Bài giảng môn Kỹ thuật điện tử

Nội dung text: Bài giảng môn Kỹ thuật điện tử

1. TRƯỜNG KHOA Bài giảng kỹ thuật điện tử
2. Chương 1 MỞ ĐẦU Kỹ thuật điện tử và tin học là một ngành mũi nhọn mới phát triển. Trong một khoảng thời gian tương đối ngắn (so với các ngành khoa học khác), từ khi ra đời tranzito (1948), nó đã có những tiến bộ nhảy vọt, mang lại nhiều thay đối lớn và sâu sắc trong hầu hết mọi lĩnh vực của đời sống, dần trở thành một trong những công cụ quan trọng nhất của cách mạng kỹ thuật trình độ cao (mà điểm trung tâm là tự động hóa từng phần hoặc hoàn toàn, tin học hoá, phương pháp công nghệ và vật liệu mới). Để bước đầu làm quen với những vấn đề cơ bản nhất của ngành mang ý nghĩa đại cương, chương mở đầu sẽ đề cập tới các khái niệm cơ sở nhập môn và giới thiệu cấu trúc các hệ thống điện tử điển hình. 1.1. CÁC ĐẠI LƯỢNG CƠ BẢN 1.1.1 Điện áp và dòng điện Có hai khái niệm định lượng cơ bản của một mạch điện. Chúng cho phép xác định trạng thái về điện ở những điểm, những bộ phận khác nhau vào những thời điểm khác nhau của mạch điện và do vậy chúng còn được gọi là các thông số trạng thái cơ bản của một mạch điện. Khái niệm điện áp được rút ra từ khái niệm điện thế trong vật lý, là hiệu số điện thế giữa hai điểm khác nhau của mạch điện. Thường một điểm nào đó của mạch được chọn làm điểm gốc có điện thế bằng 0 (điểm nối đất). Khi đó, điện thế của mọi điểm khác trong mạch có giá trị âm hay dương được mang so sánh với điểm gốc và được hiểu là điện áp tại điểm tương ứng. Tổng quát hơn, điện áp giữa hai điểm A và B của mạch (ký hiệu là UAB)xác định bởi: UAB = VA - VB = -UBA Với VA và VB là điện thế của A và B so với gốc (điểm nói đất hay còn gọi là nối mát). Khái niệm dòng điện là biểu hiện trạng thái chuyển động của các hạt mang điện trong vật chất do tác động của trường hay do tồn tại một gradien nồng độ hạt theo không gian. Dòng điện trong mạch có chiều chuyển động từ nơi có điện thế cao đến nơi có điện thế thấp, từ nơi có mật độ hạt tích điện dương cao đến nơi có mật độ hạt tích điện dương thấp và do vậy ngược với chiều chuyển động của điện tử. Từ các khái niệm đã nêu trên, cần rút ra mấy nhận xét quan trọng sau: a) Điện áp luôn được đo giữa hai điểm khác nhau của mạch trong khi dòng điện được xác định chỉ tại một điểm của mạch. b) Để bảo toàn điện tích, tổng các giá trị các dòng điện đi vào một điểm của mạch luôn bằng tổng các giá trị dòng điện đi ra khỏi điểm đó (quy tắc nút với dòng điện). Từ đó suy ra, trên một đoạn mạch chỉ gồm các phần tử nối tiếp nhau thì dòng điện tại mọi điểm là như nhau. 1
3. c) Điện áp giữa hai điểm A và B khác nhau của mạch nếu đo theo mọi nhánh bất kỳ có điện trở khác không (xem khái niệm nhánh ở 1.1.4) nối giữa A và B là giống nhau và bằng UAB. Nghĩa là điện áp giữa 2 đầu của nhiều phần tử hay nhiều nhánh nối song song với nhau luôn bằng nhau. (Quy tắc vòng đối với điện áp). 1.1.2. Tính chất điện của một phần tử (Ghi chú: khái niệm phần tử ở đây là tổng quát, đại diện cho một yếu tố cấu thành mạch điện hay một tập hợp nhiều yếu tố tạo nên một bộ phận của mạch điện. Thông thường, phần tử là một linh kiện trong mạch) 1. Định nghĩa: Tính chất điện của một phần tử bất kì trong một mạch điện được thể hiện qua mối quan hệ tương hỗ giữa điện áp U trên hai đầu của nó và dòng điện I chạy qua nó và được định nghĩa là điện trở (hay điện trở phức - trở kháng) của phần tử. Nghĩa là khái niệm điện trở gắn liền với quá trình biến đổi điện áp thành dòng điện hoặc ngược lại từ dòng điện thành điện áp. a) Nếu mối quan hệ này là tỉ lệ thuận, ta có định luật ôm: U = R.I (1-1) Ở đây, R là một hằng số tỷ lệ được gọi là điện trở của phần tử và phần tử tương ứng được gọi là một điện trở thuần. . Hình 1.1. Các dạng điện trở, biến trở b) Nếu điện áp trên phần tử tỷ lệ với tốc độ biến đổi theo thời gian của dòng điện trên nó, tức là : dI U = L (ở đây L là một hằng số tỉ lệ) (1-2) dt ta có phần tử là một cuộn dây có giá trị điện cảm là L. 2
4. Hình 1.3. Cuộn cảm, biến áp trong mạch điện tử c) Nếu dòng điện trên phần tử tỉ lệ với tốc độ biến đổi theo thời gian của điện áp trên nó, tức là: dU I = C (ở đây C là một hằng số tỷ lệ) (1-3) dt ta có phần tử là một tụ điện có giá trị điện dung là C. d) Ngoài các quan hệ đã nêu trên, trong thực tế còn tồn tại nhiều quan hệ tương hỗ đa dạng và phức tạp giữa điện áp và dòng điện trên một phần tử. Các phần tử này gọi chung là các phần tử không tuyến tính và có nhiều tính chất đặc biệt. Điện trở của chúng được gọi chung là các điện trở phi tuyến, điển hình nhất là đốt, tranzito, thiristo và sẽ được đề cập tới ở các phần tiếp sau. 2. Các tính chất quan trọng của phần tử tuyến tính là: a) Đặc tuyến Vôn - Ampe (thể hiện qua quan hệ U(I)) là một đường thẳng. b) Tuân theo nguyên lý chồng chất. Tác động tổng cộng bằng tổng các tác động riêng lẻ lên nó. Đáp ứng tổng cộng (kết quả chung) bằng tổng các kết quả thành phần do tác động thành phần gây ra. c) Không phát sinh thành phần tần số lạ khi làm việc với tín hiệu xoay chiều (không gây méo phi tuyến). Đối lập với phần tử tuyến tính là phần tử phi tuyến có các tính chất sau: 3
5. Hình 1.2. Tụ điện trong thực tế a) Đặc tuyến VA là một đường cong (điện trở thay đổi theo điểm làm việc). b) Không áp dụng được nguyên lý chồng chất. c) Luôn phát sinh thêm tần số lạ ở đầu ra khi có tín hiệu xoay chiều tác động ở đầu vào. 3. Ứng dụng - Các phần tử tuyến tính (R, L, C), có một số ứng dụng quan trọng sau: a) Điện trở luôn là thông số đặc trưng cho hiện tượng tiêu hao năng lượng (chủ yếu dưới dạng nhiệt) và là một thông số không quán tính. Mức tiêu hao năng lượng của điện trở được đánh giá bằng công suất trên nó, xác định bởi: P = U.I = I2R = U2/R ( 1-4) Trong khi đó, cuộn dây và tụ điện là các phần tử về cơ bản không tiêu hao năng lượng (xét lý tưởng) và có quán tính. Chúng đặc trưng cho hiện tượng tích lũy năng lượng từ trường hay điện trường của mạch khi có dòng điện hay điện áp biến thiên qua chúng. Ở đây, tốc độ biến đổi của các thông số trạng thái (điện áp, dòng điện) có vai trò quyết định giá trị trở kháng của chúng, nghĩa là chúng có điện trở phụ thuộc 4
6. vào tần số (vào tốc độ biến đổi của điện áp hay dòng điện tính trong một đơn vị thời gian). Với tụ điện, từ hệ thức (1-3), dung kháng của nó giảm khi tăng tần số và ngược lại với cuộn dây, từ (1-2) cảm kháng của nó tăng theo tần số. b) Giá trị điện trở tổng cộng của nhiều điện trở nối tiếp nhau luôn lớn hơn của từng cái và có tính chất cộng tuyến tính. Điện dẫn (là giá trị nghịch đảo của điện trở) của nhiều điện trở nối song song nhau luôn lớn hơn điện dẫn riêng rẽ của từng cái và cũng có tính chất cộng tuyến tính. Hệ quả là: - Có thể thực hiện việc chia nhỏ một điện áp (hay dòng điện) hay còn gọi là thực hiện việc dịch mức điện thế (hay mức đòng điện) giữa các điểm khác nhau của mạch bằng cách nối nối tiếp (hay song song) các điện trở. - Trong cách nối nối tiếp, điện trở nào lớn hơn sẽ quyết định giá trị chung của dãy. Ngược lại, trong cách nối song song, điện trở nào nhỏ hơn sẽ có vai trò quyết định. Việc nối nối tiếp {hay song song) các cuộn dây sẽ dẫn tới kết quả tương tự như đối với các điện trở: sẽ làm tăng (hay giảm) trị số điện cảm chung. Đối với tụ điện, khi nối song song chúng, điện dung tổng cộng tăng: Css = C1 + C2 + Cn (1-5) còn khi nối nối tiếp, điện dung tổng cộng giảm: 1/Cnt = 1/C1+ 1/C2 + + 1/Cn (1-6) c) Nếu nối nối tiếp hay song song R với L hoặc C sẽ nhận được một kết cấu mạch có tính chất chọn lọc tần số (trở kháng chung phụ thuộc vào tần số gọi là các mạch lọc tần số). d) Nếu nối nối tiếp hay song song L với C sẽ dẫn tới một kết cấu mạch vừa có tính chất chọn lọc tần số, vừa có khả năng thực hiện quá trình trao đổi qua lại giữa hai dạng năng lượng điện - từ trường, tức là kết cấu có khả năng phát sinh dao động điện áp hay dòng điện nếu ban đầu được một nguồn năng lượng ngoài kích thích, (vấn đề này sẽ gặp ở mục 2.4). 1.1.3. Nguồn điện áp và nguồn dòng điện a) Nếu một phần tử tự nó hay khi chịu các tác động không có bản chất điện từ,có khả năng tạo ra điện áp hay dòng điện ở một điểm nào đó của mạch điện thì nó được gọi là một nguồn sức điện động (s.đ.đ). Hai thông số đặc trưng cho một nguồn s.đ.đ là : - Giá trị điện áp giữa hai đầu lúc hở mạch (khi không nối với bất kì một phần tử nào khác từ ngoài đến hai đầu của nó) gọi là điện áp lúc hở mạch của nguồn kí hiệu là Uhm - Giá trị dòng điện của nguồn đưa ra mạch ngoài lúc mạch ngoài dẫn điện hoàn toàn: gọi là giá trị dòng điện ngắn mạch của nguồn kí hiệu là Ingm . Một nguồn s.đ.đ được coi là lý tưởng nếu điện áp hay dòng điện do nó cung cấp cho mạch ngoài không phụ thuộc vào tính chất của mạch ngoài (mạch tải). 5
