Giải tích hóa giá trị thực nghiệm độ lợi khoảng cách (∆L)của một số đầu thu sét esethông dụng tại Việt Nam

Nội dung text: Giải tích hóa giá trị thực nghiệm độ lợi khoảng cách (∆L)của một số đầu thu sét esethông dụng tại Việt Nam

1. GIẢI TÍCH HÓA GIÁ TRỊ THỰC NGHIỆM ĐỘ LỢI KHOẢNG CÁCH (∆L)CỦA MỘT SỐ ĐẦU THU SÉT ESETHÔNG DỤNG TẠI VIỆT NAM ALGEBRAIC ANALYSIS OF THE EXPERIMENTAL VALUES OF DISTANCE GAIN (∆L)OF ESE LIGHTNING CONDUCTOR POPULAR IN VIETNAM (1)Hồ Văn Nhật Chương, (1)Phạm Đình Anh Khôi, (2)Nguyễn Trần Hoàng Vũ (1)Trường Đại học Bách Khoa Tp. Hồ Chí Minh (2)Trường Cao đẳng Cộng đồng Sóc Trăng TÓM TẮT Ngày nay việc chống sét dùng đầu thu sét ESE(Early Streamer Emission) ngày càng cho thấy có nhiều ưu điểm nổi bật so với kim Franklin. Đối với đầu thu ESE, thông số ∆L có ý nghĩa quan trọng trong việc xác định vùng bảo vệ. Tuy nhiên trong thực tế giá trị của ∆L không là hằng số như nhà sản xuất cung cấp mà thay đổi theo độ cao cột thu sét và khoảng cách phóng điện. Giải tích hoá đường thực nghiệm ∆L đã được giới thiệu trong [1], nhưng tồn tại một số khuyết điểm: dựa trên bảng số liệu cũ, tính thống nhất chưa cao, bậc hàm nội suy lớn. Thông qua phương pháp nội suy Lagrange, bài báo này đưa ra giải pháp xác định thông số ∆L và khắc phục những khuyết điểm trong [1]. Từ khoá:Early Streamer Emission, Độ lợi khoảng cách, Nội suy Lagrange. ABSTRACT Nowadays, the use of ESE (Early Streamer Emission), a kind of lightning conductor, in anti-lightning has shown more outstanding advantages in comparison with traditional Franklin rods. In using ESE, ∆L is crucial in measuring the protection zone. In reality, distance gain ∆L is not a constant as provided from manufacturers, it will change along with the height of lightning conductor and discharge distance. Algebraic analysis of the experimental values has been introduced in [1], but there are still a few shortcomings : basing on old data, lacking of consistency, high level of interpolation . Through Lagrange method, this article gives a solution to measure ∆L and remedy shortcomings in [1]. Keywords:Early Streamer Emission, Distance gain ∆L, Lagrange interpolation. I. MỞ ĐẦU Theo [2],[3] ta có được công thức bán kính bảo vệ đáy của đầu thu sét ESE được tính như sau: Rp h(2D h) L(2D L) (1) Trong đó : Rp: Bán kính bảo vệ đáy (m) h: Chiều cao tổng của cột thu sét (m)
2. ΔL: Độ lợi khoảng cách (m) D(m): Khoảng cách phóng điện. Giá trị của khoảng cách phóng điện D được tra theo Bảng 1 [4,5,6,7]. Bảng 1: Mức bảo vệ chống sét và giá trị khoảng cách phóng điện D Mức bảo vệ D(m) Giá trị dòng sét thấp nhất I (kA) Mức I 20 3 Mức II 30 5 Mức III 45 10 Mức IV 60 16 Từ (1) suy ra: 2 2 ∆퐿 = 푅 + ( − ℎ) − (2) Các bảng số liệu trong [8,9,10,11,12,13,14] cho biết giá trị bán kính bảo vệ đáy (Rp) thực nghiệm phụ thuộc vào độ cao (h) và khoảng cách phóng điện D. Áp dụng công thức (2) ta sẽ có được các giá trị độ lợi khoảng cách ΔL thực nghiệm tương ứng. Sau đây giới thiệu 3 bảng số liệu tiêu biểu bảng 2, 3 và 4. Bảng 2: Số liệu thực nghiệm Rp và ΔL của đầu thu Pulsar 60 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV h(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) 2 32 16.7151 35 14.8219 40 13.7282 44 12.8011 3 48 30.9215 52 28.5918 59 27.4224 65 26.4523 4 64 45.9697 69 43.7360 78 43.119 87 43.4650 5 79 60.4114 86 59.5600 97 59.9238 107 60.3079 6 79 60.2309 87 60.2497 97 59.5466 108 60.7477 8 79 59.9062 87 59.7385 99 60.6882 109 60.7684 10 79 59.6304 88 60.2441 99 60.0048 109 59.9208 15 80 60.1561 89 60.2552 101 60.3613 111 59.7748 20 80 60.0000 89 59.5600 102 60.0190 113 59.8708 45 80 63.8153 90 61.2414 105 60.0000 119 59.9417 60 80 69.4427 90 64.8683 105 61.0660 120 60.0000 Bảng 3: Số liệu thực nghiệm Rp và ΔL của đầu thu Ellips 1.3 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV h(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) 2 25 10.8058 28 9.5980 32 8.6004 36 8.2642 3 38 21.6293 41 19.0918 48 18.7809 53 17.8332 4 51 33.4509 57 32.6498 65 31.8505 72 31.2140 5 62 43.7887 71 45.2728 81 45.3383 89 44.6231 10 63 43.7887 72 44.7262 83 45.0777 92 44.7091 20 65 45.0000 74 44.6726 86 44.5600 97 44.9238 60 66 57.1751 75 50.7775 90 46.2414 105 45.0000
3. Bảng 4: Số liệu thực nghiệm Rp và ΔL của đầu thu Pulsar 30 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV h(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) Rp(m) ΔL(m) 2 19 6.1725 22 5.6090 25 4.7393 28 4.4050 3 28 12.7567 33 12.6380 38 11.6392 42 10.8025 4 38 21.2311 44 21.1077 50 19.6607 57 19.9062 5 48 30.2892 55 30.4152 63 29.6257 71 29.8109 6 48 30.0000 55 30.0083 64 29.9466 72 30.0000 8 49 30.4480 56 30.1664 66 30.6637 75 31.2634 10 49 30.0100 57 30.4070 66 29.7061 75 30.1388 15 50 30.2494 58 29.9083 69 30.2396 78 30.0500 20 50 30.0000 59 29.8415 71 30.2728 81 30.3383 45 50 35.9017 60 31.8466 75 30.0000 89 30.2552 60 50 44.0312 60 37.0820 75 31.4853 90 30.0000 Từ các bảng số liệu trên chúng ta có thể dễ dàng nhận thấy quy luật thay đổi của Rp và ΔL như sau: - Từ độ cao nhỏ nhất hmin cho đến hm, sự thay đổi của ΔL và Rp theo h rất lớn. - Trong khoảng hm đến giá trị ho=D, giá trị ΔL và Rpcoi như không đổi. - Trong khoảng ho đến hmax (trừ trường hợp D=60), Rp là hằng số nhưng ΔL thay đổi theo h rất lớn. Từ đó ta có thể tìm dạng đường thực nghiệm thông số độ lợi khoảng cách ΔL theo 2 biến là độ cao thu lôi h và khoảng cách phóng điện D (hàm ΔL = f(h,D)) Tiến hành nội suy từng cặp (hj, ΔLij) để tìm hàn ΔLi = fi(h), i=1,2,3 . Bậc nội suy được chọn khi thỏa điều kiện sai số không lớn hoặc thỏa quy luật thay đổi của các điểm thực nghiệm. Sau khi có được