Giáo trình Kỹ thuật sửa chữa máy tính - Chương 8: Cách tổ chức và giải quyết sự cố bộ nhớ

Nội dung text: Giáo trình Kỹ thuật sửa chữa máy tính - Chương 8: Cách tổ chức và giải quyết sự cố bộ nhớ

1. 90 chung và khĩ hiểu hơn nhiều. Những triệu chứng sau đây là những xung đột phần cứng và phần mềm hệ thống. • Hệ thống bị khố cứng khi khởi động • Hệ thống bị khố cứng khi đang chạy một ứng dụng cụ thể nào đĩ • Hệ thống bị khố cứng khi một thiết bị cụ thể nào đĩ được dùng đến • Hệ thống bị kháo cứng đột ngột ngẫu nhiên hoặc khơng thể cảnh báo trước, bất kể ứng dụng nào • Cĩ thể hêh thống khơng bị Crash, nhưng thiết bị vừa được đưa vào khơng làm việc được. Các thiết bị đã cĩ sẵn trong hệ thống thì từ trước thì vẫn cĩ thể làm việc đúng. • Cĩ thể hệ thống khơng bị Crash, nhưng một thiết bị hoặc phần ứng dụng mà lúc trước vẫn làm việc được, nhưng khơng thể làm được khi gắn thêm thiết bị mới hoặc cài đặt thêm phần mềm. IV.3 Xác định và giải quyết các xung đọt Nhận diện các yếu tố xung đột của hệ thống là vấn đề mấu chĩt để giải quyết việc tranh chấp tài nguyên trên máy tính và cách thức khắc phục nĩ lại là một vấn đề khơng phải đơn giản. Thường thì việc giải quyết xung đột thể hiện trên các phần sau : + Giải quyết các sung đột phần mềm + Giải quyết các sung đột phần cứng CHƯƠNG 8 : CÁCH TỔ CHỨC VÀ GIẢI QUYẾT SỰ CỐ BỘ NHỚ Mục tiêu : Sau khi học xong học sinh cĩ khả năng - Mơ tả được cấu trúc của bộ nhớ - Tổ chức bộ nhớ trong hệ thống máy PC - Trình bày các phương pháp lắp đặt bộ nhớ trong máy - Việc sử dụng lại các chip nhớ đời cũ - Giải quyết sự cố bộ nhớ - Tạo ra bộ nhớ quy ước tối đa - Giải quyết sự cố với những quy trình quản lý bộ nhớ Yêu cầu : nắm được cấu trúc máy tính Nội dung : - Những khái niệm cơ bản về bộ nhớ - Các cấu trúc và kiểu đĩng gĩi IC nhớ - Cách tổ chức bộ nhớ trong hệ thống máy PC - Vấn đề kiểm tra tính chẵn lẻ của bộ nhớ Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
2. 91 - Các phương pháp lắp đặt bộ nhớ trong máy - Việc sử dụng lại các chip nhớ đời cũ - Giải quyết sự cố bộ nhớ - Vấn đề tạo ra bộ nhớ quy ước tối đa - Giải quyết sự cố với những quy trình quan lý bộ nhớ I. NHỮNG KHÁI NIỆM CƠ BẢN VỀ BỘ NHỚ I.1 Memory-RAM - Một số thuật ngữ và kỹ thuật System memory: khi ta nĩi đến "memory" thì cĩ lẽ hơi mơ hồ và khĩ hiểu cho rất nhiều bạn, nhất là những bạn chưa cĩ quen biết vi cấu trúc máy tính nhiều. Thực ra từ memory trong quá khứ được diễn tả như đại diện cho tất cả "vùng nhớ" trong computer ngoại trừ CPU. Ðĩ là trong quá khứ khi mà vi tính chưa phát triễn mạnh mẽ, chứ nếu dùng từ memory mà đề cập trong những thế hệ máy tính hiện nay thì danh từ nầy hồn tồn mù mờ và khơng chích xác diễn tả các bộ phận trong máy vi tính nửa. Chúng ta cĩ RAM, ROM, DRAM, SRRAM, DDR SDRAM Ðể tránh sự lẫn lộn, tơi xin phép diễn tả ngắn gọn về memory và các thuật ngữ liên quan để bạn hiểu rõ. Memory: Memory đơn giản là một thiết bị nhớ nĩ cĩ thể ghi và chứa thơng tin. ROM, RAM, Cache, Hard disk, Floppy disk, CD đều cĩ thể gọi là memory cả (vì nĩ vẫn lưu thơng tin). Dù là loại memory nào bạn cũng nên để ý đến các tính chất sau đây: • Sức chứa: thiết bị cĩ thể chứa được bao nhiêu? Ví dụ: CD chứa được 650MB-700MB, Floppy disk chứa được 1.4MB, Cache chứa được 256KB • tốc độ truy nhập: bạn nên lưu ý đến tốc độ vận truyền thơng tin của thiết bị. Bạn cĩ memory loại "chạy lẹ" khi mà thời gian truy cập thơng tin ngắn hơn. Đây là phần quan trọng quyết định tốc độ truy cập của thiết bị. Ví dụ đơn giản là nếu bạn cĩ con CPU chạy tốc độ 1.5Ghz trong khi đĩ hard disk của bạn thuộc loại "rùa bị" thì dù CPU cĩ lẹ đến đâu nĩ cũng đàng phải chờ thơi! Tính về tốc độ thì CPU bao giờ cũng lẹ nhất, sau đĩ là Cache, sau nữa là các loại RAM. • Interface: bạn nên xem cấu trúc bên ngồi của memory nĩ cĩ phù hợp với (ăn khớp) các thiết bị khác của bạn khơng. Ví dụ, nhiều loại RAM tren thị trường cĩ số chân cắm và đặc tính khác nhau. Để phù hợp cho motherboard của bạn, bạn nên xem xét motherboard trước khi mua memory. Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