7. b) Trên thực tế, với những tải có giá trị khác nhau, điện áp trên hai đầu nguồn hay dòng điện do nó cung cấp có giá trị khác nhau và phụ thuộc vào tải. Điều đó chứng tỏ bên trong nguồn có xảy ra quá trình biến đổi dòng điện cung cấp thành giảm áp trên chính nó, nghĩa là tồn tại giá trị điện trở bên trong gọi là điện trở trongcủa nguồn kí hiệu là Rng Uhm Rng = (1-7) Ingm Nếu gọi U và I là các giá trị điện áp và dòng điện do nguồn cung cấp khi có tải hữu hạn 0 < Rt< ∞ thì: U - U R = hm (1-8) ng I Từ (l-7) và (l-8) suy ra: U Ingm = +I (1-9) Rng Từ các hệ thức trên, ta có các nhận xét sau: 1. Nếu Rng→ 0. thì từ hệ thức (1-8) ta có U → Uhm khi đó nguồn s.đ.đ là một nguồn điện áp lý tưởng. Nói cách khác một nguồn điện áp càng gần lí tưởng khi điện trở trong Rng của nó có giá trị càng nhỏ. 2. Nếu Rng → ∞, từ hệ thức (1-9) ta có I → Ingm nguồn sđđ khi đó có dạng là một nguồn dòng điện lí tưởng hay một nguồn dòng điện càng gần lí tưởng khi Rng của nó càng lớn. 3. Một nguồn s.đ.đ. trên thực tế được coi là một nguồn điện áp hay nguồn dòng điện tùy theo bản chất cấu tạo của nó để giá trị Rng là nhỏ hay lớn. Việc đánh giá Rng tùy thuộc tương quan giữa nó với giá trị điện trở toàn phần của mạch tải nối tới hai đầu của nguồn xuất phát từ các hệ thức (1-8) và (l-9) có hai cách biểu diễn kí hiệu nguồn (sđđ) thực tế như trên hình 1.1 a và b 4. Một bộ phận bất kì của mạch có chứa nguồn, không có liên hệ hỗ cảm với phần còn lại của mạch mà chỉ nối với phần còn lại này ở hai điểm, luôn có thể thay thế bằng một nguồn tương đương với một điện trở trong là điện trở tương đương của bộ phận mạch đang xét. Trường hợp riêng, nếu bộ phận mạch bao gồm nhiều nguồn điện áp nối với nhiều điện trở theo một cách bất kì, có 2 đầu ra sẽ được thay thế bằng chỉ một nguồn điện áp tương đương với một điện trở trong tương đương (định lí về nguồn tương đương của Tevơnin) 6
8. Hình 1.4. a) Biểu diễn tương đương nguồn điện áp; b) nguồn dòng điện 1.1.4. Biểu diễn mạch điện bằng các kí hiệu và hình vẽ (sơ đồ) Có nhiều cách biểu diễn một mạch điện tử, trong đó đơn giản và thuận lợi hơn cả là cách biểu diễn bằng sơ đồ gồm tập hợp các kí hiệu quy ước hay kí hiệu tương đương của các phần tử được nối với nhau theo một cách nào đó (nối tiếp, song song, hỗn hợp nối tiếp song song hay phối ghép thích hợp) nhờ các đường nối có điện trở bằng 0. Khi biểu diễn như vậy, xuất hiện một vài yếu tố hình học cần làm rõ khái niệm là: • Nhánh (của sơ đồ mạch) là một bộ phận của sơ đồ, trong đó chỉ bao gồm các phần tử nối nối tiếp nhau, qua nó chỉ có một dòng điện duy nhất • Nút là một điểm của mạch chung cho từ ba nhánh trở lên. • Vòng là một phần của mạch bao gồm một số nút và nhánh lập thành một đường kín mà dọc theo nó mỗi nhánh và nút phải vẫn chỉ gặp một lần (trừ nút được chọn làm điểm xuất phát). • Cây là một phần của mạch bao gồm toàn bộ số nút và nhánh nối giữa các nút đó nhưng không tạo nên một vòng kín nào. Các nhánh của cây được gọi là nhánh cây, các nhánh còn lại của mạch không thuộc cây được gọi là bù cây. Các yếu tố nêu trên được sử dụng đặc biệt thuận lợi khi cần phân tích tính toán mạch bằng sơ đồ. Người ta còn biểu diễn mạch gọn hơn bằng một sơ đồ gồm nhiều khối có những đường liên hệ với nhau. Mỗi khối bao gồm một nhóm các phần tử liên kết với nhau để cùng thực hiện một nhiệm vụ kĩ thuật cụ thể được chỉ rõ (nhưng không chỉ ra cụ thể cách thức liên kết bên trong khối). Đó là cách biểu diễn mạch bằng sơ đồ khối rút gọn, qua đó dễ dàng hình dung tổng quát hoạt động của toàn bộ hệ thống mạch điện tử. 7
9. 1.2. TIN TỨC VÀ TÍN HIỆU Tin tức và tín hiệu là hai khái niệm cơ bản của kĩ thuật điện tử tin học, là đối tượng mà các hệ thống mạch điện tử có chức năng như một công cụ vật chất kĩ thuật nhằm tạo ra, gia công xử lí hay nói chung nhằm chuyển đổi giữa các dạng năng lượng để giải quyết một mục tiêu kĩ thuật nhất định nào đó. 1.2.2. Tin tức được hiểu là nội dung chứa đựng bên trong một sự kiện, một biến cố hay một quá trình nào đó (gọi là nguồn tin). Trong hoạt động đa dạng của con người, đã từ lâu hình thành nhu cấu trao đồi tin tức theo hai chiêu: về không gian biến cố xảy ra tại nơi A thì cần nhanh chóng được biết ở những nơi ngoài A và về thời gian: biến cố xảy ra vào lúc to cần được lưu giữ lại để có thể biết vào lúc to + T với khả năng T "∞, nhu cầu này đã được thỏa mãn và phát triển dưới nhiều hình thức và bằng mọi phương tiện vật nhất phù hợp với trình độ phát triển của xã hội (kí hiệu, tiếng nói, chữ viết hay bằng các phương tiện tải tin khác nhau). Gần đây, do sự phát triển và tiến bộ nhanh chóng của kĩ thuật điện tử, nhu cầu này ngày càng được thỏa mãn sâu sắc trong điều kiện của một sự bùng nổ thông tin của xã hội hiện đại. Tính chất quan trọng nhất của tin tức là nó mang ý nghĩa xác suất thống kê, thể hiện ở các mặt sau: a) Nội dung chứa trong một sự kiện càng có ý nghĩa lớn (ta nói sự kiện có lượng tin tức cao) khi nó xảy ra càng bầt ngờ, càng ít được chờ đợi. Nghĩa là lượng tin có độ lớn tỉ lệ với độ bất ngờ hay tỉ lệ ngược với xác suất xuất hiện của sự kiện và có thể dùng xác suất là mức đo lượng tin tức. b) Mặc đù đã nhận được "nội dung" của một sự kiện nào đó, trong hầu hết mọi trường hợp, người ta chỉ khẳng đinh được tính chắc chắn, xác thực của nó với một độ tin cậy nào đó. Mức độ chắc chắn càng cao khi cùng một nội dung được lặp lại (về cơ bản) nhiều lần, nghĩa là tin tức còn có tính chất trung bình thống kê phụ thuộc vào mức độ hỗn loạn của nguồn tin, của môi trường (kênh) truyền tin và cả vào nơi nhận tin, vào tất cả khả năng gây sai lầm có thể của một hệ thống thông tin. Người ta có thể dùng Entropy để đánh giá lượng tin thông qua các giá trị entropy riêng rẽ của nguồn tin, kênh truyền tin và nơi nhận tin. c) Tin tức không tự nhiên sinh ra hoặc mất đi mà chỉ là một biểu hiện của các quá trình chuyền hóa năng lượng hay quá trình trao đổi năng lượng giữa hai dạng vật chất và trường. Phần lớn các quá trình này là mang tính ngẫu nhiên tuân theo các quy luật phân bố của lí thuyết xác suất thống kê. Tuy nhiên có thể thấy rằng, nếu một hệ thống có năng lượng ổn định, mức độ trật tự cao thì càng khó thu thập được tin tức từ nó và ngược lại. Cơ sở toán học để đánh giá định lượng các nhận xét trên được trình bày trong các giáo trình chuyên ngành về lí thuyết thông tin. 1.2.3. Tín hiệu là khái niệm để mô tả các biểu hiện vật lý của tin tức. Các biểu hiện này đa dạng và thường được phân chia thành hai nhóm: có bản chất điện từ và không có bản chất điện từ. Tuy nhiên, dạng cuối cùng thường gặp trong các hệ thống điện tử, thể hiện qua thông số trạng thái điện áp hay đòng điện, là có bản chất điện từ. 8
10. • Có thể coi tín hiệu nói chung (dù dưới dạng nào) là một đại lượng vật lý biến thiên theo thời gian và biểu diễn nó dưới dạng một hàm số hay đồ thị theo thời gian là thích hợp hơn cả. • Nếu biểu thức theo thời gian của một tín hiệu là s(t) thỏa mãn điều kiện: s(t) = s(t + T) (1- 10) Với mọi t và ở đây T là một hằng số thì s(t) được gọi là một tín hiệu tuần hoàn theo thời gian. Giá trị nhỏ nhất trong tập {T} thỏa mãn (1-10) gọi là chu kỳ của s(t). Nếu không tồn tại một giá trị hữu hạn của T thỏa mãn (1-10) thì ta có s(t) là một tín hiệu không tuần hoàn. Dao động hình sin (h.1.2) là dạng đặc trưng nhất của các tín hiệu tuần hoàn, có biểu thức dạng s(t) = Acos(ωt-φ) (1-11) Hình 1.5. Tín hiệu hình sin và các tham số trong (1-11) A, ω, φ là các hằng số và lần lượt được gọi là biên độ, tần số góc và góc pha ban đầu của s(t), có các mối liên hệ giữa ω , T và f như sau : 2π 1 ω= ;f = (1-12) T T • Cũng có thể chia tín hiệu theo cách khác thành hai dạng cơ bản là biến thiên liên tục theo thời gian (tín hiệu tương tự - analog) hay biến thiên không liên tục theo thời gian (tín hiệu xung số - digital). Theo đó, sẽ có hai dạng mạch điện tử cơ bản làm việc (gia công xử lí) với từng loại trên. Các dạng tín hiệu vừa nêu trên, nếu có biếu thức s(t) hay đồ thị biểu diễn xác định, được gọi là loại tín hiệu xác định rõ ràng. Ngoài ra, còn một lớp các tín hiệu mang tính ngẫu nhiên và chỉ xác định được chúng qua các phép lấy mẫu nhiều lần và nhờ các quy luật của phân bố xác suất thống kê, được gọi là các tín hiệu ngẫu nhiên. 9
