Đồ án Nghiên cứu, thiết kế, chế tạo hệ thống xử lý nấm mốc từ các hạt cari bằng công nghệ plasma lạnh (Phần 1)

Nội dung text: Đồ án Nghiên cứu, thiết kế, chế tạo hệ thống xử lý nấm mốc từ các hạt cari bằng công nghệ plasma lạnh (Phần 1)

1. BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCM KHOA CƠ KHÍ CHẾ TẠO MÁY ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGÀNH CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO MÁY NGHIÊN CỨU, THIẾT KẾ, CHẾ TẠO HỆ THỐNG XỬ LÝ NẤM MỐC TỪ CÁC HẠT CARI BẰNG CÔNG NGHỆ PLASMA LẠNH GVHD: ThS. THÁI VĂN PHƯỚC SVTH: NGUYỄN NGỌC LONG MSSV: 11943013 SVTH: NGUYỄN HỒNG QUỲ MSSV: 11943021 SVTH: NGUYỄN TRƯỜNG PHƯỚC MSSV: 11943019 S K L 0 0 4 2 2 5 Tp. Hồ Chí Minh, tháng 1/2016
2. TR NG I H C S PH M K THU T TP. HCM CNG HOÀ XÃ H I CH NGH A VI T NAM KHOA C Ơ KHÍ CH TO MÁY c l p - T do – Hnh phúc B MÔN CÔNG NGH CH TO MÁY NHI M V ÁN T T NGHI P Sinh viên: MSSV: Khóa: 2011-2015 Ngành ào t o: C khí ch to máy H: Chính quy 1. Tên đề tài: Nghiên c u, thi t k và ch to máy x lý n m mc t các h t t o b t cari b ng công ngh plasma l nh 2. Các s ố li ệu, tài li ệu ban đầu: - Nng su t 10kg/m , th i gian x lý 20 phút; - Kích th ưc h t cari: 5÷30 mm; - Nhi t máy x lý 70 0C; - S dng ngu n in 220V. 3. Nội dung chính c ủa đồ án: - Tìm hi u v quy trình s n xu t b t cari; - Ph ư ng pháp t o ozone b ng Plasma nhi t th p; - Thi t k , ch to mô hình x lý n m m c trên h t cari bng ozone ng d ng công ngh Plasma l nh; - Thí nghi m và t i ưu quy trình v n hành. 4. Ngày giao đồ án: 5. Ngày n ộp đồ án: TR NG B MÔN GI NG VIÊN H NG D N (Ký, ghi rõ h tên) Ký, ghi rõ h tên) i
3. LI CAM KT Tên tài: “Nghiên c u, thi t k - ch to h th ng x lý n m móc t các h t cari bng công ngh plasma l nh” GVHD: ThS. Thái V n Ph ưc H tên sinh viên: Nguy n Ng c Long MSSV 11943013 Nguy n H ng Qu MSSV 11943021 Nguy n Tr ưng Ph ưc MSSV 11943019 Lp: 119430A Khóa: 2011-1016 - S in tho i liên l c: 0966516245 - Email : longnguyendl1993@gmail.com - Li cam k t: “Chúng tôi xin cam oan án t t nghi p này là công trình do chính chúng tôi nghiên c u và th c hi n. Chúng tôi không sao chép t bt k mt bài vi t nào ã ưc công b mà không trích d n ngu n g c.Các s li u, k t qu nêu trong lu n v n là trung th c và ch ưa t ng ưc ai công b trong b t k công trình nào khác n u có b t k mt s vi ph m nào, chúng tôi xin ch u hoàn toàn trách nhi m”. Tp. H Chí Minh, ngày 09 tháng 12 nm 2015 Thay m t nhóm sinh viên Ký tên Nguy n Ng c Long Nguy n H ng Qu Nguy n Tr ng Ph c ii
4. LI C M ƠN Trong th i gian th c hi n lu n v n “ Nghiên c u, thi t k , ch to h th ng x lý n m móc t các h t cari b ng công ngh plasma l nh.”, chúng tôi ã nh n ưc nhi u s giúp ca quý th y, cô, gia ình và b n bè. V y nay tôi: - Xin g i l i cám n chân thành nh t n th y ThS. Thái V n Ph c ã h t lòng giúp và hưng d n t n tình cho chúng tôi nh ng ki n th c th c t quan tr ng và d n hưng cho quá trình th c hi n án t t nghi p c a mình. ng th i ã cung c p cho chúng tôi nh ng tài li u r t c n thi t