3. 92 I.2 Các loại memory ROM (Read Only Memory) Ðây là loại memory dùng trong các hãng sãn xuất là chủ yếu. Nĩ cĩ đặc tính là thơng tin lưu trữ trong ROM khơng thể xố được và khơng sửa được, thơng tin sẽ được lưu trữ mãi mãi. Nhưng ngược lại ROM cĩ bất lợi là một khi đã cài đặt thơng tin vào rồi thì ROM sẽ khơng cịn tính đa dụng (xem như bị gắn "chết" vào một nơi nào đĩ). Ví dụ điển hình là các con "chip" trên motherboard hay là BIOS ROM để vận hành khi máy vi tính vừa khởi động. PROM (Programmable ROM) Mặc dù ROM nguyên thủy là khơng xố/ghi được, nhưng do sự tiến bộ trong khoa học, các thế hệ sau của ROM đã đa dụng hơn như PROM. Các hãng sản xuất cĩ thể cài đặt lại ROM bằng cách dùng các loại dụng cụ đặc biệt và đắt tiền (khả năng người dùng bình thường khơng thể với tới được). Thơng tin cĩ thể được "cài" vào chip và nĩ sẽ lưu lại mãi trong chip. Một đặc điểm lớn nhất của loại PROM là thơng tin chỉ cài đặt một lần mà thơi. CD cĩ thể được gọi là PROM vì chúng ta cĩ thể copy thơng tin vào nĩ (một lần duy nhất) và khơng thể nào xố được. EPROM (Erasable Programmable ROM) Một dạng cao hơn PROM là EPROM, tức là ROM nhưng chúng ta cĩ thể xố và viết lại được. Dạng "CD-Erasable" là một điển hình. EPROM khác PROM ở chổ là thơng tin cĩ thể được viết và xố nhiều lần theo ý người xử dụng, và phương pháp xố là hardware (dùng tia hồng ngoại xố) cho nên khá là tốn kém và khơng phải ai cũng trang bị được. EEPROM (Electronic Erasable Programmable ROM) Ðây là một dạng cao hơn EPROM, đặt điểm khác biệt duy nhất so với EPROM là cĩ thể ghi và xố thơng tin lại nhiều lần bằng software thay vì hardware. Ví dụ điển hình cho loại EPROM nầy là "CD-Rewritable" nếu bạn ra cửa hàng mua một cái CD-WR thì cĩ thể thu và xố thơng tin mình thích một cách tùy ý. Ứng dụng của EEPROM cụ thể nhất là "flash BIOS". BIOS vốn là ROM và flash BIOS tức là tái cài đặt thơng tin (upgrade) cho BIOS. Cái tiện nhất ở phương pháp nầy là bạn khơng cần mở thùng máy ra mà chỉ dùng software điều khiển gián tiếp. RAM (Random Access Memory) Rất nhiều người nghĩ là RAM khác với ROM trên nhiều khía cạnh nhưng thực tế RAM chẳng qua là thế hệ sau của ROM mà thơi. Cả RAM và ROM đều là "random access memory" cả, tức là thơng tin cĩ thể được truy cập khơng cần theo thứ tự. Tuy nhiên ROM chạy chậm hơn RAM rất nhiều. Thơng thường ROM cần trên 50ns để vận hành thơng tin trong khi đĩ RAM cần dưới 10ns (do cách chế tạo). Tơi sẽ trở lại với phần "shadow BIOS ROM" sau nầy. SRAM (Static RAM) và DRAM (Dynamic RAM) SRAM là loại RAM lưu giữ data mà khơng cần cập nhật thường xuyên (static) trong khi DRAM là loại RAM cần cập nhật data thường xuyên (high refresh rate). Thơng thường data trong DRAM sẽ được refresh (làm tươi) nhiều lần trong một second để lưu giử lại những thơng tin đang lưu trữ, nếu khơng refresh lại DRAM thì dù nguồn điện khơng ngắt, thơng tin trong DRAM cũng sẽ bị mất. SRAM chạy lẹ hơn DRAM. Nhiều người cĩ thể lầm lẫn là DRAM là "dynamic" cho nên ưu việt hơn. Điều đĩ khơng đúng. Trên thực tế, chế tạo SRAM tốn kém hơn hơn DRAM và SRAM thường cĩ kích cỡ lớn hơn DRAM, nhưng tốc độ nhanh hơn DRAM vì khơng phải tốn thời gian refresh nhiều lần. Sự ra đời của DRAM chỉ là một lối đi vịng để hạ giá sản xuất của SRAM (tơi sẽ nĩi rõ hơn về bên trong CPU, DRAM, và SRAM). FPM-DRAM (Fast Page Mode DRAM) Ðây là một dạng cải tiến của DRAM, về nguyên lý thì FPM DRAM sẽ chạy lẹ hơn DRAM một tí do cải tiến cách dị địa chỉ trước khi truy cập thơng tin. Những loại RAM như FPM hầu như khơng cịn sản xuất trên thị trường hiện nay nữa. EDO-DRAM (Extended Data Out DRAM) Là một dạng cải tiến của FPM DRAM, nĩ chạy lẹ hơn FPM DRAM một nhờ vào một số cải tiến cách dị địa chỉ trước khi truy cập data. Một đặc điểm nữa của EDO DRAM là nĩ cần support của system chipset. Loại memory nầy chạy với máy 486 trở lên (tốc độ dưới 75MHz). EDO DRAM cũng đã quá cũ so với kỹ thuật hiện nay. EDO-DRAM chạy lẹ hơn FPM-DRAM từ 10 - 15%. BDEO-DRAM (Burst Extended Data Out DRAM) Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