11. Hình 1.6. Các dạng xung thường gặp 1.2.4. Các tính chất của tín hiệu theo cách biểu diễn thời gian τ a) Độ dài và trị trung bình của một tín hiệu Độ dài của tín hiệu là khoảng thời gian tồn tại của nó (từ lúc bắt đầu xuất hiện đến lúc mất đi). Độ dài mang ý nghĩa là khoảng thời gian mắc bận với tín hiệu của một mạch hay hệ thống điện tử. Nếu thiệu s(t) xuất hiện lúc to có độ dài là t thì giá trị trung bình của s(t), ký hiệu là s(t) được xác định bởi: 1 to+τ s(t) = s(t)dt (1-13) τ ∫to b) Năng lượng, công suất và trị hiệu dụng: Năng lượng Es của tín hiệu s(t) được xác định bởi to+t 2 ¥ 2 Es= S (t)dt = S (t)dt (1-14) òto ò-¥ Công suất trung bình của s(t) trong thời gian tồn tại của nó được định nghĩa bởi: 1 to+t Es s(t) = s(t)dt = (1-15) t òto τ Giá trị hiệu dụng của s(t) được định nghĩa là: 10
12. 1 to +τ E S s2(t)dt = S2(t) = s (1-16) hd= τ ∫ τ to c) Dải động của tín hiệu là tỷ số giữa các giá trị lớn nhất và nhỏ nhất của công suất tức thời của tín hiệu. Nếu tính theo đơn vị logarit (dexibel), dải động được định nghĩa là : max{s2 (t)} maxs(t) DdB = 10lg = 20lg (1-17) min{s2(t)} mins(t) thông số này đặc trưng cho khoảng cường độ hay khoảng độ lớn của tín hiệu tác động lên mạch hoặc hệ thống điện tử. d) Thành phần một chiều và xoay chiều của tín hiiệu: Một tín hiệu s(t) luôn có thể phân tích thành hai thành phần một chiều và xoay chiều sao cho: s(t) = s~+ s= (1-18) với s~ là thành phần biến thiên theo thời gian của s(t) và có giá trị trung bình theo thời gian bằng 0 và s= là thành phần cố định theo thời gian (thành phần 1 chiều). Theo các hệ thức(1-13) van (1-18) có : 1 to +t s(t) = s = s(t)dt (1-19) = τ ò to lúc đó : s- = s(t) -s(t) và s~ = s(t) s(t) = 0 (1-20) e) Các thành phần chẵn và lẻ của tín hiệu Một tín hiệu s(t) cũng luôn có thể phân tích cách khác thành hai thành phần chẵn và lẻ được xác định như sau 1 sch(t) = Sch(-t) = [ s(t) + s(-t) (1-21) 2 1 slẻ(t) = -slẻ(-t) = [ s(t) - s(-t)] 2 từ đó suy ra: sch(t) + slẽ(t) = s(t) 11
13. sch (t) = s(t);sle = 0 (1-22) f) Thành phần thực và ảo của tín hiệu hay biểu diễn phức của một tín hiệu Một tín hiệu s(t) bất kì có thể biểu diễn tổng quát dưới dạng một số phức : s(t) = Res(t) - jIms(t) (1-23) Ở đây Re s(t) là phần thực và Im s(t) là phần ảo của s(t) là: Theo định nghĩa, lượng liên hợp phức của s(t) là: s* (t) = Res(t) - jIms(t) (1-24) Khi đó các thành phần thực và ảo của s(t) theo (l-23) và (l-24) được xác định bởi: 1 Res(t) = [s(t) + s* (t) 2 1 Im s(t) = [s(t) - s* (t)] (1-25) 2 1.3. CÁC HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ ĐIỂN HÌNH Hệ thống điện tử là một tập hợp các thiết bị điện tử nhằm thực hiện một nhiệm vụ kỹ thuật nhất định như gia công xử lý tin tức, truyền thông tin dữ liệu, đo lường thông số điều khiển tự chỉnh Về cấu trúc một hệ thống điện tử có hai dạng cơ bản: dang hệ kín, ở đó thông tin được gia công xử lý theo cả hai chiều nhằm đạt tới một điều kiện tối ưu định trước hay hệ hở ở đó thông tin được truyền chỉ theo một hướng từ nguồn tin tới nơi nhận tin. 1.3.2. Hệ thống thông tin thu - phát Có nhiệm vụ truyền một tin tức dữ liệu theo không gian (trên một khoảng cách nhất định) từ nguồn tin tới nơi nhận tin. 1.Cấu trúc sơ đồ khối: 2. Các đặc điểm chủ yếu a) Là dạng hệ thống hở. b) Bao gồm 2 quá trình cơ bản. 12
14. Hình 1.7. Sơ đồ khối hệ thống thông tin dân dụng Quá trình gắn tin tức cần gửi đi vào một tải tin tần số cao bằng cách bắt đao động tải tin có một thông số biến thiên theo quy luật của tin tức gọi là quá trình điều chế tại thiết bị phát. Quá trình tách 'tin 'tức' khỏi tải tin để lấy lại nội dung tin tức tần số thấp tại thiết bị thu gọi là quá trình dải điều chế . c) Chất lượng và hiệu quả cũng như các đặc điểm của hệ do 3 yếu tố quy định: Đặc điểm của thiết bị phát, đặc điểm của thiết bị thu và môi trường thực hiện quá trình truyền tin (địa hình, thời tiết, nhiễu ) Ba yếu tố này được đảm bảo nâng cao chất lượng một cách riêng rẽ để đạt hiệu quả thông tin cao, trong đó tại nguồn tin là các điều kiện chủ động, hai yếu tố còn lại là yếu tố bị động. d) Các chỉ tiêu quan trọng nhất của hệ: Dạng điều chế (AM, FM, analog, digita/), công suất bức xạ của thiết bị phát, khoảng cách và điều kiện môi trường truyền, độ nhạy và độ chọn lọc của thiết bị thu. 1.3.3. Hệ đo lường điện tử Hệ loại này có nhiệm vụ thu thập tin tức dữ liệu về một đối tượng hay quá trình nào đó để đánh giá thông số hoặc trạng thái của chúng. 1. Cấu trúc khối: Hình 1.8. Hệ thống đo lường 2. Các đặc điểm cơ bản: a) Là hệ cấu trúc dạng hở 13
15. b) Có hai phương pháp cơ bản thực hiện quá trình đo: phương pháp tiếp xúc (thiết bị đầu vào tiếp xúc trực tiếp với đối tượng đo là nguồn tin) và phương pháp không tiếp xúc. Bộ biến đổi đầu vào là quan trọng nhất, có nhiệm vụ biến đổi thông số đại lượng cần đo (thường ở dạng một đại lượng vật lý) về dạng tín hiệu điện tử có tham số tỷ lệ với đại lượng cần đo. (Ví dụ: áp suất biến đổi thành điện áp, nhiệt độ hoặc độ ẩm hay vận tốc biến đổi thành điện áp hoặc dòng điện ). c) Sự can thiệp của bất kỳ thiết bị đo nào vào đối tượng đo dẫn tới hệ quả là đối tượng đo không còn đứng độc lập và do đó xảy ra quá trình mất thông tin tự nhiên dẫn đến sai số đo. d) Mọi cố gắng nhằm nâng cao độ chính xác của phép đo đều làm tăng tính phức tạp; tăng chi phí kỹ thuật và làm xuất hiện các nguyên nhân gây sai số mới và đôi khi làm giảm độ tin cậy của phép đo. e) Về nguyên tắc có thể thực hiện gia công tin tức đo liên tục theo thời gian (phương pháp analog) hay gia công rời rạc theo thời gian (phương pháp digital). Yếu tố này quy định các đặc điểm kỹ thuật và cấu trúc. Cụ thể là ở phương pháp analog, đại lượng đo được theo dõi liên tục theo thời gian còn ở phương pháp digital đại lượng đo được lấy mẫu giá trị ở những thời điểm xác định và so với các mức cường độ chuẩn xác định. Phương pháp digital cho phép tiết kiệm năng lượng, nâng cao độ chính xác và khả năng phối ghép với các thiết bị xử lý tin tự động. f) Có khả năng đo nhiều thông số (nhiều kênh) hay đo xa nhờ kết hợp thiết bị đo với một hệ thống thông tin truyền dữ liệu, đo tự động nhờ một chương trình vạch sẵn (đo điều khiển bằng µp) 1.3.4. Hệ tự điều chỉnh Hệ có nhiệm vụ theo dõi khống chế một hoặc vài thông số của một quá trình sao cho thông số này phải có giá trị nằm trong một giới hạn đã định trước (hoặc ngoài giới hạn này) tức là có nhiệm vụ ổn định thông số (tự động) ở một trị số hay một dải trị số cho trước. 1. Sơ đồ cấu trúc 2. Các đặc điểm chủ yếu a) Là hệ dạng cấu trúc kín: thông tin truyền theo hai hướng nhờ các mạch phản hồi. b) Thông số cần đo và khống chế được theo dõi liên tục và duy trì ở mức hoặc giới hạn định sẵn. o Ví dụ : T (cần theo dõi khống chế) được biến đổi trước tiên thành Ux sau đó, so sánh Ux với Uch để phát hiện ra dấu và độ lớn của sai lệch (Uch tương ứng với mức chuẩn Tch được định sẵn mà đối tượng cần được khống chế ở đó). Sau khi được khuếch đại lượng sai lệch ΔU = Ux - Uch được đưa tới khối chấp hành để điều khiển tăng hoặc giảm Tx theo yêu cầu tùy dấu và độ lớn của ΔU. Sẽ có 3 khà năng: 14
