của 3 kiểu phối hợp SPD bảo vệ chống sét cho các thiết bị điện – điện tử bên trong tòa nhà. Trong thực tế, việc chọn kiểu phối hợp và lắp đặt 2 hay nhiều hơn các SPD tùy vào địa điểm, vị trí, mức độ lộ thiên, yêu cầu kỹ thuật và mức độ quan trọng của công trình.  Đánh giá ảnh hưởng của điện kháng dây dẫn kết nối với SPD với hệ thống nối đất đến điện áp dư đặt lên thiết bị. Vì vậy, để giảm thiểu ảnh hưởng điện kháng dây dẫn kết nối với SPD làm tăng điện áp dư, nhà thiết kế khuyến cáo nên dùng kiểu mối nối V thay cho mối nối T. Luận văn cung cấp một công cụ mô phỏng hữu ích với phần mềm thông dụng Matlab cho các nhà nghiên cứu, các kỹ sư, sinh viên trong việc nghiên cứu các hành vi và đáp ứng của các kiểu phối hợp SPD khác nhau trong điều kiện không thể đo thử thực tế. ABSTRACT Thesis “Study lightning solutions for electrical and electronic equipment inside the building” research and resolve the following issues:  Guide to design and install protection systems against lightning electromagnetic impulse, according to IEC62.305 standard.  Build MOV model in Matlab software. Through comparing the simulation results and the data provided by the manufacturers, found that the low voltage proposed MOV model reached a relatively high accuracy ( error residual voltage of the MOV model compared with data of the manufacturer to have the lowest value is 0.17% and the highest is 4.5%). Besises, the input required parameters of the model is quite simple, entirely provided by the manufacturer.
2. - 2 -  Build SG model in Matlab software with residual voltage compared with the data given by the manufacturer lower than 5%.  Build and evaluate the protective effectiveness of three types of coordination of SPD lightning protection for electrical – electronics equipment inside the building. In fact, the choice of the type of coordination and installation of two or more of the SPD, depending on location, exposed level, tecgnical requirements and the degree of importance of the work.  Assess the effect of electric inductance of wires connected SPD to the grounding system on the residual voltage of equipment. Therefore, to minimize the influence of electrical inductance wires connected with SPD which increases the residual voltage, the designer should use the recommended type of splice connection V instead of connection T. This thesis provides a useful tool simulation with common Matlab software for researchers, engineers, students in the study of the behavior and response of the different types of coordination of SPD when the practical test can not be executed. 