4. 93 Là thế hệ sau của EDO DRAM, dùng kỹ thuật "pineline technology" để rút ngắn thời gian dị địa chỉ của data. Nếu các bạn để ý những mẫu RAM tơi giới thiệu trên theo trình tự kỹ thuật thì thấy là hầu hết các nhà chế tạo tìm cách nâng cao tốc độ truy cập thơng tin của RAM bằng cách cải tiến cách dị địa chỉ hoặt cách chế tạo hardware. Vì việc giải thích về hardware rất khĩ khăn và cần nhiều kiến thức điện tử cho nên tơi chỉ lướt qua hoặc trình bày đại ý. Nhiều mẩu RAM tơi trình bày cĩ thể khơng cịn trên thị trường nữa, tơi chỉ trình bày để bạn cĩ một kiến thức chung mà thơi. SDRAM (Synchronous DRAM) Ðây là một loại RAM cĩ nguyên lý chế tạo khác hẳn với các loại RAM trước. Như tên gọi của nĩ là "synchronous" DRAM, synchronous cĩ nghĩa là đồng bộ, nếu bạn học về điện tử số thì sẽ rõ hơn ý nghĩ của tính đồng bộ. Synchronous là một khái niệm rất quan trọng trong lĩnh vực digital, trong giới hạn về chuyên mơn tơi cũng rất lấy làm khĩ giải thích. Bạn chỉ cần biết là RAM hoạt động được là do một memory controller (hay clock controller), thơng tin sẽ được truy cập hay cập nhật mổi khi clock (dịng điện) chuyển từ 0 sang 1, "synchronous" cĩ nghĩa là ngay lúc clock nhảy từ 0 sang 1 chứ khơng hẳn là clock qua 1 hồn tồn (khi clock chuyển từ 0 sang 1 hay ngược lại, nĩ cần 1 khoảng thời gian interval, tuy vơ cùng ngắn nhưng cũng mất 1 khoảng thời gian, SDRAM khơng cần chờ khoảng interval này kết thúc hồn tồn rồi mới cập nhật thơng tin, mà thơng tin sẽ được bắt đầu cập nhật ngay trong khoảng interval). Do kỹ thuật chế tạo mang tính bước ngoặc nầy, SDRAM và các thế hệ sau cĩ tốc độ cao hơn hẳn các loại DRAM trước. Đây là loại RAM thơng dụng nhất trên thị trường hiện nay, tốc độ 66-100-133Mhz. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Ðây là loại memory cải tiến từ SDRAM. Nĩ nhân đơi tốc độ truy cập của SDRAM bằng cách dùng cả hai quá trình đồng bộ khi clock chuyển từ 0 sang 1 và từ 1 sang 0. Ngay khi clock của memory chuyển từ 0 sang 1 hoặc từ 1 sang 0 thì thơng tin trong memory được truy cập. Loại RAM này được CPU Intel và AMD hỗ trợ, tốc độ hiện tại vào khoảng 266Mhz. (DDR- SDRAM đã ra đời trong năm 2000) DRDRAM (Direct Rambus DRAM) Ðây lại là một bước ngoặc mới trong lĩnh vực chế tạo memory, hệ thống Rambus (cũng là tên của một hãng chế tạo nĩ) cĩ nguyên lý và cấu trúc chế tạo hồn tồn khác loại SDRAM truyền thống. Memory sẽ được vận hành bởi một hệ thống phụ gọi là Direct Rambus Channel cĩ độ rộng 16 bit và một clock 400MHz điều khiển. (cĩ thể lên 800MHz) Theo lý thuyết thì cấu trúc mới nầy sẽ cĩ thể trao đổi thơng tin với tốc độ 800MHz x 16bit = 800MHz x 2 bytes = 1.6GB/giây. Hệ thống Rambus DRAM như thế nầy cần một serial presence detect (SPD) chip để trao đổi với motherboard. Ta thấy kỹ thuật mới nầy dùng 16bits interface, trơng trái hẳn với cách chế tạo truyền thống là dùng 64bit cho memory, bởi thế kỹ thuật Rambus (sở hữu chủ của Rambus và Intel) sẽ cho ra đời loại chân Rambus Inline Memory Module (RIMM) tương đối khác so với memory truyền thống. Loại RAM này hiện nay chỉ được hỗ trợ bởi CPU Intel Pentum IV, khá đắt, tốc độ vào khoảng 400- 800Mhz SLDRAM (Synchronous-Link DRAM) Là thế sau của DRDRAM, thay vì dùng Direct Rambus Channel với chiều rộng 16bit và tốc độ 400MHz, SLDRAM dùng bus 64bit chạy với tốc độ 200MHz. Theo lý thuyết thì hệ thống mới cĩ thể đạt được tốc độ 400Mhz x 64 bits = 400Mhz x 8 bytes = 3.2Gb/giây, tức là gấp đơi DRDRAM. Ðiều thuận tiện là là SLDRAM được phát triển bởi một nhĩm 20 cơng ty hàng đầu về vi tính cho nên nĩ rất da dụng và phù hợp nhiều hệ thống khác nhau. VRAM (Video RAM) Khác với memory trong hệ thống và do nhu cầu về đồ hoạ ngày càng cao, các hãng chế tạo graphic card đã chế tạo VRAM riêng cho video card của họ mà khơng cần dùng memory của hệ thống chính. VRAM chạy lẹ hơn vì ừng dụng Dual Port technology nhưng đồng thời cũng đắt hơn rất nhiều. SGRAM (Synchronous Graphic RAM) Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