liên quan n tài. Th y ã dành nhi u th i gian quí báu ca mình hưng d n chúng tôi. - Chúng tôi c ng không quên cám n n quí th y cô trong Tr ưng i H c S ư Ph m K Thu t TP HCM ã t n tình d y d , truy n t cho chúng tôi nh ng ki n th c nn t ng và c b n trong th i gian qua chúng tôi có nh ng ki n th c quan tr ng, v ng ch c cho nh ng l p lu n c a mình trong án t t nghi p này. Mt l n n a, xin chân thành c m n ! Thay m t nhóm sinh viên Nguy n Ng c Long iii
5. MC L C NHI M V ÁN T T NGHI P i LI CAM K T ii LI C M ƠN iii MC L C 1 DANH M C B NG BI U 3 DANH M C S Ơ , HÌNH V 4 DANH M C T VI T T T 5 CH Ơ NG 1: GI I THI U 6 1.1. Tính c p thi t c a tài 6 1.2. Mc tiêu nghiên c u tài 7 1.3. i t ưng và ph m vi nghiên c u 7 1.3.1. i t ưng nghiên c u 7 1.3.2. Ph m vi nghiên c u 7 1.4. Các ph ư ng pháp nghiên c u c th 8 1.5. C s ph ư ng pháp lu n 8 1.6. Kt c u án t t nghi p ( ATN): ATN g m 6 ch ư ng: 8 Ch ư ng 2: T NG QUAN NGHIÊN C U 9 2.1 Tng quan v ht cari 9 2.2 Tng quan v plasma l nh. 12 2.1.1 Gi i thi u 12 2.1.2 Thí nghi m 14 2.1.2.1 Mô hình x lý n m men b ng công ngh Plasma 14 2.2.1.1 Ti n hành thí nghi m. 16 2.3.1 Kt qu và th o lu n. 18 2.3.2 Kt lu n. 21 2.3 Tng quan v máy tr n. 22 2.3.1 Máy khu y tr n s n ph m r i. 22 2.3.1.1 Máy tr n thùng quay ki u thùng nghiêng. 22 2.3.1.2 Máy tr n ki u thùng kép ( ki u ch V). 23 2.3.1.3 Máy tr n ki u thùng ngang. 23 1
6. 2.3.2 Máy tr n có b ph n quay. 25 Ch ư ng 3: PHÂN TÍCH L A CH N A RA PH Ơ NG ÁN THI T K 28 3.1 Yêu c u k thu t i v i máy và thi t b . 28 3.2 La ch n ph ư ng án thi t k . 29 3.2.1 Gi i thi u các ph ư ng án thi t k . 29 3.2.1.1 Máy tr n cánh gu ng xo n. 29 3.2.1.2 Máy tr n ki u vít ng. 30 3.2.1.3 Máy tr n ki u vít ngang. 31 3.2.1.4 Máy tr n ki u tr c cán 32 3.2.1.5 Máy tr n ki u thùng quay. 33 3.2.2 La ch n ph ư ng án thi t k . 34 Ch ư ng 4: TÍNH TOÁN, THI T K 35 4.1 Kích th ưc thùng. 35 4.2 B dày thùng. 36 4.3 Tính công su t c n thi t. 37 4.4 Tính toán h th ng truy n ng. 38 4.5 Thi t k tr c chính. 40 4.6 Tính m i ghép gi a tr c và thùng tr n 53 Ch ư ng 5: ÁNH GIÁ TH C NGHI M 56 Ch ư ng 6: K T LU N 57 TÀI LI U THAM KH O 58 NH N XÉT ÁN TT NGHI P 59 NH N XÉT ÁN TT NGHI P 60 PHI U CHO IM 61 2
7. DANH M C B NG BI U Bng 1 Thông s ng noozle 16 Bng 2 Ch n ng c 38 3
8. DANH M C S Ơ , HÌNH V Hình 1.1.1 Quy trình s n xu t b t cari 6 Hình 2.1.1 Quy trình s n xu t b t cari 10 Hình 2.1.2 Các h t t o b t cari 11 Hình 2.2.1 nh h ưng các g c oxy hóa b t cao HO *,O * lên c u trúc phân t t bào, vi khu n 13 Hình 2.2.2 nh h ưng c a tia UV lên c u trúc DNA 14 Hình 2.2.3 nh th c t ca mô hình. 15 Hình 2.2.4 Quá trình x lý. 15 Hình 2.2.5 Mô hình x lý n m men b ng công ngh plasma (a), ng th y tinh và a petri ưc phóng l n (b). 16 Hình 2.2.6 Sơ di chuy n c a b ph n mang a (4). 17 Hình 2.2.7 nh ch p a petri sau khi x lý plasma. 17 Hình 2.2.8 nh h ưng c a t c n b rng vùng x lý. 18 Hình 2.2.9 nh h ưng c a dòng in u vào n b rng vùng x lý. 19 Hình 2.2.10 nh h ưng c a in áp u vào n b rng vùng x lý. 20 Hình 2.2.11 nh h ưng ca l ưu l ưng khí Ar n b rng x lý. 21 Hình 2.3.1 máy tr n thùng quay ki u thùng nghiên 22 Hình 2.3.2 Máy tr n ki u ch V VM-500. 