1. GIỚI THIỆU Theo ước tính của các nhà chuyên môn, trên khắp mặt địa cầu, cứ mỗi giây, có khoảng 100 lần sét đánh xuống mặt đất. Sét không những có thể gây thương vong cho con người mà còn có thể phá hủy những tài sản của con người như các công trình xây dựng, công trình cung cấp năng lượng, các thiết bị dùng điện, Thiệt hại do sét lan truyền trong các thiết bị Liên kết đến các dịch vụ trực tiếp hoặc bằng SPD thích hợp dùng điện trong thực tế là rất lớn. Chủ yếu là các Hình 2.1 - Nguyên tắc chung phân chia thành LPZ khác nhau thiết bị điện tử như: Tivi, máy tính, đầu đĩa, thiết 2.2 Các phương án bảo vệ chống xung sét điện bị thông tin viễn thông nên việc nghiên cứu, đề từ (LPMS) ra giải pháp chống sét lan truyền trong tòa nhà Hình 2.2 trình bày các phương án bảo vệ đóng vai trò rất quan trọng. chống xung sét điện từ: Luận văn này đi sâu vào nghiên cứu xây dựng mô hình MOV và SG, các kiểu phối hợp SPD bảo vệ chống sét trong tòa nhà, sau đó sử dụng phần mềm mô phỏng đánh giá hiệu quả bảo vệ của hệ thống chống sét lan truyền. Kết quả nghiên cứu sẽ cung cấp thêm một công cụ mô phỏng hữu ích cho Hình 2.2a - LPMS sử dụng vùng bao bọc và phối hợp các nhà nghiên cứu, các giảng viên, sinh viên các SPD bảo vệ " trường đại học trong việc nghiên cứu các đáp ứng của thiết bị chống sét, dưới tác động của xung sét lan truyền và đánh giá hiệu quả của các hệ thống bảo vệ chống sét lan truyền trong tòa nhà. Mục tiêu của luận văn: . Nghiên cứu hệ thống bảo vệ chống xung sét Hình 2.2b - LPMS sử dụng vùng bao bọc của LPZ 1 và điện từ trong tòa nhà; SPD bảo vệ ở ngõ vào của LPZ 1 . Xây dựng mô hình MOV, SG và đánh giá hiệu quả bảo vệ của các kiểu phối hợp SPD. 2. NỘI DUNG 2.1 Hệ thống bảo vệ chống xung sét điện từ. Hình 2.2c - LPMS sử dụng dây bọc bên trong và SPD bảo Bảo vệ chống lại LEMP là dựa trên khu vực vệ ở ngõ vào của LPZ 1 bảo vệ chống sét (LPZ) được qui ước: mỗi phân vùng chứa hệ thống được bảo vệ sẽ được chia nhỏ trong LPZ. Hình 2.2d - LPMS bằng cách chỉ sử dụng "phối hợp SPD bảo vệ" Hình 2.2 - Bảo vệ chống lại LEMP
3. - 3 - 2.3 Tính toán điện từ trường trong LPZ 2.3.1 Vùng che chắn lưới điện của LPZ 1 trong trường hợp tia sét đánh trực tiếp Tia sét đánh trực tiếp vào công trình sẽ chạy dọc theo chiều dài nó. Tình trạng này được mô tả bởi Hình 2.5 giả định rằng sét đánh vào công Hình 3.2 Sơ đồ mạch mô phỏng Spark Gap với nguồn trình tại một điểm tùy ý của mái nhà. xung dòng Bảng 3.2: Kết quả so sánh khi mô phỏng FLASHTRAB FLT-PLUS của hãng PHOENIX CONTACT với nguồn xung dòng 8/10µs. DGP B352 Điện áp dư trên SG (crest) 4 kA Theo Catalogue(V)_Vrcat 5000 Theo mô hình (V)_Vrmod 4754 Bên trong LPZ 1 H1 = kH•i0•W1/(dw• ) (2.1) Sai số (%)_∆V 4.9 Trong đó: Khoảng cách dw và được xác định cho Nhận xét: các điểm xem xét. Hình 2.5 - Từ trường bên trong LPZ 1 - Sai số điện áp dư của SG so với số liệu cung 2.3.2 Vùng che chắn lưới điện của LPZ 1 trong sấp nhà sản xuất là nhỏ hơn 5% phù hợp với yêu trường hợp của gần tia sét cầu theo tiêu chuẩn IEC. Trạng thái gần tia sét đánh được thể hiện 3.2 Mô hình MOV trong Hình 2.9. Các từ trường vốn có xung quanh Dùng mô hình xung dòng 8/20s kiểm khối lượng bảo vệ của LPZ 1 có thể được xấp xỉ tra đáp ứng của mô hình MOV hạ thế