Bài tập mạch điện tử I
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Bài tập mạch điện tử I", để tải tài liệu gốc về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Tài liệu đính kèm:
- bai_tap_mach_dien_tu_i.pdf
Nội dung text: Bài tập mạch điện tử I
- Bài tập mạch điện tử
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I MỘT SỐ BÀI TẬP MẪU CHO QUYỂN “Giáo trình mạch điện tử I” Chương I: DIODE BÁN DẪN. I. Diode bán dẫn thông thường: 1) Vẽ dạng sóng chỉnh lưu : (Bài 1-1 trang 29) iD Ri + - VD iL + RL VL Vs - Công thức tổng quát tính V L: VS − VD VL = R L R i + R L VD = 0,7V (Si) và V D = 0,2V (Ge) a- Vẽ V L(t) với V S(t) dạng sóng vuông có biên độ 10 và 1V V S VS 10 1 + + + + 0 2 3 4 t(ms) 0 1 2 3 4 t(ms) 1 - - - - -10 -1 VL1 VL2 8,37 0,27 0 1 2 3 4 t(ms) 0 1 2 3 4 t(ms) Kết quả với giả thiết: R i = 1 Ω, R L = 9 Ω, V D = 0,7V. Vì Diode chỉnh lưu chỉ dẫn điện theo một chiều nên: 1 ∗ Trong T > 0, Diode dẫn → i ≠ 0 → i ≠ 0 → V ≠ 0. 2 D L L 10 − 0,7 1− 0,7 V = 9 = ,8 37V và V = 9 = ,0 27V L1 1+ 9 L2 1+ 9 1 ∗ Trong T < 0 , Diode tắt → i D = 0 → i L = 0 → V L = 0. 2 Một số bài tập mẫu 1
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I b- Vẽ V L(t) với V S(t) dạng sóng sin có biên độ 10 và 1V . VS VS 10 1 + 2 + 3 0,7 2 3 t(ms) t(ms) 0 1 - - 4 0 1 4 -10 -1 VL1 VL2 9 0,27 t(ms) t(ms) 0 1 2 3 4 0 1 2 3 4 ∗ Khi V S = 10sin ωot nghĩa là V Sm = 10V >> V D =0,7V ta có: VSm 10 VL1 ≈ RL ≈ 9 = 9 Ri + RL 1+ 9 VL1 ≈ 9sin ω0 t 1 1 (Ta giải thích theo T > 0 và T 0,7V, Diode dẫn, i D ≠ 0, i L ≠ 0, V L ≠ 0. 1sin ω t − 0,7 V = 0 9 = 9,0 sin ω t − 6,0 L2 1 + 9 0 Tại sin ω0t = 1, |V L2 | = 0,27V. + VS 0 , Diode dẫn, R thD ≈ 0, dòng i L chảy qua R i, D, R L nên ta có: 2 VS − VD 10 − 0,7 3 VL1 = R L = 3 3 .9. 10 = ,8 37V R i + R L 10 + .9 10 VS − VD 1 − 0,7 3 VL2 = R L = 3 3 .9. 10 = ,0 27V R i + R L 10 + .9 10 Một số bài tập mẫu 2
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 1 ∗ T >V D = 0,7V) ta bỏ qua V D. Khi đó: 1 + T > 0 , Diode dẫn, R thD ≈ 0, dòng i L chảy qua R i, D, R L nên ta 2 có: VS 10sin ω0t 3 VL1 = RL = 3 3 .9. 10 = 9sin ω0 (t V) R i + R L 10 + .9 10 1 + T 0 , khi V Sm ≥ 0,7, Diode dẫn, R thD ≈ 0, dòng i L chảy qua R i, 2 D, R L nên ta có: 1sin ω0 t − 7,0 1sin ω0 t − 7,0 3 VL2 = R L = 3 3 .9. 10 = 9,0 sinω0 t − ,0 63(V) R i + R L 10 + .9 10 π Tại ω t = , sin ω0t = 1, ta có V L2m = 0,9 - 0,63 = 0,27V 0 2 1 + T > 0 , khi V Sm < 0,7, Diode tắt, R ngD = ∞, dòng i L chảy qua R i, 2 Rb, R L nên ta có: Một số bài tập mẫu 3
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 7,0 sinω0 t 7,0 sinω0 t 3 VL2 = R L = 3 4 3 .9. 10 = ,0 315sinω0 t R i + R b + R L 10 + 10 + .9 10 1 + T < 0 , Diode tắt, R ng = ∞, dòng i L chảy qua R i, R b, R L nên ta có. 2 1sin ω0 t 1sin ω0 t 3 VL2 = R L = 3 4 3 .9. 10 = ,0 45sin ω0 t R i + R b + R L 10 + 10 + .9 10 VS VS 10 1 + + 0,7 t(ms) t(ms) 0 - - 0 -10 -1 VL1 VL2 9 0,585 + + - - t(ms) 0,315 t(ms) -4,5 -4,5 2) Dạng mạch Thevenin áp dụng nguyên lý chồng chập: Bài 1-20 với V i(t) = 10sin ω0t i Ri=1K A D K + ri=1,5K RL V =5v + DC 1,4K VL Vi - - A K A i Ri//r i iL RT d RL VT VT K a- Vẽ mạch Thevenin: Áp dụng nguyên lý xếp chồng đối với hai nguồn điện áp V DC và V i: ∗ Khi chỉ có V DC , còn V i = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K: 3 ri .5,1 10 VAK = VDC = 5 3 3 = 3V R i + ri 10 + .5,1 10 ∗ Khi chỉ có V i, còn V DC = 0 thì điện áp giữa hai điểm A-K là: 3 Ri 10 VAK = Vi = 10.sin ω0 t 3 3 = 4sin ω0 (t V) Ri + ri 10 + .5,1 10 Một số bài tập mẫu 4
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I ∗ Vậy khi tác động đồng thời cả V DC và V i thì sức điện động tương đương Thevenin giữa hai điểm A-K là: ri R i VT = VDC + Vi = 3 + 4sin ω0 (t V) Ri + ri R i + ri ∗ Điện trở tương đương Thevenin chính là điện trở tương đương của phần mạch khi Diode hở mạch là: 3 3 R i r. i 10 .5,1. 10 3 R T = + R L = 3 3 + .4,1 10 = 2KΩ R i + ri 10 + .5,1 10 π π π π b- Vẽ đường tải DC khi ω t = ,0 , ,− ,− . 0 3 2 3 2 ⇒ ∗ Tại ω0 t = 0 VT = 3V π 3 ∗ Tại ω t = ⇒ V = 3 + 4 = ,6 46(V) 0 3 T 2 π ∗ Tại ω t = ⇒ V = 3 + 1.4 = (7 V) 0 2 T π 3 ∗ Tại ω t = − ⇒ V = 3 − 4 = − ,0 46(V) 0 3 T 2 π ∗ Tại ω t = − ⇒ V = 3 − 1.4 = − (1 V) 0 2 T iD (mA) 3,15 2,88 1,15 -1 3 6,46 7 V T t Theo định luật Ohm cho toàn mạch ta có. VT − VD 1 VT i = = − V. D + R T R T R T 1 3 ∗ Tại ω t = 0 ⇒ i = − 7,0. + = ,115(mA) 0 2.10 3 2.103 π 1 6,46 ∗ Tại ω t = ⇒ i = − 7,0. + = ,2 88(mA) 0 3 2.10 3 2.103 Một số bài tập mẫu 5