23 Hình 2.3.3 Máy tr n ki u thùng ngang. 23 Hình 2.3.4 Mt s ki u thùng tr n. 24 Hình 2.3.5 Máy tr n ki u thùng ngang 26 Hình 2.3.6 Cu t o bên trong c a máy tr n TB- 1A 27 Hình 3.2.1 Máy tr n cánh gu ng xo n. 30 Hình 3.2.2 Máy tr n ki u vít ng. 31 Hình 3.2.3 Máy tr n ki u vít ngang. 31 Hình 3.2.4 Máy tr n ki u tr c cán. 32 Hình 3.2.5 Máy tr n ki u thùng quay 33 4
9. DANH M C T VI T T T 5
10. CH Ơ NG 1: GI I THI U 1.1. Tính c p thi t c a tài Nh ư chúng ta ã bi t thì hi n nay b t cà ri là m t trong nh ng lo i gia v không th thi u trong c n b p c a h u h t các gia ình Vi t Nam, b i t bt cà ri chúng ta có th làm ra nhi u món n ngon và có l i cho s c kh o con ng ưi nh ư: Bò hm cà ri, chân gà nu cà ri th t bò xào ln, tôm nu cà ri , bánh gi cà ri gà , bánh khoai tây v cà ri, Bt cà ri là mt lo i gia v ưc tng hp t nhi u lo i ht nguyên li u khác nhau thông qua mt quy trình nh ư sau: Hình 1.1.1 Quy trình s n xu t b t cari ó là m t quy trình mà hi n nay a s các c s sn xu t b t cà ri ang áp d ng. Tuy nhiên m t v n luôn t ra i v i các c s hay công ty s n xu t b t cà ri hi n nay ó là vi c làm sao m b o ch t l ưng h t cà ri hay ki m soát s lưng vi khu n có trong b t 6
11. cà ri thành ph m kéo dài th i gian b o qu n cho s n ph m sau khi xu t x ưng, b i n u theo quy trình trên thì th i gian b o qu n c a b t cà ri ch kho ng 2 tháng. gi i quy t v n trên thì m i công ty hay c s sn xu t có nh ng bi n pháp khác nhau. Trong ó có hai bi n pháp ph bi n ó là s dng gói hút m và tia UV làm tng th i gian b o qu n tuy nhiên 2 ph ư ng pháp này có m t h n ch rt l n ó là nó gây nh h ưng t i s c kh e con ng ưi n u s dng trong th i gian dài. Mà i v i m t lo i th ưc ph m tiêu dùng thì vi c làm nh h ưng t i s c kh o con ng ưi là m t iu khó ch p nh n ưc, c bi t là trong v n xu t kh u b t cà ri ra n ưc ngoài thì y th c s là m t tr ng i l n. Vy thì làm sao nâng cao ch t l ưng, kéo dài th i gian b o qu n cho b t cà ri mà không làm nh h ưng n s c kh e ng ưi tiêu dùng, chúng ta có th an tâm khi s dng bt cà ri ch bi n nh ưng món ngon và an toàn cho gia ình, và sn ph m b t cà ri c a Vi t Nam có th xu t kh u ra n ưc ngoài. ó là m t v n mà chúng tôi ã tr n tr rt nhi u và quy t tâm nghiên cu tìm ra gi i pháp. Trong quá trình nghiên c u thì chúng tôi phát hi n ra m t công ngh có th gi i quy t ưc nh ng v n trên, m t công ngh mà hiên nay ang d n ưc ph bi n trong ngành th c ph m trên th gi i, tuy nhiên Vi t Nam thì vi c ng dng công ngh này còn rt h n ch .ó là công ngh Plasma l nh. Khi bi t công ngh plasma l nh có th di t khu n chúng tôi ã ti n hành làm r t nhi u thí nghi m th c nghi m ch ng minh tính hi u qu ca công ngh plasma l nh i vi b t cà ri và k t qu ca nh ưng thí nghi m ó ã kh ng nh công ngh plasma l nh có th di t vi khu n, n m móc trong các h t t o b t cà ri, t ó nâng cao ch t l ưng, và th i gian b o qu n cho b t cà ri thành ph m mà không làm nh h ưng n s c kh o con ng ưi. Vì v y chúng tôi ã quy t nh th c hi n tài “Nghiên c u, thi t k , ch to máy x lí vi khu n trong h t t o b t cà ri b ng công ngh ph m l nh”. 