vừa xây như một mức sóng. dựng như sơ đồ Hình 3.3. Hình 3.3 Sơ đồ mô phỏng đáp ứng của MOV hạ thế Không che chắn H0 = i0/(2πsa) (2.7) SF1/20 Bên trong LPZ 1 H1 = H0/10 (2.8) SF1/20 Dùng mô hình mô phỏng cho MOV hạ thế Bên trong LPZ 2 H2 = H1/10 (2.9) của hãng AVX loại VE13M02750K và có thông số cho trong Bảng 3.3. V E 17M 0 275 0 K 3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 3.1 Mô hình SG Bảng 3.3: Thông số kỹ thuật MOV hạ thế của hãng AVX - Sơ đồ mô phỏng Spark Gap với nguồn xung áp Điện áp Dòng điện Điện áp phóng điện như Hình 3.1: Loại làm việc xung max với xung AC max 8/20s max 8/202kAs (V crest)3kA (V) (kA crest) VE13M02750K 275 2.5 1150 - VE17M02750K 275 4.5 1050 110 0 Bảng 3.4: Kết quả so sánh khi mô phỏng MOV hạ thế của hãng AVX Điện áp dư trên VE13M02750K VE17M02750K Hình 3.1 Sơ đồ mạch mô phỏng Spark Gap với nguồn MOV(crest) xung áp 2kA 3kA 2kA 3kA Bảng 3.1: Kết quả so sánh khi mô phỏng SSG3X-1 của hãng EPCOS và DGP B255 của hãng DEHN với Theo catalogue (V)_Vrcat 1150 - 1050 1100 nguồn xung áp 1.2/50 µs. Theo mô hình (V)_Vrmod 1129 - 996,8 1053 Điện áp dư trên SSG3X-1 DGP B255 Sai số (%)_ V 1 - 5 4 SG (crest) 5 kA 10 kA , , , Theo Catalogue(V)_V 3900 4000 Bảng 3.5: Thông số kỹ thuật8 MOV hạ thế 0của hãng2 rcat Littelfuse Theo mô hình (V)_V 3822 3923 rmod Dòng điện Điện áp phóng Sai số (%)_∆V 2 1.9 Điện áp xung điện Max với làm việc Loại 8/20s xung 8/20µs (V - Sơ đồ mô phỏng Spark Gap với nguồn xung AC max max (KA res) dòng như Hình 3.11: (V) crest) 3 KA 5 KA V275LA40A 275 6.5 1040 1150
4. - 4 - Bảng 3.6: Kết quả so sánh khi mô phỏng MOV hạ - Sơ đồ mô phỏng các kiểu phối hợp SPD thế của hãng Littelfuse theo phương pháp biến đổi 1 ứng với nguồn xung Điện áp dư trên MOV V275LA40A (crest) dòng 8/20µs như Hình 4.4: 3Ka 5Ka Theo catalogue (V)_Vrcat 1040 1150 Theo mô hình (V)_Vrmod 993,6 1105 Sai số (%)_ V 4,5 3,9 Bảng 3.7: Thông số kỹ thuật MOV hạ thế của hãng Hình 3.5 – Sơ đồ mô phỏng matlab phối hợp các SPD có SIEMENS đặc tuyến điện áp/dòng điện liên tục. Dòng điện Điện áp phóng điện max với Bảng 3.9 – Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp xung 8/20μs xung 8/20μs (V crest) SPD theo phương pháp phối hợp biến đổi 1. Loại Điện áp phóng điện max với xung max (kA 8/20µs (V crest) crest) 5kA 10kA 20kA Các kiểu phối hợp 3 kA 20 kA 70 kA B32K275 25 1000 1150 1390 Phối hợp 3 SPD 535.7 553.9 569.7 B40K275 40 960 1100 1310 Phối hợp 2 SPD 563.1 597.4 634.9 B60K275 70 880 980 1130 Phối hợp 1 SPD 689.9 971.3 1537 B80K275 100 830 930 1070 Bảng 3.10 – Kết quả so sánh khi mô phỏng phối Bảng 3.8: Kết quả mô phỏng MOV hạ thế của hợp SPD theo phương pháp phối hợp biến đổi 1 với 2 hãng SIEMENS kiểu phối hợp thay đổi dòng xung sét bảo vệ. Điện áp dư trên B32K275 Điện áp phóng điện max với Các kiểu phối hợp xung 8/20µs (V crest) MOV (crest) 5kA 10kA 20kA 3 kA 20kA 70kA Theo Catalogue(V)_V 1000 1150 1390 rcat Phối hợp 3 SPD với