16. Hình 1.9. Hệ tự động điều chỉnh • Khi ΔU = 0, ta có Tx = Tch. (Ux = Uch) đối tượng đang ở trạng thái mong muốn, nhánh thông tin ngược không hoạt động. • Khi ΔU > 0 (Ux > Uch) Tx > Tch hệ điều chỉnh làm giảm Tx . • Khi ΔU < 0 Tx < Tch hệ điều chỉnh làm tăng Tx. quá trình điều chỉnh Tx chỉ ngừng khi ΔU = 0. c) Độ mịn (chính xác) khi điều chỉnh phụ thuộc vào: • Độ chính xác của quá trình biến đổi từ Tch thành Uch • Độ phân dải của phần tử so sánh (độ nhỏ của ΔU) • Độ chính xác của quá trình biến đổi Tx thành Ux • Tính chất quán tính của hệ. d) Có thề điêu chỉnh liên tục theo thời gian (analog) hay gián đoạn theo thời gian miễn sao đạt được giá trị trung bình mong đợi. Phương pháp digital cho phép, tiết kiệm năng lượng của hệ và ghép nối với hệ thống tự động tính toán. e) Chú ý rằng, thông thường nếu chọn một ngưỡng Uch ta nhận được kết quả là hệ điêu khiển có hành động hay không tùy theo Ux đang lớn hơn hay nhỏ hơn Uch (và do đó tham số vật lý cần theo dõi đang lớn hơn hay nhỏ hơn giá trị ngưỡng định sẵn từ trước). Khi chọn được hai mức ngưỡng Uchl vă Uch2 hệ sẽ hành động mỗi khi Ux nằm lọt vào trong khoảng hai giá trị ngưỡng hoặc ngược lại, điều này mang ý nghĩa thực tế hơn của một hệ tự động điều chỉnh. Trường hợp với một mức ngưỡng, hệ mang ý nghĩa dùng để điều khiển trạng thái (hành vi) của đối tượng. 15
17. Chương 2 KỸ THUẬT TƯƠNG TỰ 2.1. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN - PHẦN TỬ MỘT MẶT GHÉP P-N 2.1.1. Chất bán dẫn nguyên chất và chất bán dẫn tạp chất a - Cấu trúc vùng năng lượng của chất rắn tinh thể Ta đã biết cấu trúc năng lượng của một nguyên tử đứng cô lập có dạng là các mức rời rạc. Khi đưa các nguyên tử lại gần nhau, do tương tác, các mức này bị suy biến thành những dải gốm nhiều mức sát nhau được gọi là các vùng năng lượng. Đây là dạng cấu trúc năng lượng điển hình của vật rắn tinh thể. Tùy theo tình trạng các mức năng lượng trong một vùng có bị điện tử chiếm chỗ hay không, người ta phân biệt 3 loại vùng năng lượng khác nhau: - Vùng hóa trị (hay còn gọi là vùng đầy), trong đó tất cả các mức năng lượng đều đã bị chiếm chỗ, không còn trạng thái (mức) năng lượng tự do. - Vùng dẫn (vùng trống), trong đó các mức năng lượng đều còn bỏ trống hay chỉ bị chiếm chỗ một phần. - Vùng cấm, trong đó không tồn tại các mức năng lượng nào để điện tử có thể chiếm chỗ hay xác suất tìm hạt tại đây bằng 0. Tùy theo vị trí tương đổi giữa 3 loại vùng kể trên, xét theo tính chất dẫn điện của mình, các. chất rắn cấu trúc tinh thể được chia thành 3 loại (xét ở 00K) thể hiện trên hình 2.1. Vùn g dẫn Vùng dẫn Vùng dẫn 0 2eV ; b) Chất bán dẫn điện 0 < Eg ≤ 2eV; c) Chất dẫn điện Chúng ta đẫ biết, muốn tạo dòng điện trong vật rắn cần hai quá trình đồng thời: quá trình tạo ra hạt dẫn tự do nhờ được kích thích năng lượng và quá trình chuyển động có hướng của các hạt dẫn điện này dưới tác dụng của trường. Dưới đây ta xét tới cách dẫn điện của chất bán dẫn nguyên chất (bán dẫn thuần) và chất bán dẫn tạp chất mà điểm khác nhau chủ yếu liên quan tới quá trình sinh (tạo) các hạt dẫn tự do trong mạng tinh thể. 16
18. b- Chất bán dẫn thuần Hai chất bán dẫn thuần điển hình là Gemanium (Ge) và Silicium (Si) có cấu trúc vùng năng lượng dạng hình 2.1b với Eg = 0,72eV và Eg = 1,12eV, thuộc nhóm bốn bảng tuần hoàn Mendeleep. Mô hình cấu trúc mạng tinh thể (1 chiều) của chúng có dạng hình 2.2a với bản chất là các liên kết ghép đôi điện tử hóa trị vành ngoài. Ở 0K chúng là các chất cách điện. Khi được một nguồn năng lượng ngoài kích thích, xảy ra hiện tượng ion hóa các nguyên tử nút mạng và sinh từng cặp hạt dẫn tự do: điện tử bứt khỏi liên kết ghép đôi trở thành hạt tự do và để lại 1 liên kết bị khuyết (lỗ trống). Trên đố thị vùng năng lượng hình 2.2b, điều này tương ứng với sự chuyển điện tử từ 1 mức năng lượng trong vùng hóa trị lên 1 mức trong vùng dẫn để lại 1 mức tự do (trống) trong vùng hóa trị. Các cặp hạt dẫn tự do này, dưới tác dụng của 1 trường ngoài hay một Gradien nồng độ có khả năng dịch chuyển có hướng trong lòng tinh thể tạo nên dòng điện trong chất bán dẫn thuần. Vïng dÉn Si Si Si ni + Si Si Si 1,12eV p i Si Si Si Vïng ho¸ trÞ b) a) Hình 2.2: a) Mạng tinh thể một chiều của Si. b) Cấu trúc vùng năng lượng Kết quả là: 1) Muốn tạo hạt dẫn tự do trong chất bán dẫn thuần cần có năng lượng kích thích đủ lớn Ekt ³ Eg 2) Dòng điện trong chất bán dẫn thuần gồm hai thành phần tương đương nhau do qúa trình phát sinh từng cặp hạt dẫn tạo ra (ni = Pi). c - Chất bán dẫn tạp chất loại n Người ta tiến hành pha thêm các nguyên tử thuộc nhóm 5 bảng Mendeleep vào mạng tinh thể chất bán dẫn nguyên chất nhờ các công nghệ đặc biệt, với nồng độ khoảng 1010 đến 1018 nguyên tử/cm3. Khi đó các nguyên tử tạp chất thừa một điện tử vành ngoài, liên kết yếu với hạt nhân, dễ dạng bị ion hóa nhờ một nguồn năng lượng yếu tạo nên một cặp ion dương tạp chất – điện tử tự do. Ngoài ra, hiện tượng phát sinh hạt dẫn giống như cơ chế của chất bán dẫn thuần vẫn xẩy ra nhưng với mức độ yếu hơn. Trên đồ thị vùng năng lượng, các mức năng lượng tạp chất loại này (gọi là tạp chất loại n hay loại cho điện tử - Donor) phân bố bên trong vùng cấm, nằm sát đáy vùng dẫn ( khoảng cách vài % eV). 17
19. Vïng dÉn Vïng dÉn Å Møc t¹p chÊt lo¹i n Å Møc t¹p chÊt lo¹i p - - Vïng ho¸ trÞ Vïng ho¸ trÞ b) a) Hình 2.3: Đồ thị vùng năng lượng a) bán dẫn loại n; b) bán dẫn loại p Kết quả là trong mạng tinh thể tồn tại nhiều ion dương của tạp chất bất động và dòng điện trong chất bán dẫn loại n gồm hai thành phần không bằng nhau tạo ra: điện tử được gọi là loại hạt dẫn đa số có nồng độ là nn, lỗ trống - loại thiểu số có nồng độ Pn (chênh nhau nhiều cấp: nn >>pn). d - Chất bán dân tạp chất loại p Nếu tiến hành pha tạp chất thuộc nhóm 3 bảng tuần hoàn Mendeleep vào tinh thể chất bán dẫn thuần ta được chất bán dẫn tạp chất loại p với đặc điểm chủ yếu là nguyên tử tạp chất thiếu một điện tử vành ngoài nên nên liên kết hóa trị (ghép đôi) bị khuyết, ta gọi đó là lỗ trống liên kết, có khả năng nhận điện tử, khi nguyên tử tạp chất bị ion hóa sẽ sinh ra đồng thời 1 cặp : ion âm tạp chất - lỗ trống tự do. Mức năng lượng tạp chất loại p nằm trong vùng cấm sát đỉnh vùng hóa trị (Hình 2.3b) cho phép giải thích cách sinh hạt dẫn của chất bán dẫn loại này. Trong mạng tinh thể chất bán dẫn tạp chất loại p tồn tại nhiêu ion âm tạp chất có tính chất định xứ từng vùng và dòng điện trong chật bán dẫn loại p gồm hai thành phần không tương đương nhau: lỗ trống được gọi là các hạt dẫn đa số, điện tử hạt thiểu số, với các nồng độ tương ứng là pp và np (pp >>np). e- Vài hiện tượng vật lí thường gặp Cách sinh hạt dẫn và tạo thành dòng điện trong chất bán dẫn thường liên quan trực tiếp tới các hiện tượng vật lí sau: Hiện tượng ion hóa nguyên tử (của chất tạp chất) là hiện tượng gắn liền với quá trình năng lượng của các hạt. Rõ ràng số hạt sinh ra bằng số mức năng lượng bị chiếm trong vùng dẫn hay số mức bị trống trong vùng hóa trị. Kết quả của vật lý thống kê lượng tử cho phép tính nồng độ các hạt này dựa vào hàm thống kê Fermi – Dirac: Emax EV n = ò N(E)F(E)dE p =òN(E)F(E)dE (2-1) EC Emin với n,p là nòng độ điện tử trong vùng dẫn và lỗ trống trong vùng hóa trị. 18
20. Ec là mức năng lượng của đáy vùng dẫn, Ev là mức năng lượng của đỉnh vùng hóa trị, Emax là trạng thái năng lượng cao nhất có điện tử, Emin là trạng thái năng lượng thấp nhất của lỗ trống, N(E) là hàm mật đôn trạng thái theo năng lượng, F(E) là hàm phân bố thống kê hạt theo năng lượng. Theo đó người ta xác định được: E - E E - E n = N exp(- c F ) p = N exp( F V ) (2-2) c KT V KT với Nc, Nv là mật độ trạng thái hiệu dụng trong các vùng tương ứng EF là mức thế hóa học (mức Fermi). Kết quả phân tích cho phép có cát kết luận chủ yếu sau: · Ở trạng thái căn bằng, tích số nồng độ hai loại hạt dẫn là một hằng số (trong bất kì chất bán dẫn loại nào) 2 nn . Pn = Ppnp = ni pi = ni = NCNVexp( - Eg/KT ) = const (2-3) nghĩa là việc tăng nồng độ 1 loại hạt này luôn kèm theo việc giảm nồng độ tương ứng loại hạt kia. Trong chất bán dẫn loại n có nn > > ni >>pp do đó số điện tử tự do luôn bằng số + lượng ion dương tạp chất: nn = ND . Tương tự, trong chất bán dẫn loại p có pp >> ni >> np) do đó số lỗ trống luôn bằng số lượng ion âm tạp chất: pp = NA- - Hiện tượng tái hợp của các hạt dẫn Hiện tượng sinh hạt dẫn phá hủy trạng thái cân bằng nhiệt động học của hệ hạt 2 (n.p¹ni ). Khi đó người ta thường quan tâm tới số gia tăng nồng độ của các hạt thiểu số vì chúng có vai trò quyết định tới nhiều cơ chế phát sinh dòng điện trong các dụng cụ bán dẫn. Hiện tượng tái hợp hạt dẫn là quá trình ngược lại, liên quan tới các chuyển dời điện tử từ mức năng lượng cao trong vùng dẫn về mức thấp hơn trong vùng hóa trị. Hiện tượng tái hợp làm nhất đi đồng thời 1 cặp hạt dẫn và đưa hệ hạt về lại 1 trạng thái cân bằng mới. Khi đó, trong chất bán dẫn loại n, là sự tái hợp của lỗ trống với điện tử trong điều kiện nồng độ điện tử cao: æ t ö Δp(t) = Δp(0)expç- ÷ (2-4) ç ÷ è τp ø Ở đây: Dp(t) là mức giảm của lỗ trống theo thời gian. Dp(0) là số lượng lỗ trống lúc t = 0 (có được sau 1 quá trình sinh hạt) tp là thời gian sống của lố trống trong chất bán dẫn loại n (là khoảng thời gian trong đó nồng độ lỗ trống dư giảm đi e lần) 19