hàm ΔLi = fi(h), ta lại tiến hành nội suy từng cặp giữa các phần tử hệ số của các hàm ΔLi = fi(h) với từng khoảng cách phóng điện D. Kết quả là ta có được hàm ΔL = f(h,D) có bậc theo h, và các hệ số có bậc theo D. Từ những lập luận trên ta có thể ứng dụng đa thức nội suy Lagrange tiến hành thành lập đa thức nội suy cho các đầu thu ESE nêu trên trong hai khoảng nội suy là: - Khoảng 1: xét từ hmin đến hm ta có hàm ΔL= ΔL1=f1(h,D); - Khoảng 2: xét từ hm đến hmax ta có hàm ΔL= ΔL2=f2(h,D). II. KẾT QUẢ ỨNG DỤNG ĐA THỨC NỘI SUY LAGRANGE TIẾN HÀNH LẬP ĐA THỨC NỘI SUY 1. Kết quả nội suy hàm ΔL = f(h,D) của đầu thu Pulsar 60
4. Trong khoảng nội suy 1, hàm ΔL1=f1(h,D) có bậc 3 theo h, và các hệ số là hàm bậc 3 theo D tổng quát như sau: 3 2 ΔL1=f1(h,D) = A1*h + B1*h + C1*h + D1 (3) Với các hệ số xác định như sau: 3 2 A1= (-7.78629629629603e-06)*D + 0.000148409259259218*D + 0.0199368333333353*D - 0.637193333333360 3 2 B1=(9.60705555555435e-05)*D - 0.00403263611110957*D - 0.0673472500000591*D +4.78478500000071 3 2 C1= -0.000369199814814784*D + 0.0223822712962927*D - 0.267762249999873*D + 5.18186833333206 3 2 D1= 0.000309256666666669*D - 0.0149856500000005*D - 0.0820951666666350*D +1.78300999999945 Trong khoảng 2, hàm ΔL2=f2(h,D) có bậc 2 theo h, và các hệ số là hàm bậc 3 theo D tổng quát như sau: 2 ΔL2=f2(h,D) = A2*h + B2*h + C2 (4) Với các hệ số xác định như sau: 3 2 A2= (2.57170033670018e-08)*D + (1.59571296296311e-06)*D - 0.000366441893939398*D + 0.0112756196969697 3 2 B2=(-6.47443602693506e-07)*D - 0.000132245787037048*D + 0.0165299473484853*D - 0.419717825757581 3 2 C2= -0.000105671262626256*D + 0.0152822972222215*D - 0.685972189393908*D + 69.4795086363630 Dựa vào các hàm nội suy vừa tìm được, ta tiến hành tính toán có được bảng số liệu giá trị độ lợi khoảng cách ΔL và bán kính bảo vệ đáy Rp tương ứng như sau: Bảng 5: Số liệu tính toán ΔL của đầu thu Pulsar 60 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV Sai Sai Sai Sai h(m) ΔL- ΔL- ΔL- ΔL- số số số số TT(m) TT(m) TT(m) TT(m) (%) (%) (%) (%) 2 16.7151 0 14.8219 0 13.7282 0 12.8011 0 3 30.9215 0 28.5918 0 27.4224 0 26.4523 0 4 45.9697 0 43.7360 0 43.1190 0 43.4650 0 5 60.4114 0 59.5600 0 59.9238 0 60.3079 0 6 60.3169 0.14 59.5262 1.2 59.9251 0.64 60.2705 0.79 8 60.1567 0.42 59.4731 0.44 59.9299 1.25 60.1993 0.94
5. 10 60.0347 0.68 59.4394 1.34 59.9375 0.11 60.1328 0.35 15 59.8976 0.43 59.4394 1.35 59.9692 0.65 59.9871 0.36 20 60.0000 0 59.5600 0 60.0190 0 59.8708 0 45 64.1051 0.45 61.9729 1.19 60.5382 0.9 59.7308 0.35 60 69.4427 0 64.8683 0 61.0660 0 60.0000 0 Bảng 6: Số liệu tinh toán Rp của đầu thu Pulsar 60 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV Sai Sai Sai Sai h(m) Rp-TT Rp-TT Rp-TT Rp-TT số số số số (m) (m) (m) (m) (%) (%) (%) (%) 2 32 0 35 0 40 0 44 0 3 48 0 52 