1.2. Mc tiêu nghiên c u tài Nghiên c u, thi t k và ch to máy x lý n m móc t các h t cari b ng công ngh plasma l nh, m b o các yêu c u k thu t ( chính xác, d vn hành .) hi u qu kinh t ( nng su t, giá thành s n ph m ) không c h i, không gây ô nhi m môi tr ưng và phù h p vi công ngh sn xu t trong n ưc. 1.3. i t ng và ph m vi nghiên c u 1.3.1. i t ng nghiên c u Nghiên c u, thi t k và ch to máy x lý n m móc t các h t cari b ng công ngh plasma l nh. 1.3.2. Phm vi nghiên c u Các tài li u, sách, giáo trình có lien quan, tìm hi u th c t các c s sn xu t, các nhà máy, xí nghi p 7
12. Các ph ư ng pháp tính toán,thi t k và ch to các chi ti t hay c m chi ti t theo nguyên lý và các thông s c b n 1.4. Các ph ơ ng pháp nghiên c u c th - Tham kh o và t ng h p tài li u t các ngu n khác nhau; - Ti n hành th c nghi m trên mô hình th c t ca nhóm; - Theo dõi, ánh giá nh n xét các s li u th c nghi m; - X lý s li u, tính toán và vi t báo cáo. 1.5. Cơ s ph ơ ng pháp lu n tài th c hi n trong ph m vi t ư ng i h p, ch ưa th ng d ng ưc trong th c t nu không có s nghiên c u và u t ư thêm nh ưng qua ó nhóm c ng ã th c hi n ưc mc tiêu mà mình ã h ưng n ó là ng d ng nh ng iu ã ưc h c và nghiên c u gi i quy t m t v n trong th c ti n c a cu c s ng. M t khác trong m t ph m vi nh t nh thì t p án này có th coi nh ư m t tài li u tham kh o, h c t p cho nh ng sinh viên trong nghành k thu t. 1.6. Kt c u án t t nghi p ( ATN): ATN g m 6 ch ơ ng: Ch ư ng 1: Gi i thi u: Gi i thi u chung v tài. Ch ư ng 2: Tng quan nghiên c u tài. Ch ư ng 3: Phân tích l a ch n ư a ra ph ư ng án thi t k . Ch ư ng 4: Tính toán, thi t k. Ch ư ng 5: ánh giá th c nghi m. Ch ư ng 6: Kt lu n. 8
13. Ch ơ ng 2: T NG QUAN NGHIÊN C U 2.1 Tng quan v ht cari Bt cà ri là m t h n h p gia v ca r t nhi u thành ph n khác nhau nh ư: bt ngh , t bt, h t ngò, màu iu, qu , ti u h i, i h i, inh h ư ng, h t mù t t, thìa là, lá th m . ưc phát tri n b i ng ưi Anh trong th i k n thu c Anh.Nó ưc s dng nhi u trong trong m th c c bi t là trong m th c Á châu. Mt s món n không th thi u b t cà ri nh ư: + Bò hm cà ri nưc ct da. + Chân gà nu cà ri. + Th t bò xào ln. + Tôm nu cà ri cc ngon. + Bánh gi cà ri gà. + Bánh khoai tây v cà ri. 9
14. QUY TRÌNH S N XU T B T CÀ RI Hình 2.1.1 Quy trình s n xu t b t cari 10
15. 1. Nguyên li u. Hn 30 lo i gia v ưc s dng trong b t cà ri ưc thu nh n t kh p n i trên th gi i: n , Nam M , và châu Âu. Và b i vì các thành ph n cung c p cho b t màu s c, hư ng th m và v cay khác nhau tùy thu c vào qu c gia xu t x và mùa thu ho ch, các lo i gia v ưc b vào b t ph i ưc iu ch nh liên t c. Hình 2.1.2 Các h t t o b t cari Các gia v chính dùng trong s n xu t b t cà ri là: b t ngh , t b t, h t ngò, màu iu, qu , ti u h i, i h i, inh h ư ng, h t mù t t, thìa là, lá th m. 2. Rang. Các lo i gia v