dòng Theo mô hình (V)_V 999,3 1152 1390 rmod xung bảo vệ tùy theo điện 535.7 553.9 569.7 Sai số (%)_∆V -0,07 0,17 0,00 áp làm việc cực đại. Điện áp dư trên B40K275 Phối hợp 3 SPD với dòng MOV (crest) 5kA 10kA 20kA xung bảo vệ cực đại của 3 520.2 543.5 556.5 Theo Catalogue(V)_Vrcat 960 1100 1310 tầng SPD giảm dần. Theo mô hình (V)_Vrmod 957,4 1097 1313 Sai số (%)_∆V -0,27 -0,27 0,23 Nhận xét Điện áp dư trên B60K275 - Kết quả mô phỏng với các kiểu phối hợp 1, MOV (crest) 5kA 10kA 20kA 2 và 3 SPD nhận thấy càng nhiều tầng SPD phối Theo Catalogue(V)_Vrcat 880 980 1130 hợp thì điện áp dư càng nhỏ. Theo mô hình (V)_Vrmod 881,5 986,6 1146 - Với biên độ dòng xung sét dạng sóng Sai số (%)_∆V 0,17 0,56 1,42 8/20µs càng lớn thì điện áp dư càng cao. Điện áp dư trên B80K275 - Ở vùng nông thôn, vùng hẻo lánh ( Cấp D), MOV (crest) 5kA 10kA 20kA mức độ lộ thiên cao vì vậy có khả năng xuất hiện Theo Catalogue(V)_Vrcat 830 930 1070 Theo mô hình (V)_Vrmod 831,6 932,3 1090 dòng xung sét lớn nên sử dụng nên sử dụng 2 Sai số (%)_∆V 0,19 0,25 1,87 hoặc 3 SPD phối hợp. Ở vùng đô thị, khu đông *Nhận xét: dân cư (Cấp C) mức độ lộ thiên thấp có thể sử Qua các kết quả tổng hợp được từ dụng 1 hoặc 2 SPD phối hợp tùy vào yêu cầu kỹ việc mô phỏng đáp ứng của mô hình MOV thuật và mức độ quan trọng của công trình. hạ thế đối với các loại MOV của các nhà - Điện áp không chỉ phụ thuộc vào dòng sản xuất khác nhau, ta thấy mô hình MOV xung sét mà còn phụ thuộc vào dòng xung bảo vệ hạ thế đề nghị đã đạt mức chính xác khá tốt cực đại của 3 tầng phối hợp bảo vệ SPD. (sai số điện áp dư trên mô hình MOV so với 3.3.2 Biến đổi II dữ liệu được cho bởi nhà sản xuất có giá trị tối đa là 4.5% , giá trị thấp nhất là 0,17%). 3.3 Phối hợp SPD 3.3.1 Biến đổi I Hình 3.6 - Phối hợp biến đổi II - Sơ đồ mô phỏng các kiểu phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi 2 ứng với nguồn xung dòng 8/20µs như Hình 4.10: Hình 3.4 – Phối hợp biến đổi I
5. - 5 - - Sơ đồ mô phỏng các kiểu phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi 3 ứng với nguồn xung dòng 8/20µs như Hình 4.16: Hình 3.7 – Sơ đồ mô phỏng matlab phối hợp các SPD có đặc tuyến điện áp/dòng điện liên tục. Bảng 3.11 – Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp phối hợp biến đổi 2 Hình 3.9 – Sơ đồ mô phỏng matlab phối hợp các SPD có Các kiểu phối hợp Điện áp phóng điện max với đặc tuyến điện áp/dòng điện liên tục. xung 8/20µs (V crest) Bảng 3.14 – Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp SPD 3 kA 20kA 70 kA theo phương pháp phối hợp biến đổi 3. Phối hợp 3 SPD 791.7 952.6 1125 Các kiểu phối hợp Điện áp phóng điện max với Phối hợp 2 SPD 793.3 968 1196 xung 8/20µs (V crest) Phối hợp 1 SPD 814.5 1050 1517 3 kA 20kA 70 Ka Bảng 3.12 – Kết quả so sánh khi mô phỏng phối Phối hợp 3 SPD 167.5 508.7 519.2 hợp SPD theo phương pháp phối hợp biến đổi 2 với 2 Phối hợp 2 SPD 196.9 545 690.3 kiểu phối hợp thay đổi dòng xung sét bảo vệ. Phối hợp 1 SPD 557.3 3715 13000 Các kiểu phối hợp Điện áp phóng điện max Bảng 3.15 – Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp với xung 8/20µs (V crest) SPD của biến đổi 1, biến đổi 2 và biến đổi 3. 