5. 94 Là sản phẩm cải tiến của VRAM mà ra, đơn giản nĩ sẽ đọc và viết từng block thay vì từng mảng nhỏ. Flash Memory Là sản phẩm kết hợp giửa RAM và hard disk. Cĩ nghĩa là Flash memory cĩ thể chạy lẹ như SDRAM mà và vẫn lưu trữ được data khi power off. PC66, PC100, PC133, PC1600, PC2100, PC2400 Chắc khi mua sắm RAM bạn sẽ thấy họ đề cập đến những từ như trên. PC66, 100, 133MHz thì bạn cĩ thể hiểu đĩ là tốc độ của hệ thống chipset của motherboard. Nhưng PC1600, PC2100, PC2400 thì cĩ vẻ hơi cao và quái lạ! Thực ra những từ nầy ra đời khi kỹ thuật Rambus phát triển. Ðặt điểm của loại motherboard nầy là dùng loại DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM). Như đã đề cập ở phần trên, DDR SDRAM sẽ chạy gấp đơi (trên lý thuyết) loại RAM bình thường vì nĩ dùng cả rising and falling edge của system clock. Cho nên PC100 bình thường sẽ thành PC200 và nhân lên 8 bytes chiều rộng của DDR SDRAM: PC200 * 8 = PC1600. Tương tự PC133 sẽ là PC133 * 2 * 8bytes = PC2100 và PC150 sẽ là PC150 * 2 * 8 = PC2400. BUS: gồm nhiều dây dẫn điện nhỏ gộp lại, là hệ thống hành lang để dẫn data từ các bộ phận trong computer (CPU, memory, IO devices). BUS cĩ chứa năng như hệ thống ống dẫn nước, nơi nào ống to thì nước sẽ chạy qua nhiều hơn, cịn sức nước mạnh hay yếu là do các bộ phận khác tạo ra. FSB (Front Side Bus) hành lang chạy từ CPU tới main memory BSB (Back Side Bus) hành lang chạy từ memory controller tới L2 (Cache level 2) Cache memory Là loại memory cĩ dung lượng rất nhỏ (thường nhỏ hơn 1MB) và chạy rất lẹ (gần như tốc độ của CPU). Thơng thường thì Cache memory nằm gần CPU và cĩ nhiệm vụ cung cấp những data thường (đang) dùng cho CPU. Sự hình thành của Cache là một cách nâng cao hiệu quả truy cập thơng tin của máy tính mà thơi. Những thơng tin bạn thường dùng (hoặc đang dùng) thường được chứa trong Cache, mổi khi xử lý hay thay đổi thơng tin, CPU sẽ dị trong Cache memory trước xem cĩ tồn tại hay khơng, nếu cĩ nĩ sẽ lấy ra dùng lại cịn khơng thì sẽ tìm tiếp vào RAM hoặc các bộ phận khác. Lấy một ví dụ đơn giản là nếu bạn mở Microsoft Word lên lần đầu tiên sẽ thấy hơi lâu nhưng mở lên lần thứ nhì thì lẹ hơn rất nhiều vì trong lần mở thứ nhất các lệnh (instructions) để mở Microsoft Word đã được lưu giữ trong Cache, CPU chỉ việc tìm nĩ và xài lại thơi. Lý do Cache memory nhỏ là vì nĩ rất đắt tiền và chế tạo rất khĩ khăn bởi nĩ gần như là CPU (về cấu thành và tốc độ). Thơng thường Cache memory nằm gần CPU, trong nhiều trường hợp Cache memory nằm trong con CPU luơn. Người ta gọi Cache Level 1 (L1), Cache level 2 (L2) là do vị trí của nĩ gần hay xa CPU. Cache L1 gần CPU nhất, sau đĩ là Cache L2 Interleave Là một kỹ thuật làm tăng tốc độ truy cập thơng tin bằng giảm bớt thời gian nhàn rổi của CPU. Ví dụ, CPU cần đọc thơng tin thơng từ hai nơi A và B khác nhau, vì CPU chạy quá lẹ cho nên A chưa kịp lấy đồ ra CPU phải chờ rồi! A thấy CPU chờ thì phiền quá mới bảo CPU sang B địi luơn sau đĩ trỡ lại A lấy cũng chưa muộn! Bởi thế CPU cĩ thể rút bớt thời gian mà lấy được đồ ở cả A và B. Tồn bộ nghĩa interleave là vậy. Bursting Cũng là một kỹ thuật khác để giảm thời gian truyền tải thơng tin trong máy tính. Thay vì CPU lấy thơng tin từng byte một, bursting sẽ giúp CPU lấy thơng tin mỗi lần là một block. ECC (Error Correction Code) Khi mua RAM bạn cĩ thể thấy cụm từ nầy mơ tả phụ thêm vào loại RAM. Ðây là một kỹ thuật để kiểm tra và sửa lổi trong trường hợp 1 bit nào đĩ của memory bị sai giá trị trong khi lưu chuyển data. Những loại RAM cĩ ECC thường dùng cho các loại computer quan trọng như server. Tuy nhiên khơng cĩ ECC cũng khơng phải là mối lo lớn vì theo thống kê 1 bit trong memory cĩ thể bị sai giá trị khi chạy trong gần 750 giờ, người tiêu dùng bình thường như chúng ta đâu cĩ ai mở máy liên tục tới 1 tháng đâu chớ! Register và Buffer (cùng như nhau) Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
6. 95 Ðơi khi mua memory bạn cĩ thể thấy người bán đề cập đến tính chất của memory là cĩ buffer, register Buffer và Register chủ yếu dùng để quản lý các modules trên RAM. Trơng hình vẽ dưới chắc bạn cũng sẽ nhận ra được loại RAM cĩ buffer. Loại RAM cĩ buffer hay register thì sẽ chạy chậm hơn loại RAM khơng cĩ buffer hay register một ít. CAS (Column Address Strobe) latency Latency nghĩa là khoảng thời gian chờ đợi để làm cái gì đĩ, CAS latency là thuật ngữ diễn tả sự delay trong việc truy cập thơng tin của memory và được tính bằng clock cycle. Ví dụ, CAS3 là delay 3 "clock cycle". Trong quá khứ các nhà sản xuất cố gắng hạ thấp chỉ số delay xuống nhưng nĩ sẽ tỷ lệ nghịch với giá thành sản phẩm. Cách tính dung lượng của memory (RAM) Thơng thường RAM cĩ hai chỉ số, ví dụ, 32Mx4. Thơng số đầu biểu thị số hàng (chiều sâu) của RAM trong đơn vị Mega Bit, thơng số thứ nhì biểu thị số cột (chiều ngang) của RAM. 32x4 = 32MegaBit x 4 cột = 128 Mega Bit = 128/8 Mega Bytes = 16MB. Cĩ nhiều bạn cĩ thể lầm tưởng thơng số đầu là Mega Bytes nhưng kỳ thực các hãng sãn xuất mặc định nĩ là Mega Bit, bạn nên lưu nhớ cho điều nầy khi mua RAM. Ví dụ, 32Mx64 RAM tức là một miếng RAM 256MB. Số Pin của RAM Khi chọn RAM, ngồi việc chú ý tốc độ, sức chứa, ta phải coi số Pin của nĩ. Thơng thường sốPin của RAM là (tuỳ vào loại RAM): 30, 72, 144, 160, 168, 184 pins. SIMM (Single In-Line Memory Module) Ðây là loại ra đời sớm và cĩ hai loại hoặc là 30 pins hoặc là 72 pins. Người ta hay gọi rõ là 30- pin SIMM hoặc 72-pin SIMM. Loại RAM (cĩ cấu hình SIMM) nầy thường tải thơng tin mỗi lần 8bits, sau đĩ phát triễn lên 32bits. Bạn cũng khơng cần quan tâm lắm đến cách vận hành của nĩ, nếu ra ngồi thị trường bạn chỉ cần nhận dạng SIMM khi nĩ cĩ 30 hoặc 72 pins. Loại 72-pin SIMM cĩ chiều rộng 41/2" trong khi loại 30-pin SIMM cĩ chiều rộng 31/2" (xem hình). DIMM (Dual In-line Memory Modules) Cũng gần giống như loại SIMM mà thơi nhưng cĩ số pins là 72 hoặc 168. Một đặc điểm khác để phân biệt DIMM với SIMM là cái chân (pins) của SIMM dính lại với nhau tạo thành một mảng để tiếp xúc với memory slot trong khi DIMM cĩ các chân hồn tồn cách rời độc lập với nhau. Một đặc điểm phụ nửa là DIMM được cài đặt thẳng đứng (ấn miếng RAM thẳng đứng vào memory slot) trong khi SIMM thì ấn vào nghiêng khoảng 45 độ. Thơng thường loại 30 pins tải data 16bits, loại 72 pins tải data 32bits, loại 144 (cho notebook) hay 168 pins tải data 64bits. (xem hình) SO DIMM (Small Outline DIMM) Ðây là loại memory dùng cho notebook, cĩ hai loại pin là 72 hoặc 144. Nếu bạn để ý một tý thì thấy chúng cĩ khổ hình nhỏ phù hợp cho notebook. Loại 72pins vận hành với 32bits, loại 144pins vận hành với 64bits. RIMM (Rambus In-line Memory Modules) và SO RIMM (RIMM dùng cho notebook) Là technology của hãng Rambus, cĩ 184 pins (RIMM) và 160 pins (SO RIMM) và truyền data mỗi lần 16bit (thế hệ củ chỉ cĩ 8bits mà thơi) cho nên chạy nhanh hơn các loại củ. Tuy nhiên do chạy với tốc độ cao, RIMM memory tụ nhiệt rất cao thành ra lối chế tạo nĩ cũng phải khác so với các loại RAM truyền thống. Như hình vẽ bên dưới bạn sẽ thấy miến RAM cĩ hai thanh giải nhiệt kẹp hai bên gọi là heat speader. Nếu bạn dùng Pentium 4 sẽ gặp loại RAM nầy. (xem hình) Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
7. 96 II. CÁCH TỔ CHỨC BỘ NHỚ TRONG HỆ THỐNG PC • Các tế bào nhớ (storage cell) • RAM và ROM • Thời gian truy cập: • Tổ chức bộ nhơ • Các kiểu cấu tạo bộ nhớ Cần có một phân biệt giữa bộ nhớ (memory) và thiết bị lưu trữ (storage device). Bộ nhớ thường chỉ dùng để lưu trữ tạm thời các chương trình và dữ liệu trong phiên làm việc, tắt máy thì nội dung nhớ cũng mất (trừ ROM). Còn thiết bị lưu trữ thì dùng để cất giữ lâu dài thông tin và không mất nội dung khi tắt điện (điã cứng, điã mềm, CD-ROM, ổ băng v.v ), có dung lượng lớn và thường tốc độ truy cập chậm. Dĩ nhiên không có giới hạn rõ ràng giữa hai loại này, ví dụ, bộ nhớ RAM có thể lớn đến vài chục MB trong khi điã mềm lưu trữ chỉ 1,44MB, hoặc điã cứng đôi khi cũng được dùng làm bộ nhớ ảo trong một số trường hợp. Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
8. 97 Cùng với bộ vi xử lý, các thiết bị nhớ đã phát triển khá nhanh trong khoảng mười năm gần đây, nên đã làm phong phú chủng loại bộ nhớ, và do đó đã tối ưu hóa hầu hết các hệ máy tính. Tuy đa dạng nhưng các khái niệm cơ bản và nguyên lý hoạt động của bộ nhớ vẫn không thay đổi cho các loại. II.1 Các tế bào nhớ (storage cell) Bộ nhớ lưu giữ thông tin dưới dạng một dãy các con số nhị phân 1 và 0, trong đó 1 là đại diện cho sự có mặt của điện áp tín hiệu, và 0 đại diện cho sự vắng mặt. Vì mỗi bit được đại diện bởi một mức điện áp, nên điện áp đó phải được duy trì trong mạch điện tử nhớ, gọi là tế bào nhớ. Nội dung lưu giữ trong tế bào nhớ có thể được sao chép ra bus hoặc các linh kiện chờ khác, gọi là đọc ra (reading). Một số tế bào nhớ cũng cho phép sao chép vào bản thân