sau khi nh p vào nhà máy ưc rang hoàn toàn trong ng n l a nhi t 100°C lo i b m. M c ích c a công on này h ư ng th m c bi t c a các lo i gia v ưc sinh ra, c bi t là v cay c tr ưng c a cà ri ưc hình thành rõ r t. 3. Nghi n. Tng lo i gia v sau khi rang ưc nghi n riêng r vi nhau b ng máy nghi n.M c ích c a nghi n là giúp cho các lo i gia v b nghi n m n d dàng ph i tr n v i nhau và m b o tính c m quan c a s n ph m, m b o tính ng nh t. 4. Sàng. Ti p theo, các lo i gia v t yêu c u i qua m t cái máy v i m t m ng l ưi ưc g i là “sàng”. M c ích c a công on này là m b o các h t gia v làm b t cà ri ph i có ng kích th ưc. 5. Ph i tr n. 11
16. Tng lo i gia v ưc nh l ưng và ph i tr n v i nhau theo t l nh t nh. Th ưng t l này là: 10g i h i, 10g inh h ư ng, 20g h t mùi khô, 50g ngh bt, 10g qu chi, 20g t khô. 6. óng gói. Sn ph m ph i tr i qua ki m tra toàn di n b ng máy dò kim lo i và X-quang. Sau khi vưt qua các ki m tra nghiêm ng t, hn h p này ưc óng gói. 7. Thành ph m. Bt cà ri s mt i h ư ng v th m ngon sau kho ng 2 tháng k t ngày s n xu t. Vì vy ây là lo i gia v có th i h n b o qu n t ư ng i ng n. 2.2 Tng quan v plasma l nh. Ph ư ng pháp kh khu n y t hi n nay là dung hóa ch t và nhi t , tuy nhiên các ph ư ng pháp này có nhi u nh ưc im. c th vi c dung nhi u hóa ch t s gây ô nhi m môi tr ưng và nh h ưng n s c kh e con ng ưi, th i gian x lý kéo dài; còn i v i x dng nhi t cao ch phù h p v i các d ng c ch u nhi t. do v y, trong nghiên c u này mô hình x lý d ng c y t bng công ngh plasma l nh ưc thi t k và ch to kh c ph c nh ưc im trên. u im c a mô hình là s dng tr c ti p tia plasma x lý nên gi m ưc th i gian x lý, không gây ô nhi m. mô hình s dng khí argon t o ra môi tr ưng plasma và kh o sát kh nng kh khu n trên n m mem- saccharomyces cerevisiae. Qua k t qu thí nghi m cho th y r ng plasma l nh có kh nng tiêu di t n m men, hi u qu x lý ph thu c ln vào th i gian x lý ( t c < 700mm/ph ); các y u t to plasma g m in áp, dòng in, l ưu l ưng khí không nh h ưng nhi u n hi u su t x lý. Tuy nhiên, m b o s n nh và ti t ki m n ng l ưng, mô hình x lý ã ưc s dng 100V, 2A, 71/ph khí Ar và t c x lý 400mm/ph. T khóa: plasma nhi t th p, x lý n m men, d ng c y t , khí Argon. 2.1.1 Gi i thi u Ti m i b nh vi n d ng c y t (d ng c tái s dng) sau khi s dng ph i ưc làm sch và chuy n sang khoa ch ng nhi m khu n. t i ây các d ng c y t ch yu ưc x lý theo hai ph ư ng pháp: ưc ngâm trong các dung d ch hóa ch t li u cao ho c ưc h p ưt nhi t cao (121 0C)- ph ư ng pháp nhi t. nh ưc im l n c a các ph ư ng pháp trên ph i x lý l i các dung d ch hóa ch t, tránh gây ô nhi m môi tr ưng, vi c s dng các ch t có nng cao gây nh h ưng s c kh e n các cán b làm vi c trong khoa. i v i ph ư ng pháp nhi t, tr ưc m i m x lý òi h i ph i có công on phân lo i các lo i d ng c ch u nhi t và không ch u nhi t gây t n kém. gi i quy t các nh ưc im trên, các n ưc tiên ti n trên th gi i ã áp d ng công ngh plasma l nh to ra môi tr ưng Ozone n ng cao nh m tiêu di t vi khu n ( các thi t b AutoSterpack series 6). Tuy nhiên, v n ch ưa có nghiên c u nào ánh giá kh nng 12