0 59 0 65 0 4 64 0 69 0 78 0 87 0 5 79 0 86 0 97 0 107 0 6 79.0873 0.11 86.2493 0.86 97.4078 0.42 107.4662 0.49 8 79.2534 0.32 86.7262 0.31 98.1900 0.82 108.3691 0.58 10 79.4075 0.52 87.1746 0.94 98.9287 0.07 109.2332 0.21 15 79.7410 0.32 88.1726 0.93 100.5909 0.41 111.2291 0.21 20 80 0 89 0 102 0 113 0 45 80.3036 0.38 90.7415 0.82 105.5382 0.51 118.7875 0.18 60 80 0 90 0 105 0 120 0 2. Kết quả nội suy hàm ΔL = f(h,D) của đầu thu Ellips 1.3 Trong khoảng nội suy 1, hàm ΔL1=f1(h,D) có bậc 3 theo h, và các hệ số là hàm bậc 3 theo D tổng quát như sau: 3 2 ΔL1=f1(h,D) = A1*h + B1*h + C1*h + D1 (5) Với các hệ số xác định như sau: 3 2 A1= -0.000105611111111111*D + 0.0128349444444444*D -0.483041111111111*D + 4.95808333333333 3 2 B1= 0.00120124722222222 *D - 0.147034486111111*D + 5.60025458333332*D - 58.5793749999999 3 2 C1= -0.00425049722222221*D + 0.522291347222221*D -20.0289476388888*D + 223.239741666666 3 2 D1= 0.00452336555555555*D -0.555288127777778*D + 21.2419218333333*D - 236.829410000000 Và hàm ΔL2=f2(h,D) có bậc 2 theo h, và các hệ số là hàm bậc 3 theo D tổng quát như sau: 2 ΔL2=f2(h,D) = A2*h + B2*h + C2 (6)
6. Với các hệ số xác định như sau: 3 2 A2= (4.98271043771036e-08)*D – (7.26601936026924e-06) *D + 0.000212287045454541*D+ 0.00232794393939399 3 2 B2= (-7.87486279461287e-06)*D + 0.00126282752104378*D - 0.0588472428030305*D + 0.713918734848487 3 2 C2= 0.000138799747474740*D - 0.0214579760101001*D + 1.01233837121210*D + 31.0175477272729 Dựa vào các hàm nội suy vừa tìm được, ta tiến hành tính toán có được bảng số liệu giá trị độ lợi khoảng cách ΔL và bán kính bảo vệ đáy Rp tương ứng như sau: Bảng 7: Số liệu tính toán ΔL của đầu thu Ellips 1.3 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV Sai Sai Sai Sai h(m) ΔL-TT ΔL-TT ΔL-TT ΔL-TT số số số số (m) (m) (m) (m) (%) (%) (%) (%) 2 10.8058 0 9.5980 0 8.6004 0 8.2642 0 3 21.6293 0 19.0918 0 18.7809 0 17.8332 0 4 33.4509 0 32.6498 0 31.8505 0 31.2140 0 5 43.7887 0 45.2728 0 45.3383 0 44.6231 0 10 43.9892 0.46 44.8976 0.38 44.9935 0.19 44.7398 0.07 20 45.0000 0 44.6726 0 44.5600 0 44.9238 0 60 57.1751 0 50.7775 0 46.2414 0 45.0000 0 Bảng 8: Số liệu tính toán Rp của đầu thu Ellips 1.3 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV Sai Sai Sai Sai h(m) Rp-TT Rp-TT Rp-TT Rp-TT số số số số (m) (m) (m) (m) (%) (%) (%) (%) 2 25 0 28 0 32 0 36 0 3 38 0 41 0 48 0 53 0 4 51 0 57 0 65 0 72 0 5 62 0 71 0 81 0 89 0 10 63.2030 0.32 72.1779 0.25 82.9086 0.11 92.0349 0.04 20 65 0 74 0 86 0 97 0 60 66 0 75 0 90 0 105 0 3. Kết quả nội suy hàm ΔL = f(h,D) của đầu thu Pulsar 30 Trong khoảng nội suy 1, hàm ΔL1=f1(h,D) có bậc 3 theo h, và các hệ số là hàm bậc 3 theo D tổng quát như sau: 3 2 ΔL1=f1(h,D) = A1*h + B1*h + C1*h + D1 (7) Với các hệ số xác định như sau:
7. 3 2 A1= (-4.25479629629631e-05)*D + 0.00420623425925927*D - 0.117743916666667*D + 0.795018333333335 3 2 B1= 0.000423973888888891*D - 0.0412815861111114*D + 1.13051391666668*D - 6.58458500000008 3 2 C1= -0.00127911037037036*D + 0.121292974074073*D - 3.17259066666663*D + 21.3647066666661 3 2 D1= 0.00123408333333334*D - 0.114155250000001*D + 2.80140416666671*D - 16.3379500000004 Và hàm ΔL2=f2(h,D) có bậc 2 theo h, và các hệ số là hàm bậc 3 theo D tổng quát như sau: 2 ΔL2=f2(h,D) = A2*h + B2*h + C2 (8) Với các hệ số xác định như sau: 3 2 A2= (2.10463804713806e-07)*D – (2.02794149831651e-05) *D + 0.000339906186868692*D+ 0.00635829545454539 3 2 B2= (-1.75488543771043e-05)*D + 0.00196717278198652*D - 0.0600578991161613*D + 0.367190613636359 3 2 C2= 0.000201866010101012*D - 0.0232796285353539*D + 0.775101007575763*D + 23.2533395454544 Dựa vào các hàm nội suy vừa tìm được, ta tiến hành tính toán có được bảng số liệu giá trị độ lợi khoảng cách ΔL và bán kính bảo vệ đáy Rp tương ứng như sau: Bảng 9: Số liệu tính toán ΔL của đầu thu Pulsar 30 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV Sai Sai Sai Sai h(m) ΔL-TT ΔL-TT ΔL-TT ΔL-TT số số số số (m) (m) (m) (m) (%) (%) (%) (%) 2 6.1725 0 5.6090 0 4.7393 0 4.4050 0 3 12.7567 0 12.6380 0 11.6392 0 10.8025 0 4 21.2311 0 21.1077 0 19.6607 0 19.9062 0 5 30.2892 0 30.4152 0 29.6257 0 29.8109 0 6 30.1757 0.59 30.3211 1.04 29.6721 0.92 29.8572 0.48 8 29.9891 1.51 30.1569 0.03 29.7635 2.94 29.9449 4.22 10 29.8564 0.51 30.0246 1.26 29.8531 0.5 30.0264 0.37 15 29.7600 1.62 29.8334 0.25 30.0688 0.57 30.2022 0.51 20 30.0000 0 29.8415 0 30.2728 0 30.3383 0 45 36.2464 0.96 32.8719 3.22 31.1181 3.73 30.4243 0.56 60 44.0312 0 37.0820 0 31.4853 0 30.0000 0
8. Bảng 9: Số liệu tính toán Rp của đầu thu Pulsar 30 Cấp I Cấp II Cấp III Cấp IV Sai Sai Sai Sai h(m) Rp-TT Rp-TT Rp-TT Rp-TT số số số số (m) (m) (m) (m) (%) (%) (%) (%) 2 19.0000 0 22.0000 0 25.0000 0 28.0000 0 3 28.0000 0 33.0000 0 38.0000 0 42.0000 0 4 38.0000 0 44.0000 0 50.0001 0 57.0000 0 5 48.0000 0 55.0000 0 63.0000 0 71.0000 0 6 48.1830 0.38 55.3411 0.62 63.6783 0.50 71.8214 0.25 8 48.5274 0.97 55.9898 0.02 64.9660 1.57 73.3900 2.15 10 48.8432 0.32 56.5946 0.71 66.1664 0.25 74.8649 0.18 15 49.5082 0.98 57.9227 0.13 68.8137 0.27 78.1757 0.23 20 50.0000 0 59.0000 0 71.0000 0 81.0000 0 45 50.3851 0.77 61.0563 1.76 76.1181 1.49 89.1715 0.19 60 50.0000 0 60.0000 0 75.0000 0 90.000 0 Các loại đầu thu của các hãng khác nhau có thông số Δtgiống nhau có giá trị Rp thực nghiệm và thông số ΔL được tính bằng công thức (2) tương đương nhau. Dựa vào các hàm nội suy vừa tìm được, ta có thể tiến hành tính toán có được bảng số liệu giá trị độ lợi khoảng cách ΔL và bán kính bảo vệ đáy Rp tương ứng cho các loại đầu thu khác có cùng thông số ΔL. III. KẾT LUẬN Qua số liệu đã cho và kết quả