3 Ka 20kA Điện áp phóng điện max Phương pháp biến đổi Phối hợp 3 SPD với dòng 791.7 952.6 với xung 8/20µs (V crest) Biến Biến Biến xung bảo vệ tùy theo điện áp đổi 1 đổi 2 đổi 3 làm việc cực đại. 3 kA 721.5 791.7 167.5 Phối hợp 3 SPD với dòng 748.9 912.5 20 kA 707.3 952.6 508.7 xung bảo vệ cực đại của 3 70 kA 658.2 1125 519.2 tầng SPD giảm dần. Nhận xét Bảng 3.13 – Kết quả so sánh khi mô phỏng phối hợp 3 SPD của biến đổi 1 và biến đổi 2. - Việc sử dụng SG là tầng đầu tiên, giúp giảm Điện áp phóng điện max với Phương pháp biến đổi điện áp dư rất nhiều so với hai phương pháp nêu xung 8/20µs (V crest) khi Biến đổi 1 Biến đổi 2 trên (mặc dù có cùng số tầng bảo vệ). phối hợp 3 SPD. - Đối với biến đổi 3 chỉ cần sử dụng phương 3 kA 535.7 791.7 pháp phối hợp SG + MOV cho khu vực đô thị và 20 kA 553.9 952.6 70 kA 569.7 1125 vùng nông thôn (Cấp D và Cấp C). Phối hợp Nhận xét: 3SPD chỉ sử dụng ở nơi có mức độ lộ thiên cao - Kết quả mô phỏng với các kiểu phối hợp 1, (vùng cao nguyên, đồi núi) thì có khả năng sét 2 và 3 SPD cho thấy càng nhiều tầng SPD phối đánh trực tiếp vào dây dẫn là cao. hợp thì điện áp dư càng nhỏ. Kết luận: - Và dòng xung sét dạng sóng 8/20µs càng Ba phương pháp phối hợp biến đổi SPD cơ lớn thì điện áp dư càng cao. bản là cần thiết để bảo vệ các thiết bị trong tòa - Đối với vùng đô thị, khu đông dân cư (Cấp nhà như mô phỏng đã chứng minh. Việc chọn C) chỉ cần sử dụng 1 hoặc 2 SPD phối hợp (vì nếu phương pháp phối hợp và lắp đặt 2 hay nhiều hơn thêm SPD ở tầng thứ 3 thì điện áp dư sụt giảm các SPD tùy vào địa điểm, vị trí, yêu cầu kỹ thuật không đáng kể). và mức độ quan trọng của công trình. - Điện áp dư không chỉ phụ thuộc vào dòng 3.3.4. Ảnh hưởng của điện cảm dây nối đến xung sét mà còn phụ thuộc vào dòng xung bảo vệ điện áp dư. cực đại của các tầng bảo vệ SPD. a. Trường hợp 1: (giả sử cảm kháng đường - Phương pháp 2 không mang lại hiệu quả bảo dây không đáng kể có thể bỏ qua) vệ cao như phương pháp 1 vì phương pháp 1 có Mô hình mô phỏng công trình tòa nhà chỉ sử dụng các phần tử cách ly làm giảm điện áp dư xuống 1SPD bảo vệ với giả thiết cảm kháng đường dây đáng kể khi bắt đầu phối hợp từ 2SPD trở lên. không đáng kể. 3.3.3 Biến đổi III Hình 3.10 - Mô hình mô phỏng phối hợp 1SPD bỏ qua cảm kháng đường dây. Hình 3.8 - Phối hợp biến đổi III Điện áp phóng điện max với xung 8/20µs (V crest) là 877.1 V