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I π 1 7 ∗ Tại ω t = ⇒ i = − 7,0. + = ,315(mA) 0 2 2.10 3 2.103 π 1 0,46 ∗ Tại ω t = − ⇒ i = − 7,0. − = − ,0 58(mA) 0 3 2.10 3 2.10 3 π 1 1 ∗ Tại ω t = − ⇒ i = − 7,0. − = − ,0 85(mA) 0 2 2.103 2.103 c- Vẽ V V V V )t( = R i. = R . T = R T = .4,1 103 T L L D L R L R // r + R .2 103 T ()i i L = 7,0 VT = 7,0 ()3 + 4sin ω0t = 1,2 + 8,2 sin ω0 (t V) VL 4,9V 2,1 0 t -0,7 II. Diode Zenner: 1) Dạng dòng I L = const (bài 1-40); 200mA ≤ I Z ≤ 2A, rZ = 0 Ri I IL Z VZ=18v R =18 Ω 22v<V DC <28v L VL a- Tìm R i để V L = 18V = const. Imin = I Zmin + I L = 0,2 + 1 = 1,2 A. Imax = I Zmax + I L = 1 + 2 = 3 A. Mặt khác ta có: V imin = 22V = I Zmin .R i + V Z. Suy ra: Vi min − VZ 22 −18 4 R i = = = = 3,3 Ω I Z min 2,1 2,1 Vimax = 28V = I Zmax Ri + V Z Suy ra Vi max − VZ 28 −18 10 R i = = = = 3,3 Ω I Z max 3 3 Vậy R i = 3,3 Ω. b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner: PZmzx = IZmax .V Z = 2.18 = 36W. Một số bài tập mẫu 6
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 2) Dạng dòng I L ≠ const: (bài 1-41), 10mA ≤ I L ≤ 85mA. IZmin = 15mA. IR Ri I IL Z VZ=10v RL V 13v<V DC <16v L a- Tính giá trị lớn nhất của R i Vi − VZ Vi − VZ ≤ R i ≤ I Z max + I L min I Z min + I L max ∗ Khi V DC = 13V ta có 13 −10 R ≤ = 30Ω i max ,0 015 + ,0 085 ∗ Khi V DC = 16V ta có 16 −10 R ≤ = 60Ω i max ,0 015 + ,0 085 Vậy ta lấy R imax = 30 Ω. b- Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất của Diode Zenner. PZmax = I Zmax .V Z. Mặt khác: V imax = I Zmax Ri + V Z V − V 16 −10 ⇒ i max Z Imax = = = 200mA R i 30 ⇒ I z max = I max − I L min = 0,2 − 0,01 = 0,19 = 190mA ⇒ Pz max = 0,19 ×10 = 1,9W 3) Dạng I Z ≠ const; I L ≠ const (Bài 1-42) 30 ≤ I L ≤ 50mA, I Zmin = 10mA. rZ = 10 Ω khi I Z = 30mA; P zmax =800mW. R IL i IZ 10 Ω V =10v Z RL V 20v<V DC <25v L a- Tìm R i để Diode ổn định liên tục: PZ max 0,8 I Z max = = = 80mA VZ 10 Vậy 10mA ≤ I Z ≤ 80mA Ta có: I min = I Zmin + I Lmax = 60mA Imax = I Zmax + I Lmin = 110mA Một số bài tập mẫu 7
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Mặt khác: V imin = I min .R i + V Z = 20V 20 −10 ⇒ R = = 166 7, Ω i max ,0 06 Vimax = I max .R i + V Z = 25V 25 −10 ⇒ R = = 136,36Ω i min ,0 11 Suy ra: 136,4 Ω ≤ R i ≤ 166,7 Ω Vậy ta chọn R i =150 Ω b- Vẽ đặc tuyến tải: Ta có: V Z + I ZRi = V DC – I LRi ∗ Với V DC = 20V ta có: 20 − ,0 03×150 = 15 5, V khi I L = 30mA VZ + I Z150 = 20 − ,0 05×150 = 12 5, V khi I L = 50mA ∗ Với DC = 25V ta có: 25 − ,0 03×150 = 20 5, V khi I L = 30mA VZ + I Z150 = 25 − ,0 05×150 = 17 5, V khi I L = 50mA Tương ứng ta tính được các dòng I Z: 15,5 −10 12,5 −10 I = = 36 7, mA ; I = = 16 7, mA Z1 150 Z2 150 20,5 −10 17,5 −10 I = = 70mA ; I = = 50mA ; Z3 150 Z4 150 I (mA) Z 20,5 17,5 15,5 12,5 VZ =10V 0 VZ 10 16,7 30 rZ =10 Ω 36,7 50 70 80 Một số bài tập mẫu 8
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Chương II : TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP I. Bộ khuếch đại R-C không có C C và không có C E (E.C). 1) Bài 2-10: 20 ≤ β ≤ 60, suy ra I CQ không thay đổi quá 10%. +25V RC=1,5K R2 + V = 5V - CEQ R1 R =1K E ∗ Phương trình tải một chiều: VCC = V CEQ + I CQ (R C + R E). V − V ⇒ CC CEQ 25 − 5 I CQ = = 3 3 = 8mA R C + R E .5,1 10 + 10 Nếu coi đây là dòng điện ban đầu khi β = 60 sao cho sau một thời gian β chỉ còn β = 20 thì yêu cầu I CQ ≥ 7,2mA. ∗ Ta giải bài toán bài toán một cách tổng quát coi β1 = 20; β2 = 60. 1 1 R = β R ≤ R ≤ R = β R b1 10 1 E b b2 10 2 E 1 1 R = .20.10 3 = 2KΩ ≤ R ≤ R = .60.103 = 6KΩ b1 10 b b2 10 Vậy 2K Ω ≤ R b ≤ 6K Ω V − 0,7 ∗ Mặt khác I= BB , nếu coi V ≈ const thì ta có: CQ R BB R + b E β R R + b I E β CQ1 = 2 ≥ 9,0 (1) I CQ2 R b R E + β1 ∗ Có thể tính trực tiếp từ bất phương trình (1): R R 1 9,0 b b ⇒ R E + ≥ 9,0 R E + 1,0 R E ≥ R b − + β2 β1 β2 β1 1,0 R .1,0 103 100 ⇒ R ≤ E = = = ,3 53KΩ b 1 9,0 1 9,0 28 .3, 10 −3 − + − + β2 β1 60 20 Một số bài tập mẫu 9
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Chọn R b = 3,5K Ω. -3 3 ∗ Nếu bỏ qua I BQ ta có V BB ≈ V BE + I EQ RE = 0,7 + 8.10 .10 = 8,7V. Suy ra: 1 1 .5,3 103 R = R = .5,3 103 = = 5368Ω ≈ 4,5 KΩ 1 b V 7,8 ,0 652 1 − BB 1 − VCC 25 VCC 3 25 R 2 = R b = .5,3 10 = 10057Ω ≈ 10,06KΩ VBB 7,8 ∗ Ta có thể tính tổng quát: Chọn R b = 4K Ω thay vào (1): .4 103 10 3 + I 1067 CQ1 = 60 = = 88 9, %, bị loại do không thỏa mãn (1). I .4 103 1200 CQ2 10 3 + 20 .3 103 103 + ICQ1 60 1050 ∗ Chọn R b =3K Ω thay vào (1): = = = ,0 91 thỏa I .3 103 1150 CQ2 103 + 20 mãn bất phương trình (1), ta tính tiếp như trên. 2) Bài 2-11: Với hình vẽ bài (2-10) tìm giá trị cho R 1, R 2 sao cho dòng i C xoay chiều có giá trị cực đại. ∗ Điểm Q tối ưu được xác định như sau: VCC I Cm max = I CQTƯ = R DC + R AC VCEQTƯ = ICQTƯ R. AC 3 3 Từ hình vẽ: R DC = R C + R E = 1,5.10 + 10 = 2,5K Ω. 3 3 R AC = R C + R E = 1,5.10 + 10 = 2,5K Ω. 25 I = = 5mA Suy ra: CQTƯ .5,2 103 + .5,2 103 -3 3 VCEQTƯ = 5.10 .2,5.10 = 12,5V 1 1 3 ∗ Chọn R = βR = .100.10 = 10KΩ (bỏ qua I BQ ) b 10 E 10 iC(mA) 1 VCC = 10 DCLL ≡ ACLL − 3 R .5,2 10 DC V QTƯ CC = 5 2()R C + R E 0 VCEQTƯ = 12,5 25 V (V) CE -3 3 VBB ≈ V BE + I CQTƯ .R E = 0,7 + 5.10 .10 = 5,7V Một số bài tập mẫu 10