21. Dn(t) = Dn(o)exp(-t/tp ) (2-5) Các thông số tp và tn quyết định tới các tính chất tần số (tác động nhanh) của các dụng cụ bán dẫn. Dưới tác dụng của điện trường, hạt dẫn tự do chuyển động định hướng có gia tốc tạo nên 1 dòng điện (gọi là dòng trôi) với vận tốc trung bình tỉ /ệ với cường độ E của trường: vtb =mE Suy ra vtbn = - nmnE (2-6) vtbp = mpE Trong đó mp, mn là các hệ số tỉ lệ gọi là độ linh động của các hạt dẫn tương ứng 2 2 (với chất bán dẫn tạp chất chế tạo từ Ge có ,mn = 3800 cm / V.s ; mp = 1800 cm /V.s, 2 2 từ Si có mn = 1300 cm /V.s ; mp = 500cm /V.s). Từ đó, mật động trôi gồm hai thành phần: Itrôin = - q . n . vtbn (2=7) với q là điện tích các hạt. Itrôip = q . p . vtbp hay dòng trôi toàn phần Itrôi = Itrôin + Itrôip Itrôi = qE(mnn + mpp) (2-8) - Chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn Do có sự chênh lệch vế nồng độ theo không gian, các hạt dẫn thực hiện chuyển động khuếch tán từ lớp có nồng độ cao tới lớp có nồng độ thấp. Mật độ dòng khuếch tán theo phương giảm của nồng độ có dạng: Iktn = q . Dn ( - dn/dx ) = q . Dn . dn/dx (2-9) Iktp = q . Dp ( - dp/dx ) = - q . Dp. dp/dx (2-10) với Dn và Dp là các hệ số tỉ lệ gọi là hệ số khuếch tán của các hạt tương ứng. Người ta chứng minh được các tính chất sau: D = mKT/q = UT. m (hệ thức Einstein) . o Trong đó UT là thế nhiệt (UT » 25mv ở nhiệt đô phòng T = 296 K) 2 2 Dn tn = Ln ; Dp tp = Lp Trong đó Ln’ Lp là quãng đường khuếch tán của hạt (là khoảng cách trong đó nồng độ hạt khuếch tán giảm đi e lần theo phương khuếch tán) đó cũng chính là quãng đường trung bình hạt dịch chuyển khuếch tán được trong thời gian sống của nó. 20
22. 2.1.2. Mặt ghép p-n và tính chỉnh lưu của đốt bán dẫn a – Mặt ghép p-n khi chưa có điện áp ngoài Khi cho hai đơn tinh thể bán đẫn tạp chất loại n và loại p tiếp công nghệ với nhau, các hlện tượng vật lí xảy ra tại nơi tiếp xúc là cơ sở cho hầu hết các dụng cụ bán dẫn điện hiện đại. Hình 2.4 biểu diễn mô hình lí tưởng hóa một mặt ghép p-n khi chưa có điện áp ngoài đặt vào. Với giả thiết ở nhiệt độ phòng, các nguyên tử tạp chất đã bị ion hóa + - hoàn toàn (nn = N D; pp = N A). Các hiện tượng xảy ra tại nơi tiếp xúc có thể mô tả tóm tắt như sau: p n p - Å n Ikt Itr Etx utx Anèt K tèt Hình 2.24a: Mặt ghép p- n khi chưa có điện trường ngoài Do có sự chênh lệch lớn về nồng độ (nn >>np và pp >>pn) tại vùng tiếp xúc có hiện tượng khuếch tán các hạt đa số qua nơi tiếp giáp, xuất hiện 1 dòng điện khuếch tán Ikt hướng từ p sang n. Tại vùng lân cận hai bên mặt tiếp xúc, xuất hiện một lớp điện tích khối do ion tạp chất tạo ra, trong đó nghèo hạt dẫn đa số và có điện trở lớn (hơn nhiều cấp so với các vùng còn lại), do đó đồng thời xuất hiện 1 điện trường nội bộ hướng từ vùng N (lớp ion dương ND) sang vùng P (lớp ion âm NA ) gọi là điện trường tiếp xúc Etx . Người ta nói đã xuất hiện 1 hàng rào điện thế hay một hiệu thế tiếp xúc Utx. Bề dầy lớp nghèo l(0) phụ thuộc vào nồng độ tạp chất, nếu NA = ND) thì l(0) đối xứng qua mặt tiếp xúc : lon = lop; thường NA >>ND nên lon >>lop và phần chủ yếu nằm bên loại bán dẫn pha tạp chất ít hơn (có điện trở suất cao hơn). điện trường Etx cản trở chuyển động của đòng khuếch tán và gây ra chuyển động gia tốc (trôi) của các hạt thiểu số qua miền tiếp xúc, có chiều ngược lại với dòng khuếch tán. Quá trình này tiếp diễn sẽ dẫn 21
23. tới 1 trạng thái cân bằng động: Ikt = Itr và không có dòng điện qua tiếp xúc p-n. Hiệu thế tiếp xúc có giá trị xác lập, được xác định bởi KT æ p ö KT æ n ö U = lnç p ÷ = lnç n ÷ (2-11) tx ç ÷ ç ÷ q è pn ø q è np ø Với những điều kiện tiêu chuẩn, ở nhiệt độ phòng, Utx có giá trị khoảng 0,3V với tiếp xúc p-n làm từ Ge và 0,6V với loại làm từ Si, phụ thuộc vào tỉ số nồng độ hạt dẫn cùng loại, vào nhiệt độ với hệ số nhiệt âm (-2mV/K). b – Mặt ghép p-n khi có điện trường ngoài Trạng thái cân bằng động nêu trên sẽ bị phá vỡ khi đặt tới tiếp xúc p-n một điện trường ngoài. Có hai trường hợp xảy ra (h. 2.5a và b). p - Å n Et Et p - Å n p - Å n E ng Eng Ikt Ikt Hình 2.5: Mặt ghép p-n khi có điện áp phân cực Khi điện trườngnguài (Eng) ngược chiều với Etx (tức là có cực tính dương đặt vào p, âm đặt vào n) khi đó Eng chủ yếu đặt lên vùng nghèo và xếp chồng với Etx nên cường độ trường tổng cộng tại vùng lo giảm đi do đó làm tăng chuyển động khuếch tán Ikt • người ta gọi đó là hiện tượng phun hạt đa số qua miền tiếp xúc p-n khi nó được mở. Dòng điện trôi do Ext gây ra gần như giảm không đáng kể do nồng độ hạt thiểu số nhỏ. Trường hợp này ứng với hình 2.5a gọi là phân cực thuận cho tiếp xúc p- n. Khi đó bề rộng vùng nghèo giảm đi so với lo. Khi Eng cùng chiều với Etx (nguồn ngoài có cực dương đặt vào n và âm dặt vào p, tác dụng xếp chồng điện trường tại vùng nghèo,dòng Ikt giảm tới không, dòng Itr có tăng chút ít và nhanh đến một giá trị bão hòa gọi là dòng điện ngược bão hòa của tiếp xúc p-n. Bề rộng vùng nghèo tăng lên so với trạng thái cân bằng. Người ta gọi đó là sự phân cực ngược cho tiến xúc p- n. Kết quả là mặt ghép p-n khi đặt trong 1 điện trường ngoài có tính chất van: dẫn điện không đối xứng theo 2 chiều. Người ta gọi đó là hiệu ứng chỉnh lưu của tiếp xúc p-n: theo chiều phân cực thuận (UAK > 0), dòng có giá trị lớn tạo bởi dòng hạt đa số phun qua tiếp giáp p-n mở, theo chiều phân cực ngược (Usk< 0) dòng có giá trị nhỏ hơn vài cấp do hạt thiểu số trôi qua tiếp giáp p-n khối. Đây là kết quả trực tiếp của hiệu ứng điều biến điện trở của lớp nghèo của mặt ghép p-n dưới tác động của trường ngoài. 22
24. c – Đặc tuyến Von –Ampe và các tham số cơ bản của điốt bán dẫn Điốt bán dẫn có cấu tạo là một chuyển tiếp p-n với hai điện cực nối ra phía miền p là anốt, phía miền n là katốt. ImA Ge Si 1 2 UAK (V) mA 3 Hình 2.6: Đặc tuyến Von – Ampe của điôt bán dẫn Nối tiếp điốt bán dẫn với 1 nguồn điện áp ngoài qua 1 điện trở hạn chế dòng, biến đổi cường độ và chiều của điện áp ngoài, người ta thu được đặc tuyến Von-Ampe của đốt có dạng hình 2.6. Đay là 1 đường cong có dạng phức tạp, chia làm 3 vùng rõ rệt: Vùng (1) ứng với trường hợp phân cực thuận vùng (2) tương ứng với trường hợp phân cực ngược và vùng (3) được gọi là vùng đánh thủng tiếp xúc p-n. Qua việc phân tích đặc tính Von-Ampe giữa lí thuyết và thực tế người ta rút được các kết luận chủ yếu sau: Trong vùng (1) và (2) phương trình mô tả đường cong có dạng: é æ U ö ù ç AK ÷ IA =IS(T)êexpç ÷-1ú (2-12) ë èm.UT ø û æD .n D p ö I =q.s.ç n po + pn÷ trong đó S ç ÷ è Ln Lp ø gọi là dòng điện ngược bão hòa có giá trị gần như không phụ thuộc vào UAK, chỉ phụ 23
25. thuộc vào nồng độ hạt thiểu số lúc cân bằng, vào độ dài và hệ số khuếch tán tức là vào bản chất cấu tạo chất bán dẫn tạp chất loại n và p và do đó phụ thuộc vào nhiệt độ. 0 – 19 -23 UT = KT/q gọi là thế nhiệt; ở T= 300 K với q = 1,6.10 C, k = 1,38.10 J/K UT có giá xấp xỉ 25,5mV; m = (1 ¸ 2) là hệ số hiệu chỉnh giữa lí thuyết và thực tế - Tại vùng mở (phân cực thuận): UT và Is có phụ thuộc vào nhiệt độ nên dạng đường cong phụ thuộc vào nhiệt độ với hệ số nhiệt được xác định bởi đạo hàm riêng UAK theo nhiệt độ. ¶U mV AK » -2 ¶T IA =const K nghĩa là khi giữ cho đòng điện thuận qua van không đổi, điện áp thuận giảm tỉ lệ theo nhiệt độ với tốc độ -2mV/K. - 12 2 - Tại vùng khóa (phân cực ngược) giá trị dòng bão hòa Is nhỏ (10 A/cm với Si và 10-6 A/cm2 với Ge và phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ với mức độ +10% giá trị/0k: 0 O DIs (DT = 10 K) = Is tức là đòng điện ngược tăng gấp đôi khi gia số nhiệt độ tăng IO C - Các kết luận vừa nêu đối với Is và UAK chỉ rõ hoạt động của điôt bán dẫn phụ thuộc mạnh vào nhiệ độ và trong thực tế các mạch điện tử có sử dụng tới điốt bán dẫn hoặc tranzito sau này, người ta cần có nhiều biện pháp nghiêm ngặt để duy trì sự ổn định của chúng khi làm việc, chống (bù) lại các nguyên nhân kể trên