6. - 6 - b. Trường hợp 2: (xét đến cảm kháng TÀI LIỆU THAM KHẢO đường dây) [1]. IEC 62305-4, Electromagnetic compatibility Chọn dây dẫn kết nối vào SPD và thiết bị nối đất (EMC) – Part 4: Electrical and electronic systems có chiều dài 0,3m, và đường kính 3mm đoạn dây within structures. dẫn này có điện cảm là 315 nH. Từ đó, nhập [2]. Phân tích công nghệ MOV và SAD trong bảo thông số vào mô hình mô phỏng như Hình 4.23: vệ chống sét lan truyền, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Bưu Chính Viễn Thông, Tổng cục Bưu Điện, 5/1998. [3]. Bảo vệ chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn và tín hiệu, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Phát triển Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh, 4+5/1999. Hình 3.11 - Mô hình mô phỏng phối hợp 1SPD xét [4]. Thiết bị chống sét lan truyền trên đường cấp đến điện kháng đường dây. Bảng 3.16 Kết quả so sánh trường hợp bỏ qua nguồn theo công nghệ TDS, Tạp chí Bưu Chính điện kháng và tính điện kháng của dây nối. Viễn Thông, Tổng cục Bưu Điện, 5/1999. Điện áp phóng điện max [5]. Khe hở phóng điện tự kích TSG, Quyền Huy với xung 8/20µs (V crest) Ánh, Tạp chí Bưu Chính Viễn Thông, Tổng cục Bỏ qua điện kháng dây dẫn 877.1 Bưu Điện, 11/2001. Xét đến điện kháng dây dẫn 1280 [6]. Mô hình thiết bị chống sét lan truyền trên Nhận xét: Điện kháng dây dẫn kết nối với SPD đường nguồn hạ áp, Quyền Huy Ánh và các tác và thiết bị nối đất ảnh hưởng lớn đến khả năng giả khác, Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, trường bảo vệ của hệ thống điện. Khi xét 1 đoạn dây ĐH Kỹ Thuật, 42+43/2003. ngắn khoảng 0,3m đã làm điện áp dư của hệ [7]. Nghiên cứu mô hình chống sét van dạng oxít thống tăng lên từ 877.1(V) đến 1280(V). Vì vậy kim loại, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, để giảm thiểu ảnh hưởng điện kháng dây dẫn kết Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc nối với SPD, nhà thiết kế khuyết khích nên dùng Gia Tp Hồ Chí Minh 9/2005 mối nối V thay cho mối nối T. [8]. Mô phỏng bảo vệ quá áp do sét lan truyền trên đường điện thoại, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Bưu chính Viễn thông, Tổng cục Bưu Điện, 1/2006. [9]. Nghiên cứu hiệu quả bảo vệ máy biến áp của Hình 3.12.a – Mối nối T. Hình 3.12.b – Mối nối V. Hình 3.12 – Mối nối T và V thiết bị chống sét van có xét đến các yếu tố ảnh 4. KẾT LUẬN hưởng, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp Từ nội dung nghiên cứu của luận văn tập chí Phát Triển Khoa Học & Công Nghệ, Đại Học trung vào các vấn đề sau: Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh 8/2009. - Hướng dẫn thiết kế lắp đặt các hệ thống bảo [10]. Các mô hình máy phát xung sét cải tiến, vệ chống xung sét điện từ theo tiêu chuẩn Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Giáo IEC62.305. dục Kỹ thuật, ISSN 1859-1272, ĐHSPKT Tp - Xây dựng mô hình MOV trong Matlab nhận HCM, 14/2010. thấy mô hình MOV hạ thế đề nghị đạt mức chính [11]. Giải pháp chống sét tổng thể trong trạm viễn xác khá cao (sai số điện áp dư trong khoảng trên thông, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp mô hình MOV so với dữ liệu được cho bởi chí Công nghệ thông tin & truyền thông 9/2013. nhà sản xuất có giá