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 1 1 10 4 R = R = 10.103 = = 12,95KΩ ≈ 13KΩ 1 b V 7,5 ,0 772 1− BB 1− VCC 25 VCC 4 25 R 2 = R b = 10 = 43,85KΩ ≈ 44KΩ VBB 7,5 Vì R DC = R AC nên phương trìng tải DC và AC trùng nhau. 3) Bài 2-14: Điểm Q bất kỳ vì biết V BB = 1,2V; β = 20. Tìm giá trị tối đa của dao động có thể có được ở C và tính η. +6V RC = 1K Rb = 1K VBB = 1,2V RE = 100 Ω Biết β = 20, V BEQ = 0,7V. V − V 2,1 − 7,0 Ta có: I = BB BEQ = = 3,3 mA CQ R 100 + 50 R + b E β ∗ Để tìm giá trị tối đa của dao động có thể có được ở C ta phải vẽ phương trình tải DC, AC iC (mA) 1 V DCLL = ACLL− CC = ,5 45 1100 R DC Qbk ICQ = 3,3 Q 2,725 TƯ 0 3 2,37 6 VCE (V) -3 3 VCEQ = V CC – I CQ (R C + R E) = 6 – 3,3.10 .1,1.10 = 2,37V ∗ Vậy giá trị tối đa của dao động là: ICmmax = i Cmax – I CQ = 5,45 – 3,3 = 2,15mA 3 -3 Suy ra V Lmax = I Cmmax .R C = 2,15.10 .10 = 2,15V -3 ∗ PCC = I CQ .V CC = 3,3.10 .6 = 19,8mW Một số bài tập mẫu 11
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 1 1 2 P = ()I 2 R. = ( ,2 15.10 −3 ) .10 3 = ,2 31mW L 2 Cm max C 2 −3 PL ,2 31.10 Hiệu suất: η = = −3 = 11 7, % PCC 19 .8, 10 II. Bộ KĐRC không có C C, C E (tụ bypass Emitter) (EC) 1) Bài 2-15: Điểm Q bất kỳ. Vcc =10V RC=150 Ω R2 β=100; V BEQ =0,7v R1 RE CE→ ∞ 100 Ω a- Tìm R 1, R 2 để I CQ = 01mA (R b << βRE) Vì R b << βRE nên ta có: VBB − 0,7 −2 I CQ ≈ = 10mA = 10 A R E -2 suy ra V BB = 0,7 + 100.10 = 1,7V 1 1 R = βR = 100.100 = 1KΩ b 10 E 10 1 103 10 3 R = R = = ≈ 2,1 KΩ 1 b V 7,1 ,0 83 1− BB 1− VCC 10 VCC 3 10 R 2 = R b = 10 = ,5 88KΩ VBB 7,1 b- Để tìm I Cmmax với R 1, R 2 như trên ta phải vẽ DCLL và ACLL: 1 i (mA) DCLL− C 250 60 1 ICmmax ACLLQ − 150 15 7,5 10 VCE (V) VCEmax = 9V Một số bài tập mẫu 12
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I -2 VCEQ = V CC – I CQ (R C + R E) = 10 – 10 .250 = 7,5V Từ hình vẽ ta nhận thấy để I Cm lớn nhất và không bị méo thì I Cmmax = 10mA. Ta có thể tìm i Cmax và V Cemax theo phương trình 1 i C − I CQ = − ()VCE − VCEQ R C V ⇒ CEQ −2 5,7 Cho V CE = 0 i C max = I CQ + = 10 + = 60mA R C 150 ⇒ −1 Cho i C = 0 VCE max = I CQ R. C + VCEQ = 10 .150 + 5,7 = 9V 2) Bài 2-16: Điểm Q tối ưu (hình vẽ như hình 2-15). Để có dao động Collector cực đại ta có: VCC I Cm max = I CQTƯ = (1) R DC + R AC VCEQTƯ = R AC .I CQTƯ (2) RDC = R C + R E = 150 + 100 = 250 Ω RAC = R C = 150 Ω 10 Thay vào (1) ta được: I = = 25mA CQTƯ 250 + 150 −3 VCEQTƯ = 150.25.10 = ,3 75V iC(mA) 2I CQTƯ = 50 1 VCC ACLL− = 40 150 R C + R E I = 25 1 CQTƯ DCLL− 250 V CEQTƯ 2V CEQTƯ 10 VCE (V) = 3,75 =7 VBB ≈ 0,7 + I CQTƯ .R E = 3,2V. 1 1 R = βR = .100.100 = 1KΩ b 10 E 10 1 103 103 R = R = = ≈ ,1 47KΩ 1 b V 2,3 ,0 68 1− BB 1− VCC 10 Một số bài tập mẫu 13
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I VCC 3 10 R 2 = R b = 10 = 3125Ω ≈ 1,3 KΩ VBB 2,3 Để vẽ ACLL, rất đơn giản ta chỉ cần xác định: iCmax = 2I CQTƯ và V Cemax = 2V CEQTƯ. III. Bộ KĐ R-C có C C và C E (E.C). 1) Bài 2-20: Điểm Q tối ưu RDC = R C + R E = 900 + 100 =1K Ω R CR L 900.900 R AC = = = 450Ω R C + R L 900 + 900 Vcc =10V RC=900 Ω R2 CC→ ∞ RL=900K R1 RE CE→ ∞ 100 Ω VCC I Cm max = I CQTƯ = ≈ 9,6 mA R AC + R DC -3 VCEQTƯ = I CQTƯ .R AC = 6,9.10 .450 = 3,1V -3 VBB = 0,7 + R E.I CQTƯ = 0,7 + 100.6,9.10 = 1,4V 1 1 R = βR = .100.100 = 1KΩ b 10 E 10 iC(mA) 2I CQTƯ = 13,8 V 1 CC = 10 ACLL− 450 R C + R E I = 6,9 1 CTƯ DCLL− 1000 V (V) 0 VCEQTƯ 6,2 10 CE = 3,1 Một số bài tập mẫu 14
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 1 103 103 R = R = = ≈ 1163Ω 1 b V 4,1 1− BB 1− ,0 86 VCC 10 VCC 3 10 R 2 = R b = 10 = 7143Ω VBB 4,1 Ta có dòng xoay chiều: R C 900 I Lm = I. Cm = 9,6 = ,3 45mA R C + R L 900 + 900 ⇒ VLm = 1,3 V 2) Vẫn bài 2-20 nếu ta bỏ tụ C E thì ta sẽ có bộ khuếch đại R.C có C C mà không có C E. Khi đó kết quả tính toán sẽ khác rất ít vì R E << R C, R L RDC = R C + R E = 900 + 100 = 1K Ω R C R L 900.900 R AC = R E + = 100 + = 550Ω R C + R L 900 + 900 VCC 10 I CQTƯ = I Cm max = = 3 = ,6 45mA R DC + R AC 10 + 550 -3 VCEQTƯ = I CQTƯ .R AC = 6,45.10 .550 = 3,55V -3 VBB = 0,7 + I CQ . R E = 0,7 + 6,45.10 .100 = 1,345V 1 1 R = βR = .100.100 = 1KΩ b 10 E 10 1 103 103 R = R = = = 1155Ω 1 b V ,1 345 ,0 8655 1 − BB 1 − VCC 10 VCC 3 10 R 2 = R b = 10 = 7435Ω VBB ,1345 R C 900 −3 I Lm = I Cm = ,6. 45.10 = ,3 225mA R C + R L 900 + 900 -3 VLm = R L.I Lm = 900.3,225.10 = 2,9V. IV. Bộ KĐ R.C mắc theo kiểu C.C. 1) Bài 2-22: Mạch có thiên áp Base. * Đây là dạng bài điểm Q bất kỳ vì đã biết R 1, R 2. 3 3 R1R2 5.10 .20.10 Rb = = = 4K Ω R + R 5.10 3 + 20.10 3 1 2 3 R1 .5 10 VBB = VCC = 3 3 .25 = 5V R1 + R 2 .5 10 + 20.10 VBB − 0,7 5 − 0,7 ICQ = = 3 = 1,2 mA Rb 3 .4 10 RE + .2 10 + β 60 Một số bài tập mẫu 15