do nhiệt độ gây ra. - Tại vùng đánh thủng (khi UAK < 0 và có trị số đủ lớn) dòng điện ngược tăng đột ngột trong khi điện áp giữa anốt và katốt không tăng. Tính chất van của điốt khi đó bị phá hoại. Tồn tại hai đang đánh thủng chính: · Đánh thủng vì nhiệt do tiếp xúc p-n bị nung nóng cục bộ, vì va chạm của hạt thiểu số được gia tốc trong trường mạnh. Điều này dẫn tới quá trình sinh hạt ồ ạt (ion hóa nguyên tử chất bán dẫn thuần, có tính chất thác lũ) làm nhiệt độ nơi tiếp xúc tiếp tục tăng. Dòng điện ngược tăng đột biến và mặt ghép p-n bị phá hỏng. · Đánh thủng vì điện do hai hiệu ứng: ion hóa do va chạm giữa hạt thiểu số được gia tốc trong trường mạnh cỡ 105V/cm với nguyên tử của chất bán dẫn thuần thường xảy ra ở các mặt ghép p-n rộng (hiệu ứng Zener) và hiệu ứng xuyên hầm (Tuner) xảy ra ở các tiếp xúc p-n hẹp do pha tạp chất với nồng độ cao liên quan tới hiện tượng nhảy mức trực tiếp của điện tử hóa trị bên bán dẫn p xuyên qua rào thế tiếp xúc sang vùng dẫn bên bán dẫn n. Khi phân tích hoạt động của điốt trong các mạch điện cụ thể, người ta thường sử dụng các đại lượng (tham số) đặc trưng cho nó. Có hai nhóm tham số chính với một điốt bán dẫn là nhóm các tham số giới hạn đặc trưng cho chế độ làm việc giới hạn của điốt và nhóm các tham số định mức đặc trưng cho chế độ làm việc thông thường. - Các tham số giới hạn là: • Điện áp ngược cực đại để điốt còn thể hiện tính chất van (chưa bị đánh thủng): Ungcmax (thường giá trị Ungcmax chọn khoảng 80% giá trị điện áp đánh thủng Uđt) • Dòng cho phép cực đại qua van lúc mở: IAcf. • Công suất tiêu hao cực đại cho phép trên van để chưa bị hỏng vì nhiệt: PAcf. 24
26. • Tần số giới hạn của điện áp (dòng điện) đặt lên van để nó còn tính chất van: fmax. - Các tham số định mức chủ yếu là: • Điện trở 1 chiều của điốt: U U I  AK T  A  Rd = = ln +1 (2-13) IA IA IS  • Điện trở vi phân (xoay chiều) của điốt: ∂UAK UT rđ = = (2-14) ∂IA IA + IS UT Với nhánh thuận ≈ rdth do IA lớn nên giá trị rd nhỏ và giảm nhanh theo mức tăng IA UT của IA; với nhánh ngược ≈ rdngc lớn và ít phụ thuộc vào dòng giá trị rđth và rđngc IS càng chênh lệch nhiều thì tính chất van càng thể hiện rõ. • Điện dung tiếp giáp p-n: lớp điện tích khối l0 tương đương như 1 tụ điện gọi là điện dung của mặt ghép p-n: Cpn = Ckt + Crào. Trong đó Crào là thành phần điện dung chỉ phụ thuộc vào điện áp ngược (vài phần chục pF) và Ckt là thành phần chỉ phụ thuộc vào điện áp thuận (vài pF). Hình 2.6a: Kí hiệu và dạng đóng gói thực tế của điốt Ở những tần số làm việc cao, người ta phải để ý tới ảnh hưởng của Cpn tới các tính chất của mạch điện. Đặc biệt khi sử dụng điốt ở chế độ khóa điện tử đóng mở với 25
27. nhịp cao, điốt cần một thời gian quá độ để hồi phục lại tính chất van lúc chuyển từ mở sang khóa. Điện áp mở van UD là giá trị điện áp thuận đặt lên van tương ứng để dòng thuận đạt được giá trị 0,1Imax. Người ta phân loại các điốt bán dẫn theo nhiều quan điểm khác nhau: • Theo đặc điểm cấu tạo có loại điốt tiếp điểm, điốt tiếp mặt, loại vật liệu sử dụng: Ge hay Si. • Theo tần số giới hạn fmax có loại điốt tần số cao, điốt tần số thấp. • Theo công suất pAcf có loại điốt công suất lớn, công suất trung bình hoặc công suất nhỏ (IAcf < 300mA) • Theo nguyên lý hoạt động hay phạm vi ứng dụng có các loại điôt chỉnh lưu, điôt ổn định điện áp (điôt Zener), điôt biến dung (Varicap), điôt sử dụng hiệu ứng xuyên hầm (điôt Tunen) . Chi tiết hơn, có thể xem thêm trong các tài liệu chuyên ngành về dụng cụ bán dẫn điện. Hình2.6b: Điôt phát quang ( light – emitting diode: LED) Khi xét điôt trong mạch thực tế, người ta thường sử dụng sơ đồ tương đương của điốt tương ứng với 2 trường hợp mở và khóa của nó (xem h.2.7) Hình 2.7: Sơ đồ tương đương của điốt bán dẫn lúc mở (a) và lúc khóa (b) 26
28. Uth - Eth Từ đó ta có: Ith = rđ th Ungc Ingc = IS + rđngc Với rđth » rB điện trở phần đế bazơ của điôt hay độ dốc trung bình của vùng (1) đặc tuyến Von-Ampe. Và rđngc là độ dốc trung bình của nhánh ngược (2) của đặc tuyến Von-Ampe. 2.1.3. Vài ứng dụng điển hình của điôt bán dẫn 27
29. Hình 2.8: Các mạch chỉnh lưu công suất nhỏ và mô phỏng hoạt động Trong phần này, chúng ta xét tới một số ứng dụng điển hình của điôt trong các mạch chỉnh lưu, hạn chế biên độ, ổn định điện áp. a- Bộ chỉnh lưu công suất nhỏ Sử dụng tính chất van của điôt bán dẫn, các mạch chỉnh lưu điển hình nhất (công suất nhỏ), được cho trên hình 2.8a,b,c,d. Để đơn giản cho việc phân tích hoạt động và rút ra các kết luận chính với các mạch trên, chúng ta xét với trường hợp tải của mạch chỉnh lưu là điện trở thuần, sau đó có lưu ý các đặc điểm khi tải có tính chất điện dung hay điện cảm và với giả thiết các van điôt là lí tưởng, điện áp vào có dạng hình sin phù hợp với thực tế điện áp mạng 110V/220V xoay chiều, 50Hz. - Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì: Nhờ biến áp nguồn, điện áp mạng đưa tới sơ cấp được biến đổi thành hai điện áp hình sin U2.1 và U2.2 ngược pha nhau trên thứ cấp. Tương ứng với nửa chu kì dương (U21 > 0, U22 0) D1 khóa D2 mở và trên Rt nhận được dòng do D2 tạo ra (h.2.9). • Giá trị trung bình của điện áp trên tải được xác định theo hệ thức (1.13): 1 π 2 2 U = 2U sinωinωt = U = 0,9U (2-15) o ∫ 2 2 2 π 0 π Với U2 là giá trị hiệu dụng của điện áp trên 1 cuộn của thứ cấp biến áp. • Giá trị trung bình của dòng trên tải đối với trường hợp tải thuần trở It = Uo/Rt (2-16) 28
30. Hình 2.9: Giản đồ điện áp của mạch chỉnh lưu Khi đó dòng qua các điôt D1 và D2 là Ia1 = Ia2 = It/2 (2-17) Và dòng cực đại đi qua điôt là Iamax = p, Ia = pIt / 2 (2-18) • Để đánh giá độ bằng phẳng của điện áp trên tải sau khi chỉnh lưu, thường sử dụng hệ số đập mạch (gợn sóng), được định nghĩa đối với thành phần sóng bậc n; qn = Unm / Uo (2-19) Trong đó Unm là biên độ sóng có tần số nw; U0 là thành phần điện áp 1 chiều trên tải 2 q1 = U1m / U o = 2 / (m – 1) với m là số pha chỉnh lưu q1 = 0,67 (với mạch hai nửa chu kì m = 2). Điện áp ngược cực đại đặt vào van khóa bằng tổng điện áp cực đại trên 2 cuộn thứ cấp của biến áp Ungcmax = 2 2U2 = 3,14U0 (2-20) Khi đó cần chọn van D1, D2 có điện áp ngược cho phép 29
31. Ungccf > Ungcmax = 3,14Uo • Khi dùng tải là tụ lọc C (đường đứt nét trên hình 2.8a) ở chế độ xác lập, do hiện tượng nạp và phóng điện của tụ C mạch lúc đó làm việc ở chế độ không liên tục như trường hợp với tải điện trở. Trên hình 2.9b với trường hợp tải điện dung, ta thấy rõ khác với trường hợp tải điện trở lúc này mỗi van chỉ làm việc trong khoảng thời gian q1 ¸ q2 (với van D2) và q3 ¸ q4 (với van D1) nhỏ hơn nửa chu kì và thông mạch nạp cho tụ từ nguồn U2.2 và U2.1. Trong khoảng thời gian còn lại, các van đều khóa (do điện áp trên tụ đã nạp lớn hơn giá trị tức thời của điện áp pha tương ứng U2.2 và U2.1). Lúc đó tụ C phóng điện và cung cấp điện áp ra trên Rt. Các tham số chính của mạch trong trường hợp này có thay đổi, khi đó Uo = 1,41 U2 (2-21) Và q1 £ 0,02 (khi chọn hằng số thời gian mạch phóng của tụ t = RC lớn) còn Ungcmax không đổi so với trước đây. • Nếu xét mạch hình 2.8a với từng nửa cuộn thứ cấp biến áp nguồn làm việc với 1 van tương ứng và mạch tải ta có 2 mạch chỉnh lưu một nửa chu kì là dạng sơ đồ đơn giản nhất của các mạch chỉnh lưu. Dựa vào các kết quả đã phân tích trên, dễ dàng suy ra các tham số của mạch này tuy nhiên chúng chỉ được sủ dụng khi các yêu cầu về chất lượng nguồn (hiệu suất năng lượng, chỉ tiêu bằng phẳng của Ut ) đòi hỏi thấp. - Mạch chỉnh lưu cầu Hình 2.10: Sơ đồ nguyên lý mạch chỉnh lưu cầu Mạch điện nguyên lí của bộ chỉnh lưu cầu cho trên hình 2.8b, trong đó của gồm 4 van điôt đã được kí hiệu thu gọn: nếu vẽ đầy đủ cầu chỉnh lưu ta có hình 2.10. Trong từng nửa chu kì của điện áp thứ cấp U2, một cặp van có anôt dương nhất và katôt âm nhất mở, cho dòng một chiều ra Rt, cặp van còn lại khóa và chịu một điện áp ngược cực đại bằng biên độ U2m. Ví dụ ứng với nửa chu kì dương của U2, cặp van D1D3 mở, D2D4 khóa. Rõ ràng điện áp ngược cực đại đặt lên van lúc khóa có giá trị bằng một nửa so với trường hợp bộ chỉnh lưu hai nửa chu kì đã xét trên, đây là ưu điểm quan trọng nhất của sơ đồ cầu. Ngoài ra, kết cấu thứ cấp của biến áp nguồn đơn giản hơn. Các tham số chính của mạch là: 30