mình những mức tín hiệu mới lấy từ bus ngoài, gọi là ghi vào (writing). Bằng cách sắp xếp liên kết tế bào nhớ thành các hàng và cột (ma trận), người ta có thể xây dựng nên các mạch nhớ nhiều triệu bit. Các ma trận tế bào nhớ được chế tạo trên một chip silic nhỏ giống như các mạch tích hợp. Có sáu loại tế bào nhớ đang được sử dụng rộng rãi hiện nay: SRAM, DRAM, ROM, PROM, EPROM và EEPROM. II.2 RAM và ROM Có hai dòng bộ nhớ phổ biến có tên gọi tắt là RAM và ROM. Mạch nhớ truy cập ngẫu nhiên (random - access memory - RAM) là bộ nhớ chính (main memory) bên trong máy tính, nơi lưu trữ tạm thời các dữ liệu và lệnh chương trình để Bộ xử lý (BXL) có thể truy cập nhanh chóng. Thuật ngữ "truy cập ngẫu nhiên" có ý nhấn mạnh một tính chất kỹ thuật quan trọng: mỗi vị trí lưu trữ trong RAM đều có thể truy cập trực tiếp. Nhờ đó các thao tác truy tìm và cất trữ có thể thực hiện nhanh hơn nhiều so với các thiết bị lưu trữ tuần tự như ổ điã hay ổ băng từ. Nội dung lưu giữ trong RAM là không cố định (volatile) - có nghĩa phải luôn có nguồn nuôi để duy trì nội dung nhớ đó, mất điện là mất thông tin. Kích thước của RAM thường đo bằng đơn vị megabyte (MB). Bao nhiêu RAM thì đủ? Đây là câu hỏi chắc chắn ta sẽ đặt ra khi mua sắm hay nâng cấp máy tính. Để chạy Windows thì câu trả lời đúng nhất là "không bao giờ đủ". Một cách sơ lược thì Windows 3.1 và ngay cả Windows 95 chỉ chạy với 4MB RAM, nhưng đạt được hiệu năng tốt nhất với 8MB RAM, với 16MB RAM hiệu năng Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
9. 98 không tăng bao nhiêu, trừ trường hợp ta muốn chạy nhiều trình ứng dụng cùng lúc, điều mà không phải ai cũng thường làm. Dòng thứ hai là bộ nhớ chỉ đọc ra (read-only memory - ROM). Nội dung trong ROM chỉ có thể được đọc ra trong quá trình hoạt động bình thường của máy tính. Bộ nhớ ROM là loại cố định (nonvolatile), nên nó vẫn duy trì nội dung nhớ khi không có điện. Nhờ tính năng này, người ta dùng ROM để lưu giữ các chương trình BIOS không thay đổi. II.3 Các loại bộ nhớ RAM tĩnh (static RAM - SRAM) lưu giữ các bit trong những tế bào của mình dưới dạng chuyển mạch điện tử. Tế bào SRAM mở mạch điện (logic 1) hoặc tắt mạch (logic 0) để phản ánh trạng thái của tế bào. Thực tế đó là các mạch flip-flop trong tình trạng set hoặc reset. Mạch flip- flop sẽ giữ nguyên mẫu trạng thái cho đến khi được thay đổi bởi thao tác ghi tiếp theo hoặc ngắt điện. Tuy nhiên SRAM có kích thước lớn và tốn điện, hiện nay thường được chế tạo sẵn trong giới hạn 512K. Mặc dù có tốc độ nhanh, nhưng phức tạp và đắt tiền, SRAM chỉ được sử dụng trong các bộ phận cần tốc độ như bộ nhớ cache chẳng hạn. RAM động (dynamic RAM - DRAM) lưu giữ các bit dưới dạng điện tích chứa trong các tụ điện cực nhỏ, đó là các điện dung của bản thân transistor MOS đóng vai trò chuyển mạch hoặc phần tử điều khiển. Có hoặc không có điện tích trong tụ điện này tương ứng với logic 1 hoặc logic 0. Do tụ điện nhỏ nên điện tích được nạp và phóng rất nhanh, cỡ chục nanô giây. Bởi kích thước nhỏ và hầu như không tiêu thụ điện nên DRAM có mật độ lưu trữ khá cao và giá rẻ. Nhược điểm duy nhất của DRAM là không giữ được thông tin lâu quá vài miligiây, nên phải thường xuyên nạp lại năng lượng cho nó gọi là làm tươi hay hồi phục (refresh), thực chất là làm đầy lại điện tích cho các tụ điện nhớ tí hon. Bộ nhớ ROM thực chất là một tổ chức ghép nối sẵn các mạch điện để thể hiện các trạng thái có nối (logic 0) hoặc không nối (logic 1). Cách bố trí các trạng thái 1 và 0 như thế nào là tùy yêu cầu, và được chế tạo sẵn trong ROM khi sản xuất. Khi vi mạch ROM được chế tạo xong thì nội dung của nó không thể thay đổi nữa. ROM dùng trong hệ BIOS cũ thuộc loại này cho nên khi bật máy tính là các chương trình chứa sẵn trong đó được lấy ra để chạy khởi động máy (bao gồm các bước kiểm tra chẩn đoán, hỗ trợ phần mềm cơ sở và hợp nhất các bộ phận trong hệ thống máy). Ta không muốn và cũng không thể thay đổi bất cứ điều gì đối với các chương trình cốt tử này. Tuy nhiên khi phát hiện có một lỗi trong ROM hoặc cần đưa vào một thông số BIOS mới để phù hợp với thiết bị ngoại vi mới thì thật là tai họa. Gần đây có một giải pháp là dùng flash BIOS, nó thay một