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Vcc =25V R =1K R2 C 20K β=60 CC→ ∞ R1 RL 5K RE=2K V 2K L R b VBB − 0,7 (Vì R E >> nên có thể tính gần đúng theo công thức I CQ = ) β R E -3 3 VCEQ = V CC – I CQ (R C + R E) = 25 – 2,1.10 .3.10 = 18,7V i (mA) C ICmax = 11,45 1 ACLL− 3 VCC .2 10 = 3,8 R DC I = 5 CQTƯ 1 DCLL − 3 Q .3 10 ICQ = 2,1 0 10 VCEQ 22,9 25 VCE (V) = 18,7 Từ hình vẽ ta thấy: I CQ < I CQTƯ nên I Cm = I CQ = 2,1mA 3 R L .2 10 −3 I Lm = I Cm = 3 3 .1,2. 10 = ,1 05mA R E + R L .2 10 + .2 10 3 -3 VLmmax = R L.I Lm = 2.10 .1,05.10 = 2,1V * Cách vẽ DCLL và ACLL của bộ KĐ R.C mắc C.C tương tự như cách mắc E.C 1 i C − I CQ = − ()VCE − VCEQ R AC R E R L với R AC = R C + = 2kΩ R E + R L VCEQ −3 18 7, Cho V CE = 0 suy ra i C = I CQ + = .1,2 10 + 3 = 11,45mA R AC .2 10 Một số bài tập mẫu 16
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 3 −3 iC = 0 suy ra VCEQ max = VCEQ + R ACI CQ = 18 7, + .2 10 .1,2. 10 = 22 9, V * Với bài toán trên nếu chưa biết R 1 và R 2 ta có thể thiết kế để dòng điện ra lớn 3 3 nhất: R DC = R C + R E = 10 + 2.10 = 3K Ω. VCC 25 Ta có: I CQTƯ = = 3 3 = 5mA R DC + R AC .3 10 + .2 10 VCEQTƯ = I CQTƯ .R AC = 10V. 2) Bài 2-24: Mạch được định dòng Emitter. Theo định luật K.II: ΣVkín = 0 ta có RbIBQ + V BEQ + R E.I EQ –VEE = 0 V − 0,7 10 − 0,7 Suy ra I = BB ≈ = 93mA EQ R 100 R + b E β VCEQ = V CC + V EE – I CQ (R C + R E) = 10 + 10 – 93.10 -3.150 = 6,05V VCC =10v R =50 Ω CC→ ∞ C I. I CE→ ∞ iL Rb<< βRE RE=100 Ω RL=100 Ω VL V =-10v EE R E 100 −3 ∗ I Lm = I Em = .93.10 = 46 5, mA R E + R L 100 + 100 -3 2 ∗ VLm = I Lm RL = 46,5.10 .10 = 4,65V ∗ Đây là điểm Q bất kỳ nên ta có: 1 i C − I CQ = − ()VCE − VCEQ R AC V + CEQ Cho V CE = 0 suy ra i C max = I CQ + = 214mA R AC + Cho i C = 0 suy ra −3 VCE = VCEQ + I CQ R AC = ,6 05 + 93.10 .50 = 10,675V Một số bài tập mẫu 17
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I iC(mA) 214 1 ACLL− VCC + VEE 50 = 133 R + R C E Q ICQ = 93 1 DCLL− 150 0 VCEQ 10,675 20 VCE (V) = 6,05 ∗ Nếu bài này được tính ở chế độ tối ưu thì: RDC = R C + R E = 150 Ω R E R L R AC = = 50Ω khi đó R E + R L VCC 20 I CQTƯ = = = 1,0 A = 100mA R AC + R DC 150 + 50 VCEQTƯ = I CQTƯ .R AC = 5V Một số bài tập mẫu 18
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Chương IV : THIẾT KẾ VÀ PHÂN TÍCH TÍN HIỆU NHỎ TẦN SỐ THẤP. I. Sơ đồ mắc Emitter chung E.C: 1) Bài 4-7: Q bất kỳ. a- Chế độ DC +V CC =20V RC=1,5K R2=20K CC2 → ∞ + - CC1 → ∞ + - iL RL=1,5K R1 RE + ii Ri=2K 3,5K C →∞ 1,5K E - R1R2 3,5.20 Rb = = ≈ 3K R1 + R2 5,3 + 20 R1 3,5 VBB = VCC = .20 ≈ 3V R1 + R2 5,3 + 20 3 − 0,7 I = ≈ 6,4 mA CQ .3 103 500 + 100 -3 3 VCEQ = V CC – I CQ (R C + R E) = 20 – 4,6.10 .2.10 = 10,8V 25.10−3 h = h.4,1 = 760Ω ie fe .6,4 10−3 b- Chế độ AC: iC ib iL Ri Rb RC hie RL=1,5K 2K 3K 1,5K ii 100i b 1,2K Zi Zo Một số bài tập mẫu 19
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I i L i L i b A i = = (1) i i i b i i 3 i L i L iC R C .5,1 10 = = − h. fe = − 3 3 .100 = −50 i b i C i b R C + R L .5,1 10 + .5,1 10 3 i b R i // R b .2,1 10 = = 3 = ,0 61 i i ()R i // R b + h ie .2,1 10 + 760 Thay vào (1) ta có: Ai = -50.0,61 = -30,6 Zi = R i//R b//h ie = 1200//760 = 465 Ω Zo = R C = 1,5K Ω. 2) Bài 4-11: Q bất kỳ và h fe thay đổi. a- Chế độ DC: 1 1 ∗ R = β R = .50.10 = 50Ω R = 100 , bỏ qua I BQ . b2 10 2 E 10 b +V CC =20v R =100 Ω C CC→ ∞ + - i L Rb=100 Ω RL=100 Ω RE + ii V =1,7v BB 10 Ω CE→∞ - VBB − 0,7 1,7 − 0,7 IEQ1 = = = 83mA Rb 100 RE + 10 + β1 50 VBB − 0,7 1,7 − 0,7 IEQ2 ≈ = = 100mA RE 10 25.10 −3 h = .4,1 50. ≈ 21Ω ie1 83.10 −3 25.10−3 h = .4,1 150. = 52 5, Ω ie2 100.10−3 suy ra 21 Ω ≤ h ie ≤ 52,5 Ω Một số bài tập mẫu 20
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I b- Chế độ AC: i L i L i b R C R b A i = = = − h. fe . i i i b i i R C + R L R b + h ie 100 100 A = − .50. = −20,66 1i 100 + 100 100 + 21 100 100 A = − .150. = −49 1, 2i 100 +100 100 + 52 5, Zi = R b//h ie suy ra Z i1 = 100//21 = 17,36 Ω Zi2 = 100//52,5 = 34,43 Ω Vậy 20,66 ≤ A i ≤ 49,18 17,36 Ω ≤ Z i ≤ 34,43 Ω iC ib iL R Rb C hie RL = 100 Ω hfe ib 100 Ω 100 Ω ii 3) Bài 4-12: Dạng không có tụ C E a- Chế độ DC: VBB − 0,7 5,7 − 0,7 ICQ = = 4 = 5,4 mA Rb 3 10 RE + 10 + hfe 100 (có thể tính I CQ = 5 mA) -3 3 VCEQ = V CC – I CQ (R C + R E) = 20 – 4,5.10 .(3.10 ) = 6,5V 25.10−3 h = .4,1 100. = 778Ω ie .5,4 10 −3 +V CC =20V R =2K C CC→ ∞ + - iL Rb=10K RL=1 00 Ω i i VBB =5,7V RE=1K Một số bài tập mẫu 21