32. • Điện áp 1 chiều lúc vào hở mạch Rt. Urao = 2U2 - 2UD (2-22) Với UD là điện áp thuần trên các van mở. • Điện áp 1 chiều lúc có tải Rt: Ura¥ = Urao (1- Ri/2Rv ) (2-23) Với Ri là nội trở tương đương của nguồn xoay chiều Ri = [(U2o /U2) – 1] U2/ I2 các giá trị U2I2 là điện áp và dòng điện cuộn thứ cấp biến áp. RV là điện trở tương đương của tải Rv = Ura ¥ / Ira · Công suất danh định của biến áp nguồn Pba = 1,2 Ira ( Ura ¥ + 2UD) (2-24) Điện áp ngược cực đại trên van khóa: Ungcmax = 2U2 = (π/2)Ura0 (2-15) Khi có tải điện dung, mạch làm việc ở chế độ xung liên quan tới thời gian phóng của tụ C lúc các van đều khóa và thời gian nạp lúc một cặp van mở giống như đã phân tích với mạch chỉnh lưu hai nửa chu kì. Lúc đó, dòng điện xung qua cặp van mở nạp cho tụ C là: Urao - Ura¥ Urao ID = = (2-26) Ri 2.RiRv Có phụ thuộc vào nội trở Ri của nguồn xoay chiều và càng lớn khi Ri càng nhỏ. Điện áp ra tối thiểu lúc này xác định bởi: Uramin = Ura ¥ - 2U gs max / 3 (2-27) Trong đó Ugsmax là điện áp gợn sóng cực đại: 4 U gs max = Ira ( 1- Ri / 2Rv ) (2-28) Mạch hình 2.8c cho phép nhận được 1 điện áp ra 2 cực tính đối xứng với điểm chung, có thể phân tích như hai mạch hình 2.8a làm việc với 2 nửa thứ cấp của biến áp nguồn có điểm giữa nối đất. Mạch hình 2.8d cho phép nhận được điện áp 1 chiều có giá trị gấp đôi điện áp ra trong các mạch đã xét trên và có tên là mạch chỉnh lưu bội áp. Ở nửa chu kì đầu (nửa chu kì âm) của U2, van D1 mở nạp cho tụ C1 tới điện áp Uc1 » U2m = 2 U2. Ở nửa chu kì tiếp sau (nửa chu kì dương) D2 mở và điện áp nạp cho tụ C2 có giá trị đỉnh: Uc2 » Uc1 + U2m » U2m = 2 2 U2 Nếu để ý các điều kiện thực tế (khi độ lớn của C1, hữu hạn) giá trị điện áp 1 chiều sau bộ chỉnh lưu bội áp có độ lớn cỡ hai lần giá trị này ở bộ chỉnh lưu cầu tải điện dung. Ngoài ứng dụng trong các mạch chỉnh lưu như đã kể trên, điôt còn được sử dụng trong lĩnh vực chỉnh lưu công suất lớn. b- Các mạch ghim Một ứng dụng điển hình khác của điốt bán dẫn là sử dụng trong các mạch ghim (mạch hạn chế biên độ). 31
33. Hình 2.11: Các mạch hạn chế nối tiếp Hình 2.11 là các mạch hạn chế nối tiếp (Điôt hạn chế mắc nối tiếp với mạch tải). Xét trong trường hợp đơn giản khi Uvào là một điện áp hình sin không có thành phần 1 chiều và giả thiết điôt là lí tưởng (ngưỡng mở khóa xảy ra tại giá trị điện áp giữa 2 cực của nó bằng không Uđ = 0). Khi Ud ³ 0 điôt mở và điện áp ra bằng: R Rth + Rng Ura1 = Uv + E (2-30) R + Rth + Rng R + Rth + Rng Với Rth là giá trị trung bình của điện trở thuận điôt, Rng là điện trở trong của nguồn U vào Khi Uđ 0 có Ura1 = Uvào mạch hạn chế dưới (c) có: Khi Uv ³ E , Uđ > 0 có Ura1 = Uvào khi Uv < E , Uđ < 0 có Ura2 = E Khi thay đổi giá trị E ngưỡng hạn chế sể thay đổi trong một dải rộng từ - Uvmax < E < Uvmax với Uvmax và biên độ của điện áp vào. 32
34. Trường hợp riêng khi chọn E = 0 ta có mạch hạn chế mức 0 (mạch ghim lấy 1 cực tính của tín hiệu vào hay mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ đã xét trước). Cũng có thể mắc điốt song song với mạch ra như hình 2. 12 lúc đó ta có mạch hạn chế kiểu song song. Từ điều kiện: Rth £ Ro £ Rt £ Rngc có Với mạch hình 2.12a Khi Uv ³ E , Uđ > 0 có Ura = E khi Uv 0 có Ura = E Hình 2.12: Các mạch hạn chế trên (a) và mạch hạn chế dưới (b) Lưu ý rằng nếu để ý đến ngưỡng mở của điôt thực thể (loại Si cỡ + 0,6V và loại Ge cỡ + 0,3V) thi ngưỡng hạn chế của các mạch trên bị thay đổi đi 1 giá trị tương ứng với các mức này. c - Ổn định điện áp bằng điốt Zener Điốt ổn áp làm việc nhờ hiệu ứng thác lũ của chuyển tiếp p-n khi phân cực ngược. Trong các điôt thông thường hiện tượng đánh thủng này sẽ làm hỏng điôt, nhưng trong các điốt ổn định do được chế tạo đặc biệt và khi làm việc mạch ngoài có điện trở hạn chế dòng ngược (không cho phép nó tăng quá dòng ngược cho phép) nên điôt luồn làm việc ở chế độ đánh thủng nhưng không hỏng. Khác với điốt thông dụng, các điôt ổn định công tác ở chế độ phân cực ngược. Những tham số kĩ thuật của điôt Zener là: - Điện áp ổn định Uz (điện áp Zener) là điện áp ngược đặt lên điốt làm phát sinh ra hiện tượng đánh thủng. Trên thực tế đối với mọi điốt ổn áp chỉ có một khoảng rất hẹp mà nó có thể ổn định được. Khoảng này bị giới hạn một mặt bởi khoảng đặc tuyến của điôt từ phạm vi dòng bão hòa sang phạm vi đánh thủng làm dòng tăng đột ngột, mặt khác bởi công suất tiêu hao cho phép. Hay dòng cực đại cho phép. - Điện trở động rdz của điốt Zener được định nghĩa là độ dốc đặc tuyến tĩnh của điốt tại điểm lâm việc. dU2 rdz = (2-32) dIz 33
35. Hình 2.13: Khảo sát ổn áp bằng diốt Zener Căn cứ vào (2-32) có thể thấy rằng độ đốc của đặc tuyến ở phần đánh thủng có tác dụng quyết định đến chất lượng ổn định của điốt. Khi điện trở động bằng không (lúc đó phần đặc tuyến đánh thủng song song với trục tung) thì sự ổn định điện áp đạt tới mức lí tưởng. Như hình 2.13a, để thực hiện chức năng ổn định người ta thường mắc nối tiếp với điôt Zener một điện trở và tác dụng ổn định được chứng minh bằng đồ thị trên hình 2.13b. Có thể thiết lập quan hệ hàm số giữa điện trở động và điện áp ổn định của điôt. Ví dụ đối với đlôt Zener Si, công suất tiêu hao 0,5W có dạng đồ thị như hình 2.13c. Từ đồ thị này thấy điện trở động cực tiểu khi điện áp vào khoảng 6 đến 8V. Trong khoảng điện áp này xuất hiện đồng thời hiện tượng đánh thủng Zener và đánh thủng thác lũ làm cho dòng ngược tăng lên đột ngột. Điện trở tĩnh Rt được tính bằng tỉ số giữa điện áp đặt vào và dòng điện đi qua điôt. Rt = UZ / IZ (2-33) Dòng điện và điện áp kể trên được xác định từ điểm công tác của điôt (h.2.13b). Điện trở tĩnh phụ thuộc rất nhiều vào dòng chảy qua điôt. 34
36. Hệ số ổn định được định nghĩa bằng tỉ số giữa các biến đổi tương đối của dòng điện qua điôt và điện áp rơi trên điôt do dòng này gây ra: Z = (dIz / Iz) (dUz / Uz) = R / rdz = Rt / rdz (2-34) I V Hình 2.14:Bù nhiệt dùng hai điôt Hình 2.15: Đặc tuyến bù nhiệt Chúng ta thấy hệ số này chính bằng tỉ số giữa điện trở tĩnh và điện trở động tại điểm công tác của điôt. Để đạt hệ số ổn định cao, với một sự biến đối đòng điện qua điôt đã cho trước, điện áp rơi trên điôt (do dòng này gây ra) phải biến đổi nhỏ nhất. Các điôt ổn định Si thường có Z ³ 100. Trở kháng ra của mạch ổn định cũng là một thông số chủ yếu đánh giá chất lượng của mạch: Rra = DUra / DIra Ở đây DUra là gia số của điện áp ra, gây ra bởi gia số DIra của dòng tải. Rõ ràng tỉ số vế phải càng nhỏ thì chất lượng mạch ổn định càng cao, vì thế các mạch ổn định dùng điốt Zener có điện trở ra càng nhỏ càng tốt. (Điều này phù hợp với vai trò một nguồn điện áp lí tưởng). - Hệ số nhiệt độ của điện áp ổn định qt, hệ số này cho biết sự biến đổi tương đối của điện áp ổn định khi nhiệt độ thay đổi 1oC : qt =(1 / Uz)(duz / dt) | lz = const (2-35) Hệ số này xác định bởi hệ số nhiệt độ của điện áp đánh thủng chuyển tiếp p-n. Sự phụ thuộc của điện áp ổn định vào nhiệt độ có dạng Uz = Uzo [1 + qT (T - To)] (2-36) Trong đó: Uzo là điện áp ổn định của điôt Zener ở nhiệt độ To Hệ số nhiệt độ qt có giá trị âm nếu hiện tượng đánh thủng chủ yếu do hiệu ứng Zener gây ra. Nó có giá trị dương nếu hiện tượng đánh thủng chủ yếu do hiện tượng thái lũ gây ra. 35
37. Hệ số nhiệt dương của đlôt Zener có thể bù trừ cho hệ số nhiệt độ âm của điôt chỉnh lưu ở nhiệt độ thông thường và có hệ số nhiệt của cả tổ hợp có thể đạt đến 0,0005%/OC. Cần chú ý là hệ số nhiệt độ của điện áp ổn định tại một giá trị điện áp nào đó trong khoảng từ 5 đến 7V, bằng 'không. Sở dĩ như vậy là vì trong khoảng nhiệt độ này tồn tại cả hai hiện tượng đánh thủng là Zener và thác lũ mà hệ số nhiệt của hai hiệu ứng này lại ngược dấu cho nên có chỗ chúng triệt tiêu lẫn nhau. Đây là một đặc điểm rất đáng quý, chỉ xuất hiện tại đểm công tác của từng điôt Zener trong khoảng từ 5 đến 7V. Trên hình 2.15 trình bày đặc tuyến của 3 điốt đo ở hai nhiệt độ khác nhau. Những vòng tròn đánh đấu điểm công tác của điốt tại đó hệ số nhiệt bằng không. Thực hiện bài thực tập về “Khảo sát mạch chỉnh lưu” qua mô phỏng 36