phần ROM bằng loại EEPROM, đó là vi mạch ROM có thể lập trình và xóa bằng điện (Electrically Erasable Programmable ROM). Phương pháp này cho phép chỉ xóa ở một số địa chỉ, không phải toàn bộ trong khi vi mạch vẫn giữ nguyên trên board. II.4 Thời gian truy cập Một bộ nhớ lý tưởng phải đưa dữ liệu được chọn ngay tức khắc lên các đường dữ liệu của vi mạch nhớ đó. Tuy nhiên trong thực tế luôn tồn tại một thời gian trễ giữa thời điểm tín hiệu địa chỉ lối vào có hiệu lực và thời điểm dữ liệu có mặt trên các đường dữ liệu, gọi là thời gian truy cập (access time). Mặc dù thời gian này được tính bằng nanô giây nhưng cũng làm chậm tốc độ hoạt động chung của toàn hệ thống, nên bộ xử lý phải đợi, có khi đến 4 hoặc 5 xung nhịp. Các máy PC loại cũ có thể sử dụng các chip DRAM có thời gian truy cập trong vòng 80 nanôgiây với các board mẹ loại 25MHz. Các máy tính 486 và Pentium hiện nay, sử dụng board mẹ Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
10. 99 33 hoặc 40 MHz, đòi hỏi DRAM phải là loại 60 nanôgiây. Thời gian truy cập càng nhanh thì DRAM càng đắt. II.5 Tổ chức bộ nhớ Các máy tính cá nhân kiểu cũ chỉ có thể địa chỉ hóa trực tiếp 1MB bộ nhớ do hạn chế của bộ vi xử lý 8088. Các BXL hiện nay, như 80486 và Pentium, có khả năng địa chỉ hóa hơn 4GB bộ nhớ. Vậy làm thế nào các máy mới có thể tương thích ngược với các máy cũ, để có thể thừa hưởng một khối lượng chương trình ứng dụng khổng lồ đang có sẵn. Để vượt qua giới hạn của bộ nhớ truyền thống, người ta đã bổ sung thêm bộ nhớ triển khai, bộ nhớ mở rộng, các bộ nhớ trên, và những phần mềm để sử dụng các bộ nhớ đó. * Bộ nhớ quy ước. Các bộ vi xử lý 8086 và 8088 (có sẵn khi máy IBM PC được thiết kế) đều có thể sử dụng thẳng 1MB RAM (1024K). Các nhà thiết kế máy PC đã quyết định chế tạo phần 640K RAM dành riêng cho các chương trình sử dụng trong chế độ thực (real mode) của BXL; phần 384KB còn lại dùng cho các chức năng hệ thống nội bộ. Phần 640K RAM cơ sở đó gọi là bộ nhớ quy ước (conventional memory) trong các máy sử dụng BXL Intel và chạy với hệ điều hành MS- DOS. Trong những năm 1980, bộ nhớ 640K là đủ, nhưng càng về sau các chương trình ứng dụng cứ đồ sộ dần lên nên các nhà thiết kế máy phải nghĩ cách mở rộng khả năng của bộ nhớ. * Bộ nhớ mở rộng (extended memory). Được giới thiệu trong máy PC/AT của hãng IBM, BXL 80286 đã được dự tính trước để vượt qua giới hạn 640K bằng cách sử dụng chế độ bảo vệ (protected mode). BXL 80286 có thể lập địa chỉ cho 16MB bộ nhớ ở chế độ bảo vệ, còn 80386 và 80486 có thể quản lý đến 4GB bộ nhớ trong chế độ bảo vệ. Khả năng thì như vậy nhưng không khai thác hết vì đắt tiền và cũng không cần thiết. Hiện nay, tất cả các hệ máy tính đều có lắp thêm trên board mẹ vài ba MB ngoài 1MB truyền thống và gọi là bộ nhớ mở rộng. Ngoài BXL phải thuộc loại tốt, bộ nhớ mở rộng còn cần sự trợ giúp của các phần mềm quản lý thích hợp. HIMEM.SYS trong DOS 5.0 và Microsoft Windows 3.0 (và các phiên bản sau) hiện đang được sử dụng rộng rãi nhất để truy cập bộ nhớ mở rộng. Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
11. 100 * Bộ nhớ triển khai, hay còn gọi là bành trướng (expanded memory). Đây là một phương pháp mang tính kỹ xảo nhằm vượt qua hàng rào 640K bằng cách lần lượt chuyển đổi các băng nhớ của bộ nhớ truyền thống, nơi mà CPU có thể truy cập theo chế độ thực. Tiêu chuẩn kỹ thuật LIM hoặc EMS đã sử dụng các băng nhớ 16K được ánh xạ vào trong dải 64K của bộ nhớ chế độ thực nằm trên bộ nhớ cơ bản 640K; như vậy có thể chạy đồng thời với bốn "khối" nhớ triển khai trong chế độ thực. EMS/LIM 4.0 là tiêu chuẩn bộ nhớ triển khai có thể quản lý đến 32MB biểu kiến. Tuy nhiên, kỹ thuật chuyển đổi băng này sẽ làm cho thời gian truy cập bộ nhớ chậm hơn so với bộ nhớ mở rộng. Vùng nhớ trên (high memory hoặc uper memory area). Trong máy tính tương thích IBM PC chạy với MS-DOS, đây là vùng bộ nhớ nằm giữa bộ nhớ quy ước 640K và giới hạn 1024K. Đối với các máy PC nguyên thủy, một số băng trong vùng này được dùng cho sử dụng hệ thống, nhưng thực sự không dùng đến. Các chương trình quản lý bộ nhớ, cũng như HIMEM.SYS có trong MS- DOS 6.2 có khả năng tổ chức vùng nhớ trên này để dùng cho các trình tiện ích