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I b- Chế độ AC: ib hie =778 Ω iL Rb RC hfe RE R =100 Ω 10K L ii 100i 2K b i L i L i b A i = = (1) i i i b i i i L i L iC R C = = − h. fe = −95,24 i b i C i b R C + R L 4 i b R b 10 = = 4 5 = ,0 09 i i R b + h ie + h fe R E 10 + 778 +10 Thay vào (1) ta được A i = -95,24.0,09 = -8,6 4 5 Zi = R b //[h ie + h fe R E ] ≈ 10 //10 = 1,9 KΩ 4 II. Sơ đồ mắc B.C: Bài 4-21, h oe = 10 1) Chế độ DC: ri=50 Ω RL=10K R2 + Vi R1 - C → ∞ VCC b hfe 10 hfb = = = ,0 91 1+ h fe 11 −3 hie 1 25.10 hib = = .4,1. 10. −3 = 32Ω 1+ hfe 11 10 −4 h oe 10 −5 h ob = = = 10 1+ h fe 11 Một số bài tập mẫu 22
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 2) Chế độ AC: R 50 Ω i i C ie i + L h ib 1/h ob RL Vi 32 Ω hfb ie 10 5Ω - 10K Ω 0,91i b VL VL i e A V = = (1) Vi ie Vi 1 R L 4 5 VL i L R L iC h ob 10 .10 = . = − h. fb = − 4 5 ,0. 91 = −827 i e iC ie 1 10 +10 R L + h ob i 1 − V 1 1 e = . i = − = − = − ,0 012 Vi Vi Ri + hib Ri + hib 50 + 32 Thay vào (1) ta được A V = (-827).(-0,012) = 10,085 ≈ 10 III. Sơ đồ mắc C.C: Bài 4-23 1) Chế độ DC +V CC =10V 100K Ω Rb C ri 500 Ω c1 →∞ Cc2 →∞ + R Vi L RE 1K Ω - 1K Ω Z i Zo VCC = I BQ Rb + V BEQ + R EIEQ V − 0,7 10 − 0,7 ⇒ CC IEQ = = 5 = ,4 65mA R b 3 10 RE + 10 + β 100 -3 3 VCEQ = V CC – R EIEQ = 10 – 4,65.10 .10 = 5,35 V Một số bài tập mẫu 23
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 2) Chế độ AC i ri 500 Ω b hie 753 Ω ’ iL + Rb Re.hfe RL.hfe Vi Vb VL 100K Ω 100K Ω 100K Ω - Zi h /h 7,53 Ω ie fe ie ri/hfe Rb/hfe RE 5Ω 1K Ω 1K Ω Zo 25.10 −3 h = 4,1 h ≈ 753Ω ie fe ,4 65.10 −3 VL VL Vb A v = = (1) Vi Vb Vi V i .h (R // R ) L = b fe E L V i []h + h ()R // R b b ie fe E L (2) 100.500 = = ,0 985 753 + 50.000 ’ R b = R b//[hie + h fe (R E//R L)] = 33,3 Ω ' Vb 1 ' Vi R b 33 3, KΩ = R. b . ' = ' = 3 = ,0 994 (3) Vi Vi ri + R b ri + R b 500 + 33 .3, 10 Thay (2), (3) vào (1) ta có: A V = 0,985.0,994 = 0,979 ≈ 0,98 ri // R b 3 Zo = R E //h ib + ≈ 10 //[],7 53 + 5 ≈ 12,37Ω h fe ' Zi = R b //[h ie + h fe (R E // R L )] = R b = 33 3, KΩ Một số bài tập mẫu 24
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Chương VI: MẠCH TRANSISTOR GHÉP LIÊN TẦNG. I. Transistor ghép Cascading: 1) E.C – C.E Bài 6-1: Điểm Q bất kỳ, 2 tầng hoàn toàn độc lập với nhau. a - Chế độ DC 3 3 R11 R. 21 .3 10 .7. 10 1 Rb1 = = 3 3 = 1,2 KΩ > Rb = h. fe R. E = 500Ω R11 + R21 .3 10 + .7 10 10 suy ra, không được bỏ qua I BQ1 ; 3 R11 .3 10 VBB1 = V. CC = 3 3 .10 = 3V R11 + R 21 .3 10 + .7 10 V − 0,7 3 − 0,7 I = BB1 = = 16 2, mA EQ1 R 2100 R + b1 100 + E1 50 h fe1 -3 VCEQ1 = V CC – I EQ1 (R C1 + R E1 ) = 10 – 16,2.10 .300 = 5,14V 25.10 −3 25.10 −3 h ie1 = 4,1 h fe1. = .4,1 50. −3 = 108Ω I EQ1 16 .2, 10 3 3 R12 R. 22 10 .9. 10 1 R b2 = = 3 3 = 9,0 KΩ < R b = h. fe R. E = 1250Ω R12 + R 22 10 + .9 10 10 suy ra, được bỏ qua I BQ2 ; 3 R12 10 VBB2 = V. CC = 3 3 .10 = 1V R12 + R 22 10 + .9 10 V − 0,7 1− 0,7 0,3 I = BB2 = ≈ = 2,1 mA EQ2 R 900 250 R + b2 250 + E2 h2 50 -3 VCEQ2 = V CC – I EQ2 (R C2 + R E2 ) = 10 – 1,2.10 .2250 = 7,3V 25.10 −3 25.10 −3 h ie2 = 4,1 h fe2 . = .4,1 50. −3 = 1458Ω I EQ2 .2,1 10 b - Chế độ AC i i ib1 C1 ib2 C2 Rb hie1 RC1 Rb2 hie2 RC VL ii 2,1K 108 50i b1 200 900 1458 50i b2 2K Z i Zo iL ib2 i 1b Ai = . . (1) ib2 ib1 ii Một số bài tập mẫu 25
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I iL iL iC2 = . = − h.1 fe2 = −50 (2) ib2 iC2 ib2 i i i − R // R b2 = b2 . C1 = C1 b2 h. i i i ()R // R + h fe1 b1 C1 b1 C1 b2 ie2 (3) −164 ≈ .50 ≈ − ,5 06 164 + 1458 i R 2100 b1 = b = = ,0 951 (4) ii Rb + h ie1 2100 +108 Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có Ai = (-50).(5,06).(0,951) ≈ 241 3 Zi = R b//h ie1 = 2,1.10 //108 ≈ 103 Ω Zo = ∞ Để tìm biên độ đỉnh đối xứng cực đại ta vẽ DCLL và ACLL. iC(mA) i Cmax = 4,85 1 ACLL− .2 103 VCC = 4,4 R DC 1 ICmmax Q DCLL− 250 I = 1,2 CQ VCE (V) 0 7,3 10 9,7 1 Từ i C − ICQ = − ()vCE − VCEQ R AC vCE = 0 suy ra, I Cmax = I CQ +V CEQ /R AC = 1,2.10 -3 + 7,3/2.10 3 = 4,85mA iC = 0 suy ra, v Cemax = V CEQ .R AC = 7,3 + 1,2.10 -3.2.10 3 = 9,7V Từ đặc tuyến DCLL và ACLL ta có I Cmmax = 1,2mA Bài 6-2: Điểm Q tối ưu nên phải tính tầng thứ hai trước, tầng 1 sau. a- Chế độ DC: RDC2 = R C2 + R E2 = 2250 Ω; R AC2 = R C = 2K Ω. VCC 10 I CQ2TƯ = = = ,2 35mA R DC2 + R AC2 2250 + 2000 -3 3 VCEQ2TƯ = I CQ2TƯ .R AC2 = 2,35010 .2.10 = 4,7V Một số bài tập mẫu 26