17. kh khu n b ng vi c s dng tr c ti p tia plasma lên vi khu n. trong bài vi t này tác gi ư a ra m t mô hình x lý m i, x lý tr c ti p b ng tia plasma nhi t th p. Hình 2.2.1 nh h ưng các g c oxy hóa b t cao HO *,O * lên c u trúc phân t t bào, vi khu n Plasma là tr ng thái th tư c a v t ch t, ch a các ion d ư ng, electrons, nguyên t hay phân t khí trung tính, tia UV và các nguyên t , phân t tr ng thái kích thích. Plasma ch a m t l ưng n ng l ưng l n d ưi d ng ng n ng c a electrons, ions và n i n ng các h t trung tính b kích thích. Khi h ưng chùm plasma vào b mt c n x lý ( ch a n m móc, vi khu n) các electron, ion mang ng n ng l n s bn phá lên thành t bào ca n m móc, vi khu n làm cho thành t bào, các liên k t gi a các thành ph n trong t bào b phá v . trong quá trình ó, các tia plasma khi chi u lên b mt này s to ra các g c oxy hóa b t cao O *, HO * và các g c oxy hóa b t cao này s tác ng, phá v các c u trúc DNA và các phân t ca t bào vi khu n, virus n m móc. Bên c nh ó, tia UV s xu t hi n trong quá trình t o plasma c ng s gây c ch , phá h y c u trúc DNA, phá h y thành t bào c a vi khu n, virus, n m m c. 13
18. Hình 2.2.2 nh h ưng c a tia UV lên c u trúc DNA 2.1.2 Thí nghi m 2.1.2.1 Mô hình x lý n m men b ng công ngh Plasma Hình 5 mô t mô hình x lý n m men b ng công ngh Plasma. Mô hình g m: b ngu n cung c p in áp cao (1), bình khí Argon (2), ng nozzle t o Plasma (3), b ph n mang a petri (4), b ph n iu khi n (5), a petri ưc c y n m men (6). ng nozzle t o Plasma (3) c u t o t ng th y tinh và ưc g n hai in c c, in c c d ư ng (40kV, 2A, 40 kHz) làm t thanh ng t gi a ng th y tinh và v ngoài ưc làm b ng nhôm g n v i in c c âm. B ph n (4) ưc t o nên b i hai thanh tr ưt t vuông góc v i nhau, di chuy n nh hai ng c b ưc và ưc iu khi n b ng máy tính . 14
19. Hình 2.2.3 nh th c t ca mô hình. Hình 2.2.4 Quá trình x lý. 15
20. Hình 2.2.5 Mô hình x lý n m men b ng công ngh plasma (a), ng th y tinh và a petri ưc phóng l n (b). Bng 1 Thông s ng noozle ưng kính ngoài (mm) 25 ưng kính trong (mm) 19 Chi u dài ng (mm) 300 ưng kính u ng (mm) 10 ưng kính l n cc d ư ng (mm) 17 2.1.2.2 Ti n hành thí nghi m. Khí Ar t bình (2) ưc b m vào ng nozzle (3) gi a hai in c c, t i ây d ưi in áp và t n s cao (40kV, 2A, 40 kHz) di n ra quá trình kích thích, ion hóa theo các ph ư ng trình (1), (2), (3), (4), cu i ưng ng nozzle dòng khí tr thành chùm Plasma (xem hình 4). Chùm Plasma này ưc chi u tr c ti p lên a petri ( ã c y n m men) (6) ưc t trên b ph n (4) di chuy n theo hình 2.2.2.2.1, kt qu sau khi x lý thu ưc hình ch th p nh ư hình 2.2.2.2.2. Ion hóa: (1) + (2) 16
21. Hình 2.2.6 Sơ di chuy n c a b ph n mang a (4). Sau khi ưc chi u Plasma, các a petri ưc gi 370C trong 24 gi trong t vi sinh Memmert INB 400. Sau 24 gi kt qu x lý ưc tính b ng b rng (mm) c a vùng nm men không m c lên ưc do chi u Plasma Hình 2.2.7 nh ch p a petri sau khi x lý plasma. 17
22. S K L 0 0 2 1 5 4