hệ thống và các trình thường trú (TSR). * Bộ nhớ ảo (virtual memory). Đây là một phương pháp mở rộng kích thước biểu kiến của bộ nhớ RAM hệ thống bằng cách dùng một phần điã cứng làm RAM mỏ rộng. Hầu hết các chương trình ứng dụng DOS đều thực hiện việc tráo đổi các lệnh chương trình và dữ liệu vào ra điã thay vì giữ chúng trong bộ nhớ. Từ BXL 80286 trở lên, nhất là 80386, đều có thể quản lý các thao tác bộ nhớ ảo ở mức hệ điều hành, nên bất kỳ chương trình nào cũng sử dụng được tính ưu việt này, làm cho RAM được phát triển liền khối với điã cứng. Trong chế độ 386 Enhanced, Microsoft Windows tận dụng hết khả năng bộ nhớ ảo của các BXL này, và có thể "trông coi" một lượng RAM gần như không giới hạn. Tuy nhiên tốc độ truy cập điã chậm hơn nhiều so với RAM. Cho nên nếu ta thường xuyên chạy nhiều chương trình với Windows thì tốt nhất là tăng RAM (8M) để tận dụng được ưu việt của khả năng đa nhiệm. Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
12. 101 III. CẤU TRÚC VÀ KIỂU ĐĨNG GĨI BỘ NHỚ Một phương diện quan trọng khác trong việc thay thế, nâng cấp bộ nhớ là phải nhận dạng được các loại vỏ chứa vi mạch nhớ. Mặc dù mạch nhớ đều được chế tạo trên những miếng đế nhỏ bằng silic nhưng mỗi chip được đóng vỏ với các chân ra khác nhau để có thể sử dụng trong những Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
13. 102 lắp ráp khác nhau. Ta sẽ gặp một số loại vỏ vi mạch nhớ chủ yếu: DIP, SIP, ZIP, SIMM và card nhớ. III.1 DIP (dual in-line package) Đây là kiểu vỏ linh kiện nhớ bán dẫn cũ nhất, có các chân ra được sắp xếp theo hai hàng thẳng, uốn cong xuống dưới. DIP được cắm lên đế hoặc hàn trực tiếp trên board mẹ. Máy tính hiện nay không dùng loại này nữa. III.2 SIP và ZIP Khi mật độ nhớ tăng và kích thước máy giảm, người ta phải sử dụng cách đóng vỏ khác cho các vi mạch nhớ. Loại vỏ một hàng thẳng (single in - line package, SIP) có các chân nằm dọc theo một cạnh của vỏ dựng thẳng đứng. Loại vỏ một hàng ZIG-ZAG (zig-zag in - line package, ZIP) cũng có các chân nằm dọc trên một cạnh vỏ, nhưng để khoảng cách hai chân xa hơn, các chân được sắp xếp theo hình zic-zac. ZIP dùng nhiều chân hơn so với SIP cùng loại nên ZIP được dùng nhiều hơn cho các bộ nhớ mật độ cao. Cả hai loại này được cắm trên đế hoặc hàn thẳng đứng nên chiếm ít diện tích mặt bằng của board mẹ hơn. * SIMM (single in-line memory module). Đây là loại mô đun nhớ một hàng chân ra để dễ cắm vào các ổ cắm thích hợp trên board mẹ. SIMM gồm nhiều vi mạch nhỏ DRAM được gắn trên một tấm mạch in nhỏ, để tổ chức thành các loại môđun từ 1MB đến 16MB hoặc hơn. SIMM loại cũ có 30 chân, phổ biến hiện nay là 72 chân nên các nhà thiết kế có nhiều phương án cấu hình hơn. Đây là loại thuận lợi nhất cho việc nâng cấp bộ nhớ của ta. * Card nhớ. Một cải tiến khác của việc đóng gói bộ nhớ là gắn các linh kiện nhớ mật độ cao vào trong một tấm card nhỏ kèm theo máy giống như tấm thẻ tín dụng. Sau đó tấm card được cắm vào máy qua một khe nhỏ đặc biệt mà không cần phải mở hộp máy. Phương pháp này rất thích hợp với các loại máy nhỏ laptop, notebook có mật độ lắp ráp rất sít, mà người sử dụng bình thường dễ làm hỏng khi nâng cấp bộ nhớ. Card nhớ được thiết kế với sơ đồ bố trí đầu nối theo tiêu chuẩn nên có thể dùng card của bất kỳ hãng nào. Dung lượng card nhớ từ vài trăm kilobyte đến trên dưới 10MB. IV. GIẢI QUYẾT SỰ CỐ BỘ NHỚ Các IC nhớ được gắn trên các bộ nhớ dù cĩ tin cậy đến đâu cũng cĩ thể gây ra những lỗi cho bộ nhớ. Một sự phĩng tĩnh điện tình cờ nào đĩ do khơng lắp đặt đúng, một cấu hình đơn giản, những trục trặc của hệ điều hành và cả những hỏng hĩc vì cũ kỹ và chế tạo khơng tốt cũng cĩ thể gây ra những trục trặc bộ nhớ. Mục này khảo sát các trục trặc thường gây ra tai hoạ cho các thiết bị nhớ và đề ra cách giải quyết các lỗi đĩ Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà
14. 103 IV.1 Thiết bị kiểm tra bộ nhớ IV.2 Sửa chữa các đế cắm bộ nhớ IV.3 Các điểm tiếp xúc bị ăn mịn IV.4 Các lỗi kiểm tra tính chẵn lẽ IV.5 Một số lỗi thường gặp IV.6 Giải quyết sự cố với trình quản lý bộ nhớ • Giải quyết sự cố QEMM • Giải quyết trục trặc HIMEM/EMM386 • Giải quyết trục trặc của 386MAX Bài giảng KTSC Máy tính H.V.Hà