tính toán thu được ta có thể kết luận rằng đa thức tìm được thỏa mãn yêu cầu sai số và quy luật thay đổi của giá trị thực nghiệm, trong thực tế ta có thể chọn phương pháp nội suy Lagrange với các khoảng nội suy và bậc của các hàm nội suy thích hợp để có được kết quả nội suy sát với thực tế nhất. Với các đa thức nội suy của các loại đầu thu ESE tìm được ở trên, hoàn toàn có thể xây dựng được một phần mềm tính toán giá trị thực nghiệm ΔL của các loại đầu thu ESE. TÀI LIỆU THAM KHẢO [1]. Hồ Văn Nhật Chương, Phạm Đình Anh Khôi, Giải tích hoá đường thực ngiệm độ lợi khoảng cách (∆L) theo khoảng cách phóng điện và độ cao thu lôi của loại đầu thu sét phát xạ sớm (ESE), Kỷ yếu Hội nghị Khoa học & Công nghệ lần thứ 8, Trường Đại học Bách Khoa Tp. Hồ Chí Minh, 2002
9. [2]. Hồ Văn Nhật Chương, Phạm Đình Anh Khôi, Ứng dụng mô hình điện hình học khảo sát phạm vi bảo vệ của các loại đầu thu sét phát xạ sớm (ESE), Kỷ yếu Hội nghị Khoa học & Công nghệ lần thứ 8, Trường Đại học Bách Khoa Tp. Hồ Chí Minh, 2002 [3]. Tiêu chuẩn NF C 17-107, Pháp, 2011. [4]. Ufuk Candar Foya, Protection of Structures Against Lightning, Middle East Technical University, 2004. [5]. QCVN 32:2011/BTTTT, Bộ Thông tin truyền thông, 2011. [6]. Prof. Dr Eng. Christian Bouquegneau, Lightning Protection IEC EN 62305 Standard, 2011. [7]. Designing to the IEC 62305 Series of Lightning Protection Standards,ERITECH® Lightning Protection Handbook, Erico®, 2009. [8]. Bảng số liệu thông số bảo vệ của đầu thu Pulsar, hãng Helita (Pháp). [9]. Bảng số liệu thông số bảo vệ của đầu thu Ellips, hãng LPS (Pháp). [10]. Bảng số liệu thông số bảo vệ của đầu thu Satelit, hãng Duval Messien (Pháp) [11]. Bảng số liệu thông số bảo vệ của đầu thu Saint Elme, hãng Franklin France (Pháp). [12]. Bảng số liệu thông số bảo vệ của đầu thu Max-Ion, hãng Maxion (Anh). [13]. Bảng số liệu thông số bảo vệ của đầu thu Schirtec, hãng Schirtec (Áo). [14]. Bảng số liệu thông số bảo vệ của đầu thu Stormaster, hãng LPI (Úc). Thông tin liên hệ: Họ tên: Nguyễn Trần Hoàng Vũ Đơn vị: Trường Cao đẳng Cộng đồng Sóc Trăng Điện thoại: 0977547476 Email: nthvu@stcc.edu.vn
10. BÀI BÁO KHOA HỌC THỰC HIỆN CÔNG BỐ THEO QUY CHẾ ĐÀO TẠO THẠC SỸ Bài báo khoa học của học viên có xác nhận và đề xuất cho đăng của Giảng viên hướng dẫn Bản tiếng Việt ©, TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH và TÁC GIẢ Bản quyền tác phẩm đã được bảo hộ bởi Luật xuất bản và Luật Sở hữu trí tuệ Việt Nam. Nghiêm cấm mọi hình thức xuất bản, sao chụp, phát tán nội dung khi chưa có sự đồng ý của tác giả và Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh. ĐỂ CÓ BÀI BÁO KHOA HỌC TỐT, CẦN CHUNG TAY BẢO VỆ TÁC QUYỀN! Thực hiện theo MTCL & KHTHMTCL Năm học 2016-2017 của Thư viện Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp. Hồ Chí Minh.