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 25.10 −3 25.10 −3 h ie2 = 4,1 h fe2 . = .4,1 50. −3 = 745Ω I EQ2 ,2 35.10 RDC1 = R C1 + R E1 = 200 + 100 = 300 Ω; RAC1 = R C1 //R b2 //h ie2 = 200//900//745 ≈ 134,4 Ω VCC 10 I CQ1TƯ = = = 23mA R DC1 + R AC1 300 +134 4, 25.10 −3 25.10 −3 h ie1 = 4,1 h fe1. = .4,1 50. −3 = 76Ω I EQ1 23.10 b- Chế độ AC: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ như trên chỉ có h ie1 và h ie2 có giá trị khác. Ta áp dụng luôn công thức (1) ở trên: R C1 // R b2 R b 164 2100 A i = h fe1 h. fe2 . = 2500. . ≈ 434 ()R C1 // R b2 + h ie2 R b + h ie1 164 + 745 2100 + 76 2) E.C – C.C: Bài 6-3 Điểm Q tối ưu a- Chế độ DC: Tầng 2: RDC2 = R E2 = 1K Ω; R AC2 = R E2 //R L = 500 Ω. VCC 10 I CQ2TƯ = = 3 = 7,6 mA R DC2 + R AC2 10 + 500 -3 VCEQ2TƯ = I CQ2TƯ .R AC2 = 6,7.10 .500 = 3,35V 25.10 −3 25.10 −3 h ie2 = 4,1 h fe2 . = .4,1 100. −3 = 522Ω I EQ2 .7,6 10 1 1 R = h R. = .100.103 = 10 4 Ω = 10KΩ b2 10 fe2 E2 10 -3 3 VBB = 0,7 + I CQ2TƯ .R E = 0,7 + 6,7.10 .10 = 7,4V R 10 4 10 4 R = b = = = 38,46KΩ 12 V 4,7 ,0 26 1− BB2 1− VCC 10 VCC 4 10 R 22 = R b = 10 = 13 5, KΩ VBB2 4,7 Tầng 1: RDC1 = R C1 + R E1 = 400 + 100 = 500 Ω; RAC1 = R C1 //R b2 //[h ie2 + h fe (R L//R E)] = 400//10 4//[261 + 100.500] = 400//8333 ≈ 382 Ω. VCC 10 I CQ1TƯ = = = 11,34mA R DC1 + R AC1 500 + 382 -3 VCEQ1TƯ = I CQ1TƯ .R AC1 = 11,34.10 .382 = 4,33V Một số bài tập mẫu 27
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 25.10 −3 25.10 −3 h ie1 = 4,1 h fe1. = .4,1 100. = 309Ω I EQ2 11,34 1 1 R = h R. = .100.100 = 1KΩ b1 10 fe1 E1 10 -3 VBB1 = 0,7 + I CQ1TƯ .R E1 = 0,7 + 11,34.10 .100 = 1,834V R 103 103 R = b1 = = = 12,25KΩ 11 V ,1834 ,0 8166 1− BB1 1− VCC 10 VCC 3 10 R 21 = R b1 = 10 = ,5 45KΩ VBB1 ,1 834 b- Chế độ AC: i ib1 C1 ib2 hie2 522 ’ iL R h R (1+h )R b1 ie1 C1 Rb2 fe E (1+h fe )R L 100i VL ii 2,1K 309 b 400 10K 101K Ω 101K Ω Zi Zo VL i b2 i b1 A T = . . (1) i b2 i b1 i i VL 3 = (1+ h fe )(R E // R L ) = 50 .5, 10 (2) i b2 i i i − R // R b2 = b2 . C1 = C1 b2 h. i i i ()()R // R + h + 1+ h R // R fe1 b1 C1 b1 C1 b2 ie2 fe E L (3) − 385 − 385.102 = .100 = ≈ − ,0 75 385 + 522 + 50500 51407 i R 103 b1 = b1 = = ,0 764 (4) i i R b1 + h ie1 10 + 309 Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có 3 AT = (50,5.10 ).(-0,75).(0,764) ≈ -29000 AT = -29000V/A = -29V/mA. ie2 h ib2 Rc1 //R b2 RE hfe2 1K Ω Zo 3 Zi = R b//h ie1 = 10 //309 = 236 Ω R C1 // R b2 3 3 Zo = R E //h ib2 + = 10 //[],5 22 + ,3 85 = 10 // ,9 07 ≈ 9Ω h fe2 Một số bài tập mẫu 28
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I 3) Dạng bài hỗn hợp E.C – C.C: Bài 6-4 i i ib1 C1 ib2 hie2 1K C2 ib3 hie3 1K Ri Rb1 hie1 RC1 Rb2 RC2 V 100K 1K 1K 1K 1K hfe2 RE2 o2 1K hfe3 RE3 ii 100i b1 5050 100i b2 5050 V V Tìm R để 01 = − 02 (1) i i i i V V i i 01 = 01 . b2 . b1 (2) i i i b2 i b1 i i V02 i b2 i b1 = 1( + h fe2 )R E2 . . (3) i i i b1 i i V01 suy ra = − 1( + h fe2 ).R E2 (4) i b2 V V i i 01 = 01 . b3 . C2 (5) i b2 i b3 iC2 i b2 Từ (5) suy ra V01 R C2 = 1( + h fe3 )R E3 . h fe2 = − 1( + h fe2 )R E2 i b2 R C2 + R + h ie3 + 1( + h fe3 )R E3 103 − 5050. .100 = −5050 (6) 103 + R +103 + 5050 10 5 = 7050 + R R = 100K Ω - 7,05K Ω ≈ 93K Ω V Tìm 01 i i Từ (2) ta có: V V i i (1+ h )R .R .h 01 = 01 b3 C2 = − fe3 E3 C2 fe2 i i i i R + R + h + 1( + h )R b2 b3 C2 b2 C2 ie3 fe3 E3 (7) 5050.103.10 2 = − ≈ −5050 103 + 93.103 +103 + 5050 i i i (R // R ) b2 = b2 . C1 = − C1 b2 h. i i i ()R // R + h + 1( + h )R fe1 b1 C1 b1 C1 b2 ie2 fe2 E2 (8) 500.100 .5 10 4 = − = − = − ,7 63 500 + 1000 + 5050 6550 3 i b1 (R i // R b1 ) 10 = = 3 3 = 5,0 (9) i i ()R i // R b1 + h ie1 10 +10 Thay (7), (8), (9) vào (2) ta được: Một số bài tập mẫu 29
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I V V 01 = ()()− 5050 . − ,7 63 5,0. ≈ 19,27 i i mA R/h fe3 930 hib3 10 Rc2 RE3 =10 hfe3 50 Ω Zo Zi = R i//R b1 //h ie1 ≈ 500 Ω R R C2 Zo = R E3 //h ib3 + + = 50 //[]10 + 930 +10 ≈ 47 5, Ω h fe3 h fe3 II. Transistor mắc vi sai và Darlingtơn 1) Bài 6-23: E.C – E.C. +V =9V CC iL RC2 R21 R22 RC4 =R L 2,5K 3K 3K i T3 60 b3 T1 T2 hfe =100 T4 R12 ii R11 RE1 R E4 K 500 1K 60 ib2 iC4 ib1 hie1 hie2 hie3 hfe3 hie4 Rb1 Rb2 RC2 2 RL (1+h fe )R E1 hfe2 ib2 h fe RE4 750 750 2,5K ii 100i b2 (1+h fe )i b4 a- Chế độ DC 3 R11 10 VBB1 = VBB2 = V. CC = 3 3 9. = ,2 25V R11 + R 21 10 + .3 10 VBB1 − 0,7 2,25 − 0,7 I EQ1 = I EQ2 = = 3 = ,1 55mA R b 10 + ,7 42 2R E + h fe IE = 2I E1 = 3,1mA -3 VCEQ1 = V CC – 2R E.I CQ1 = 9 – 2.500.1,55.10 = 7,45V VCEQ2 = V CC – 2R E.I CQ1 – R C2 .I CQ2 = 9 – 10 3.1,55.10 -3 – 2,5.10 3.1,55.10 -3 = 3,575V Một số bài tập mẫu 30