trị thấp nhất là 0,17% và [12]. Thiết bị chống sét lan truyền trên đường cấp cao nhất là 4.5%). nguồn – Tạp Chí Bưu chính Viễn Thông - Quyền -Xây dựng mô hình SG trong Matlab với sai Huy Ánh số điện áp dư so với dữ liệu được cho bởi nhà [13].TS Hoàng Việt , “ Kỹ thuật điện cao áp” sản xuất có giá trị là 4.5%. phần 2, TP.HCM 2001. - Xây dựng và đánh giá hiệu quả bảo vệ của 3 [14].Matlab & Simulink – Nguyễn Phùng Quang kiểu phối hợp SPD bảo vệ chống sét cho các thiết – NXBKHKT Hà Nội 2008 bị điện – điện tử bên trong tòa nhà. [15].Andrzej Sowa, jaroslaw Wiater, - Đánh giá ảnh hưởng của điện kháng dây dẫn “Overvoltage in low-voltage power distribution kết nối với SPD với hệ thống nối đất đến điện áp systems caused by direct lightning strokes to dư đặt lên thiết bị. Vì vậy, để giảm thiểu ảnh medium voltage lines”, Bialystok Technical hưởng điện kháng dây dẫn kết nối với SPD làm University. tăng điện áp dư, nhà thiết kế khuyến cáo nên dùng [16].Application Guide - TRANQUELL Station kiểu mối nối V thay cho mối nối T. Surge Arrester, GET-6460. [17].Bassi W., janiszewski J.M., “Eveluation of
7. - 7 - Currents and Charges in low-voltage Surge Arresters Due to nightning Strikes” IEEE trans. On Power Delivery, vol.18, No1, 2003. [18].Birgitte Bak-Jensen, “Modelling of ZnO- varistors with frequency independent circuit element model”, 25th International Conference on Lightning Protection, ICLP 2000, pp. 742-747. [19].David R. Clarke, “Varistor Ceramics”, University of California, USA. [20].Daniel W. Durbak, “Surge Arrester Modeling”, Power Technologies, Schenectady, New York. [21].Elpro International Ltd, “ELPRO Surge Arrester”. [22]. F. Heidler, J.M.Cvetic, B.V.Stanic, ”Calculation of Lightning Current Parameters”, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.14,No.2, April 1999, pp. 399 - 404. [23]. F. Fernandez, R. Diaz, “Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulations”, National University of Tucuman, Argentina. [24]. Hubbell Power System, “How does a metal Oxide Distribution Arrester work?”. [25].Hubbell Power System,“Zinc-OxideArrester Designand Characteristics” [26]. Catalogue và hướng dẫn sử dụng chống sét van của các hãng: GE, ABB, COOPER, SIEMENS, ELPRO, OHIO-BRASS.
8. BÀI BÁO KHOA HỌC THỰC HIỆN CÔNG BỐ THEO QUY CHẾ ĐÀO TẠO THẠC SỸ Bài báo khoa học của học viên có xác nhận và đề xuất cho đăng của Giảng viên hướng dẫn Bản tiếng Việt ©, TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH và TÁC GIẢ Bản quyền tác phẩm đã được bảo hộ bởi Luật xuất bản và Luật Sở hữu trí tuệ Việt Nam. Nghiêm cấm mọi hình thức xuất bản, sao chụp, phát tán nội dung khi chưa có sự đồng ý của tác giả và Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh. ĐỂ CÓ BÀI BÁO KHOA HỌC TỐT, CẦN CHUNG TAY BẢO VỆ TÁC QUYỀN! Thực hiện theo MTCL & KHTHMTCL Năm học 2016-2017 của Thư viện Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp. Hồ Chí Minh.