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I V = V − R .I − V − V = 9 − 3,875 −1,4 = 3,725V R E 4 CC C2 CQ2 BE3 BE4 V RE4 ,3 725 I CQ4 = I EQ4 = = ≈ 62mA R E4 60 −3 ICQ4 62.10 I CQ3 = I EQ3 = I BQ4 ≈ = 2 ≈ ,0 62mA h fe 10 -3 VCEQ4 = V CC – I CQ4 (R C4 + R E4 ) = 9 – 62.10 .120 = 9 – 7,44 = 1,56V VCEQ3 = V CEQ4 – V BE4 = 1,56 – 0,7 = 0,86V 25.10 −3 25.10 −3 h ie1 = 4,1 h fe1 . = .4,1 100. −3 = 2258Ω I EQ1 ,1 55.10 25.10 −3 25.10 −3 h ie3 = 4,1 h fe3 . = .4,1 100. −3 = 5645Ω I EQ1 ,0 62.10 25.10 −3 25.10 −3 h ie4 = 4,1 h fe4 . = .4,1 100. −3 = 56,45Ω I EQ1 62.10 b- Chế độ AC hie3 hie4 (1+h fe ) i ib2 iC2 i iL b1 hie1 2258 hie2 2258 b3 5645 5700 ’ ’ R R E Rb R R E4 b1 C2 RC i 750 50,5K 750 2,5K 618K (1+ h )2i i fe b3 60 Ω 100i b2 10201i b3 ’ Zo Zo ' R E = R E1 (1 + h fe ) = 500 .101 = 50500 ' R E4 = [h ie4 + (1+ h fe4 )R E4 ](1+ h fe3 ) = [56,45 + 6060].101 = 617,76KΩ i L i L i b3 i c2 i b1 A i = = . . . (1) i i i b3 i c2 i b1 i i i L = (1+ h fe3 )(1+ h fe4 ) = 101.101 = 10201 (2) i b3 i b3 − R C2 = ' i c2 R C2 + h ie3 + ()1+ h fe h ie4 + R E4 − .5,2 103 = (3) .5,2 103 + 5645 + 5700 + 617,76.103 − 5,2 = ≈ − ,4 103 631,605 i c2 i c2 i b2 = = h fe2 .()−1 = −100 (4) i b1 i b2 i b1 (Vì R’ E rất lớn nên coi i b2 ≈ i b1 ) i b1 R b 750 −3 = '' = = 128 .4, 10 (5) i i R b + h ie1 + R E 750 + 2258 + 2832 Một số bài tập mẫu 31
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I '' ' với R E = R E //[h ie2 + R b ] = 5050 // 3008 ≈ 2832Ω Thay (2), (3), (4), (5) vào (1) ta có: -3 -3 Ai = 10201.(-4.10 ).(-100).128,4.10 = 522,3 (lần) Zi = R b1 //(h ie1 +R’’ E) ≈ 750//(2258 + 2832) = 654 Ω Zo = ∞ ⇒ Z’ o = Z o//R C = R C = 60 Ω 2) Bài 6-24: E.C – C.C R R C1 C2 1K 1K T 4 T5 T6 Rb2 Rb1 10K 10K ii V T3 V RE6 BB1 BB2 VL 10 1V 1V RE Zi Z 1K o -3V a- Chế độ DC Áp dụng định luật K.II ΣVkín = 0 cho vòng 2 ta có: VBE3 + I EQ3 RE3 – V EE = 0 (1) VEE − VBE3 3 − 0,7 I EQ3 = = 3 = 3,2 mA R E3 10 I I = I = EQ3 = ,115mA EQ1 EQ2 2 VCE1 = V CE2 = V CC – R C1 ICQ1 – V E1 (2) Mặt khác áp dụng định luật K.II ΣVkín = 0 cho vòng 1 ta có: -VBB1 + R bIBQ1 + V BE1 + V E1 = 0 (3) 4 -5 ⇒ V E = V BB1 – R bIBQ1 – V BE1 = 1 – 10 .1,15.10 – 0,7 =0,185V Thay vào (2) ta được: 3 -3 VCE1 = V CE2 = 6 – 10 .1,15. 10 – 0,185 = 4,665V ≈ 4,67V Ta có V E1 = V CE3 + R E3 .I EQ3 - V EE (4) Suy ra V CE3 = V EE + V E1 – R E3 IEQ3 = 3 + 0,185 – 10 3.2,3.10 -3 = 0,885V VRE6 = V CC – R C2 ICQ2 – V BE4 - V BE5 - V BE6 = 6 – 10 3.1,15.10 -3 – 2,1 = 2,75V VRE6 2,75 I EQ6 = = = 275mA R E6 10 VCE6 = V CC – V RE6 = 6 – 2,75 = 3,25V VCE5 = V CE6 – V BE6 = 3,25 – 0,7 = 2,55V Một số bài tập mẫu 32
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I VCE4 = V CE5 – V BE5 = 2,55 – 0,7 = 1,85V 25.10 −3 25.10 −3 h = 4,1 h . = .4,1 100. = 3043Ω ie1 fe1 ,115.10−3 ,115.10−3 I EQ6 I EQ5 −5 I EQ5 = = ,2 75mA ; I EQ4 = = ,2 75.10 A h fe6 h fe5 25.10 −3 25.10 −3 h ie6 = 4,1 h fe6 . = .4,1 100. −3 = 12,72Ω I EQ6 275.10 hie5 = 1272 Ω; h ie4 = 127.200 Ω b- Chế độ AC hie4 hie5 .h fe4 hie5 .h fe4 .h fe5 ib1 hie1 3043 hie2 3043 iC2 ib4 127,2K 127,2K 127,2K ib2 Rb1 Rb2 RC2 ’ hfe2 ib2 R E6 10K 10K 1K VL ii 100i b2 Zi ' 3 6 7 Zo R E6 = R E6 (1+ h fe ) ≈ R E6 .10 ≈ 10 Ω VL VL i b4 i b2 A T = = . . (1) i i i b4 i b2 i i VL ' 7 = R E6 ≈ 10 Ω (2) i b4 i i i R .h b4 = b4 . C2 = − C2 fe2 i i i R + 3h + R ' b2 C2 b2 C2 ie4 E6 (3) 10 3.10 2 10 2 = − = − = −96 .3, 10 −4 103 + 381 .6, 103 +10 7 1+ 381 6, +10 4 i i R b2 = − b1 = − b1 i i R + 2h + R i i b1 ie1 b2 (4) 10 4 = − = − ,0 485 10 4 + ,6 086.103 −10 4 Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có 7 -4 AT = 10 .(-96,3).10 .(-0,485) = 46728V/A = 46,7V/mA 3h ie4 =0,381 RE6 Rc2 3 h fe 3 ≈10 h fe Zo Zi = R b1 //[2h ie1 + R b2 ] ≈ 6,15K Ω R C2 3h ie4 Zo = R E6 // 3 + 3 = 10 //(),0 382 ≈ ,0 37Ω h fe h fe Một số bài tập mẫu 33
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Chương VII: MẠCH KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP. I. Hồi tiếp áp, sai lệch dòng. 1) Bài 7-4 +V CC RC1 RC2 2K 2K i T1 L RL VL RE21 100 1K i i Rf 10K RE22 V1 1K T = ? h ie = 1KΩ GT ; KL i L A i = = ? h fe = 40 i i Đây là dạng hồi tiếp áp, sai lệch dòng. RE21 (h fe2 +1) i i ib1 c1 ib2 hie2 1K 41K C2 R f RE22 (h fe2 +1) hie1 RC1 V RC2 RL + h i 41K 1 ii V’ fe1 b1 2K 40i 2K 100 1 b2 - 40i b1 Z Zi o a- Tính độ lợi dòng T: cho i i = 0 V1 V1 i b2 i b1 T = ' = . . ' (1) V1 i i = 0 i b2 i b1 V1 V1 3 = R E22 ()1+ h fe2 = 41.10 (2) i b2 i i i R .h b2 = b2 . C1 = − C1 fe1 i i i R + h + R ()()1+ h + R 1+ h b1 C1 b1 C1 ie2 E21 fe2 E22 fe2 (3) .2 103.40 80 = − = − = − ,0 941 2.103 +103 + 41.103 + 41.103 85 ' i b1 1 V1 1 1 −6 ' = ' . = = 4 3 = 91.10 (4) V1 V1 R f + h ie1 R f + h ie1 10 +10 Một số bài tập mẫu 34
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có: T = 41.10 3.(-0,941).91.10 -6 = -3,51 i L b- Tính Ai = cho V’ 1 = 0 ii i L i L i b2 i b1 A i = = . . (1) i i i b2 i b1 i i 3 i L i L i C2 R C2 .2 10 = . = − h. fe2 = − 3 .40 = −39 6, (2) i b2 i C2 i b2 R C2 + R L .2 10 +10 i b2 = − ,0 941 (như (3) ở phần trên) (3) i b1 4 i b1 R f 10 −2 = = 4 3 = 91.10 (4) i i R f + h ie1 10 + 10 Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có: -2 Ai = (-39,6).(-0,941).91.10 = 33,9 ≈ 34 c- Tính A if , Z if , Z of . A 34 A = i = = ,7 54 if 1− T 1+ ,3 51 4 3 Zi = R f//h ie1 = 10 //10 ≈ 910 Ω Z 910 Z = i = = 202Ω if 1− T 1+ ,3 51 Zo = R C2 = 2K Ω Z .2 103 Z = o = = 443Ω of 1− T 1+ ,3 51 2) Bài 7-11 +V CC RC 2K Rf = R b =10K C iL RL RE C ii 100 i L A i = = ? h fe = 100 i i GTh ib = 10Ω ; KL Zi ;Zo C → ∞ T = ? Một số bài tập mẫu 35
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I hie = h ib .h fe = 10.100 = 1K Ω ib ic iL Rf hie1 RC Rf + h i RL VL ii ’ fe b V L 1K 10K 100i b - Zo a- Độ lợi vòng T: cho i i = 0 VL VL i b T = ' = . ' (1) VL i i = 0 i b VL 3 3 2 VL VL iC R C 10 .10 .10 4 = . = −R L . h. fe = − 3 3 = − .5 10 (2) i b i C i b R C + R L 10 +10 ' i b 1 VL 1 1 −6 ' = ' . = = 4 3 = 91.10 (3) VL VL R f + h ie R f + h ie 10 + 10 Thay (2), (3) vào (1) ta có: T =(-5.10 4).91.10 -6 = -4,55 b- Tính A i, Z i, Z o. i L i L i b A i = ' = . (1) i i VL = 0 i b i i 3 i L i L i C R C 10 = . = − h. fe = − 3 .100 = −50 (2) i b i C i b R C + R L 10 +10 4 i b R f 10 −2 = = 4 3 = 91.10 (3) i i R f + h ie 10 +10 Thay (2), (3) vào (1) ta có: -2 Ai = (-50).91.10 = -45,45 4 3 Zi = R f//h ie = 10 //10 = 910 Ω 3 Zo = R C = 10 Ω = 1K Ω c- Tính A if , Z if , Z of . A 50 A = i = − = − 2,8 if 1− T 1+ ,4 55 Z 910 Z = i = = 164Ω if 1− T 1+ ,4 55 Z 10 4 Z = o = = 180Ω of 1− T 1+ ,4 55 Một số bài tập mẫu 36
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I II. Hồi tiếp áp, sai lệch áp: 1) Bài 7-10 +V CC RC2 RC1 R22 R21 2K 1K 10K 8K C VL R12 RE2 R11 10K C RE1 1K i 1K i 100 Rf =10K i L A i = = ? h fe = 50 i i GTh ib = 50Ω ; KL Z i ; Zo C → ∞ T = ? ib1 hie1 2,5K iC1 ib2 iC2 Rf.h fe1 RE1 hfe1 5 Rf 5.10 R hie2 Rb1 RC1 b2 10K RC2 5K + hfe1 ib1 h i ii 890 V’ 1K 5K 2,5K fe2 b2 2K L 50i b1 - 50i b2 Zo a- Tính độ lợi vòng T (cho i i = 0) VL VL i b2 i b1 T = ' = . . ' (1) VL i i = 0 i b2 i b1 VL V V i R .R L = L . C2 = − f C2 h. i i i R + R fe2 b2 C2 b2 f C2 (2) 10 4 .2. 103 = − .50 = − ,1 67.103.50 = −83 .5, 103 10 4 + 2.103 i i i R // R b2 = b2 . C1 = − C1 b2 h i i i ()R // R + h fe1 b1 C1 b1 C1 b2 ie2 (3) ,0 83.103.50 = − = −12,46 ,0 83.103 + .5,2 103 i − R .h 1 b1 = E1 fe1 . V ' R + h + h R. R h. + 'R L b1 ie1 fe1 E1 f fe1 (4) − .5 103 1 = . = − .2,1 10 −6 890 + .5,2 103 + .5 103 .5 10 5 + .2 103 Một số bài tập mẫu 37
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có: T = (-83,5.10 3).(-12,46).(1,2.10 -6)= -1,25 b- Tính A T, Z i, Z o. VL VL i b2 i b1 A T = = . . (1) i i i b2 i b1 i i i i L và b2 tính như trên theo công thức (2), (3) i b2 i b1 i b1 R b1 890 = = 3 3 = ,0 107 (4) i i R b1 + h ie1 + ()R E1 + R f h fe1 890 + .5,2 10 + ,4 95.10 Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có: 3 3 Ai = (-83,5.10 ).(-12,46).(0,107) = 111.10 V/A = 111V/mA Zi = R b1 //[h ie1 + (R E11 //R f)(1 + h fe )] = 890 //[2500 + 4950] = 795 Ω Zo = R f = 10K Ω c- Tính A Vf , Z of , Z if . A 111.103 V V A = T = = 49.103 = 49 Tf 1− T 1+ ,1 25 A mA Zif = Z i (1− T) = 795(1+1,25) = 1788Ω Z 10 4 Z = o = = 4444Ω of 1− T 1+ ,1 25 2) Bài 7-12 +V CC RC2 R21 RC1 R22 10K 500 10K 500 ri 1K C RE21 VL 22 R C E11 R12 + R 11 22 1K RE22 Vi 1K C 82 - RE12 C 82 R =1K f h = 20 A = ? fe V GTh ib = 50Ω ; KL Z i ;Zo C → ∞ T = ? Một số bài tập mẫu 38
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Rf(h fe1 +1) i i RC2 500 ii ri 1K ib1 hie1 1050 21K C1 ib2 hie2 1050 C2 + hfe1 ib1 20i b2 Rb1 RC1 RCb2 Vi + 20i b1 ’ 910 - 910 V L 500 - Z RE11 (1+h fe1 ) R 1050 i R (1+h )=462 Ω f Zo 462 E21 fe2 a- Tính độ lợi vòng T (cho V i = 0) ib1 hie1 1050 ’ ri Rb1 RE11 (1+h fe1 ) Rf(h fe1 +1) V L 1K 910 462 21K Rf(1+h fe1 ) VL VL i b2 i b1 T = ' = . . ' (1) VL i i = 0 i b2 i b1 VL VL VL i C2 R f .R C2 3 = . = − h. fe2 = −()10 // 500 .20 = −6667 (2) i b2 i C2 i b2 R f + R C2 i i i R // R b2 = b2 . C1 = − C1 b2 h i i i ()()R // R + h + R 1+ h fe1 b1 C1 b1 C1 b2 ie2 E21 fe2 (3) 323.20 6460 = − = − = − ,3 52 323 +1050 + 462 1835 i 1 V , (R // R )(1+ h ) b1 = − . L . E11 f fe1 V ' V, R ()1+ h (R // R )(1+ h )+ h + (r // R ) L L f fe1 E11 f fe1 ie1 i b1 (4) 1 452 452.10 −3 = − . = − = −10,88.10 −6 21.103 452 +1050 + 476 4, 41546 4, Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có: T = (-6667).(-3,52).(-10,88.10 -6)= -0,255 b- Tính A V, Z i, Z o. VL VL i b2 i b1 A V = = . . (1) Vi i b2 i b1 Vi V i L và b2 tính như trên theo công thức (2), (3) i b2 i b1 i 1 V r // R b1 = . i . i b1 V V r (r // R )+ h + (R // R )(1+ h ) i i i i b1 ie1 E11 f fe1 (4) 1 476 4, 476 .4, 10 −3 = . = = 24.10 −5 103 476 4, +1050 + 452 1978 4, Một số bài tập mẫu 39
- Khoa Điện - Điện tử Viễn thông Mạch Điện Tử I Thay (2), (3), (4) vào (1) ta có: -5 AV = (-6667)(-3,52).24.10 = 5,63 3 Zi = R b//[h ie1 + (R E11 //R f)(1 + h fe1 )] = 10 //1502 ≈ 600 Ω Zo = R f = 1000 Ω c- Tính A Vf , Z if , Z of . A 5,63 A = V = = ,4 486 Vf 1− T 1+ ,0 255 Zif = Zi (1− T) = 600(1+ 0,255) = 753Ω Z 1000 Z = o = = 797Ω of 1− T 1+ ,0 255 Một số bài tập mẫu 40