38. 2.2. PHẦN TỬ HAI MẶT GHÉP P-N Nếu trên cùng một đế bán dẫn lần lượt tạo ra hai tiếp giáp công nghệ p-n gần nhau thì ta được một dụng cụ bán dẫn 3 cực gọi là tranzito bipolar, có khả năng khuếch đại tín hiệu điện. Nguyên lí làm việc của tranzito dựa trên đặc tính điện của từng tiếp giáp p-n và tác dụng tương hỗ giữa chúng. 2.2.1. Cấu tạo, nguyên lí làm việc, đặc tuyến và tham số của tranzito bipolar a) Cấu tạo: tranzito có cấu tạo gồm các miền bán dẫn p và n xen kẽ nhau, tùy theo trình tự sắp xếp các miền p và n mà ta có hai loại cấu tạo điển hình là pnp và npn như trên hình 2.16. Để cấu tạo ra các cấu trúc này người ta áp dụng những phương pháp công nghệ khác nhau như phương pháp hợp kim, phương pháp khuếch tán, phương pháp epitaxi p n p n p n E C E C JE JC JE JC B B a) b) Hình 2.16 : Mô hình lí tưởng hóa cùng kí hiệu của tranzito pnp (a) và npn (b) miền bán dẫn thứ nhất của tranzito là miền emitơ với đặc điểm là có nồng độ tạp chất lớn nhất, điện cực nối với miền này gọi là cực emitơ. Miền thứ hai là miền bazơ với nồng độ tạp chất nhỏ và độ dày của nó nhỏ cỡ mm, điện cực nới với miền này gọi là cực bazơ. Miền còn lại là miền colectơ với nồng độ tạp chất trung hình .và điện cực tương ứng là colectơ. Tiếp giáp p-n giữa miền emitơ và bazơ gọi là tiếp giáp emitơ (JE) tiếp giáp pn giữa miền bazơ và miền colectơ là tiếp giáp colectơ (JC) Về kí hiệu tranzito cần chú ý là mũi tên đặt ở giữa cực emitơ và bazơ có chiều từ bán dẫn p sang bán dẫn n. Về mặt cấu trúc, có thể coi tranzito như 2 điôt mắc đối nhau như hình 2.17. (Điều này hoàn toàn không có nghĩa là cứ mắc 2 đốt như hình 2-17 là có thể thực hiện được chức năng của tranzito. Bởi vì khi đó không có tác dụng tương hỗ lẫn nhau của 2 tiếp p-n. Hiệu ứng tranzito chỉ xảy ra khi khoảng cách giữa 2 tiếp giáp nhỏ hơn nhiều so với độ dài khuếch tán của hạt dẫn). 37
39. n p n E C B Hình 2.17: Phân tích cấu tạo tranzito thành hai điốt và mạch tương hỗ b) Nguyên lí làm việc: Để tranzito làm việc, người ta phải đưa điện áp 1 chiều tới các điện cực của nó, gọi là phân cực cho tranzito. Đối với chế độ khuếch đại thì JE phân cực thuận và JC phân cực ngược như hình 2-18. Hình 2.18: Sơ đồ phân cực của tranzito npn (a) và pnp (b) ở chế độ khuếch đại Để phân tích nguyên lí làm việc ta lấy tranzito pnp làm ví dụ. Do JE phân cực thuận các hạt đa số (lỗ trống) từ miền p phun qua JE tạo nên dòng emitơ (IE). Chúng tới vùng bazơ trở thành hạt thiểu số và tiếp tục khuếch tán sâu vào vùng bazơ hướng tới JC. Trên đường khuếch tán mộ t phần nhỏ bị tái hợp với hạt đa số của bazơ tạo nên dòng điện cực bazơ (IB). Do cấu tạo miền bazơ mỏng nên gần như toàn bộ các hạt khuếch tán tới được bờ của JC và bị trường gia tốc (do JC phân cực ngược) cuộn qua tới được miền colectơ tạo nên dòng điện colectơ (IC) Qua việc phân tích trên rút ra được hệ thức cơ bản về các dòng điện trong tranzito (hệ thức gần đúng do bỏ qua dòng ngược của JC) IE = IB + IC (2-37) Để đánh giá mức hao hụt dòng khuếch tán trong vùng bazơ người ta định nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện a của tranzito. a = IC / IE (2-38) hệ số a xác định chất lượng của tranzito và có giá trị càng gần 1 với các tranzito loại tốt. 38
40. Để đánh giá tác dụng điều khiển của dòng điện IB tới dòng colectơ IC người ta định nghĩa hệ số khuếch đại dòng điện b của tranzito. b = IC / IB (2:39) b thường có giá trị trong khoảng vài chục đến vài trăm. Từ các biểu thức (2-37), (2- 38), (2-39) có thể suy ra vài hệ thức hay được sử dụng đối với tranzito: IE = IB (1 + b) (240) a = b / (1+ b) (2-41) c) Cách mắc tranzito và tham số ở chế đố tín hiệu nhỏ Khi sử dụng về nguyên tắc có thể lấy 2 trong sô 3 cực của tranzito là đầu vào và cực thứ 3 còn lại cùng với một cực đầu vào làm đầu ra. Như vậy có tất cả 6 cách mắc mạch khác nhau. Nhưng dù mắc thế nào cũng cần có một cực chung cho cả đầu vào và đầu ra. Trong số 6 cách mắc ấy chỉ có 3 cách là tranzito có thể khuếch đại công suất đó là cách mắc chung emitơ (EC), chung bazơ (BC), chung colectơ (CC) như hình 2.19. Ba cách mắc còn lại không có ứng dụng trong thực tế. U U2 (ra) U 2 (ra) U1 (vao) U2 (ra) 1 (vao) U1 (vao) Echung Bchung Cchung Hình 2.19: Phương pháp mắc tranzito trong thực tế Từ trái sang phải : Chung emitơ, chung bazơ, chung colectơ Từ cách mắc được dùng trong thực tế của tranzito về mặt sơ đồ có thể coi tranzito là một phần tử 4 cực gần tuyến tính có 2 đầu vào và 2 đầu ra (h.2.20). U1 (vao) T U2 (ra) Hình 2.20: Tranzito như mạng bốn cực Có thể viết ra 6 cặp phương trình mô tả quan hệ giữa đầu vào và đầu ra của mạng 4 cực trong đó dòng điện và điện áp là những biến số độc lập. Nhưng trong thực tế tính toán thường dùng nhất là 3 cặp phương trình tuyến tính sau: Cặp phương trình trở kháng có được khi coi các điện áp là hàm, các dòng điện là biến có dạng sau: U1 = f(I1 , I2) = r11 I1 + r12 I2 U2 = f(I1 , I2) = r21 I1 + r22 I2 39
41. Cặp phương trình dẫn nạp có được khi coi các dòng điện là hàm của các biến điện áp I1 = f(U1 , U2) = g11 . U1 + g12 . U2 I2 = f(U1 , U2) = g21 . U1 + g22 . U2 Cặp phương trình hỗn hợp U1 = f(I1 , U2) h11 h12 I1 U2 = f(I1 , U2) h21 h22 U2 trong đó rij , gij , và hij tương ứng là các tham số trở kháng dẫn nạp và hỗn hợp của tranzito. Bằng cách lấy vi phân toàn phần các hệ phương trình trên, ta sẽ xác định được các tham số vi phân tương ứng của tranzito. Ví dụ : ∂U2 1 r22 = I = gọi là điện trở ra vi phân (2-42) 1 =const ∂I2 h22 ∂I 2 1 g22 = U = = S được gọi là hỗ dẫn truyền đạt (2-43) 2=const ∂U2 r12 ∂U1 r11 = I = h11 là điện trở vào vi phân (2-44) 2 =const ∂I1 ∂I 2 h21 = U = β là hệ số khuếch đại dòng điện vi phân (2-45) 2 =const ∂I2 Khi xác định đặc tuyến tĩnh (chế độ chưa có tín hiệu đưa tới) của tranzito, dùng hệ phương trình hỗn hợp là thuận tiện vì khi đó dễ dàng xác định các tham số của hệ phương trình này. d) Đặc tuyến tĩnh dựa vào các hệ phương trình nêu trên có thể đưa ra các tuyến tĩnh của tranzito khi coi một đại lượng là hàm 1 biến còn đại lượng thứ 3 coi như một tham số. Trong trường hợp tổng quát có 4 họ đặc tuyến tĩnh: Đặc tuyến vào U1 = f(I1) |U2=const Đặc tuyến phản hồi U1 = f(U2) |I1=const (2-46) Đặc tuyến truyền đạt I2 = f(I1)│U2=const Đặc tuyến ra I2 = f(U2) │I1=const Tùy theo cách mắc tranzito mà các quan hệ này có tên gọi cụ thể dòng điện và điện áp khác nhau, ví dụ với kiểu mắc EC : đặc tuyến vào là quan hệ IB = f(UBE)│UCE = const hay đặc tuyến ra là quan hệ IC = f(UCE)│IB = const Bảng (2.1) dưói đây cho các phương trình của họ đặc tuyến tương ứng suy ra từ hệ phương trình hỗn hợp trong các trường hợp mắc mạch BC, EC và CC. 40
42. Bảng 2.1. Quan hệ hàm xác định họ đặc tuyến tĩnh của tranzito Tổng quát BC EC CC U1= f(I1)│U2=const UEB = f(IE)│UCB UBE = f(IB)│UCE UBC = f(IB)│UEC U1= f(U2)│I1=const UEB = f(UCB)│IE UBE = f(UCE)│IB UBC = f(UEC)│IB I2 = f(I1)│U2=const IC= f(IE)│UCB IC = f(IB)│UCE IE = f(IB)│UEC I2 = f(U2)│I1=const IC = f(UCB)│IB IC = f(UCE)│IB IE = f(UEC)│IB Có thể xây dựng sơ đồ tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ của tranzito theo hệ phương trình tham số hỗn hợp ∆U1 = h11∆I1 + h22∆U2 (2-47) ∆I2 = h2∆I1 + h22∆U2 Dạng như trên hình 2.21. Hình 2.12: Sơ đồ tương đương mạng 4 cực theo tham số h Chú ý: đối với các sơ đồ EC, BC, CC các đại lượng ∆I1, ∆U1, ∆I2, ∆U2 tương đương với các dòng vào (ra), điện áp vào (ra) của từng cách mắc. Ngoài ra còn có thể biểu thị sơ đồ tương đương của tranzito theo các tham số vật lý. Ví dụ với các kiểu mắc BC có sơ đồ 2.22 Hình 2.22: Sơ đồ tương đương mạch BC 41
43. Ở đây: - rE là điện trở vi phân của tiếp giáp emitơ và chất bán dẫn làm cực E. - rB điện trở khối của vùng bazơ. - rC(B) điện trở vi phân của tiếp giáp colectơ. - CC(B) điện dung tiếp giáp colectơ. - aIE nguồn dòng tương đương của cực emitơ đưa tới colectơ. Mối liên hệ giữa các tham số của hai cách biểu diễn trên như sau khi ∆U2 = 0 với mạch đầu vào ta có : ∆U1 = ∆I1 [rE + (1- a)rB] hay h11 = ∆U1/∆I1 = [rE + (1- a)rB ] với mạch đầu ra : ∆I2 = a.∆I1 do đó a = h21 khi ∆I1 = 0 Dòng mạch ra ∆I2 = ∆U2 /(rC(B)+ rB) ≈ ∆U2 /tC(B) do đó h22 = 1/r c(B) và ∆U1 = ∆I2.rB nên ta có h12 = rB / rC(B) ∆U2 = ∆I2.rC(B) 2.2.2. Các dạng mắc mạch cơ bản của tranzito a - Mạch chung emitơ (EC) Trong cách mắc EC, điện áp vào được mắc giữa cực bazơ và cực emitơ, còn điện áp ra lấy từ cực colectơ và cực emitơ. Dòng vào, điên áp vào và dòng điện ra được đo bằng các miliampe kế và vôn kế mắc như hình 2.23. Từ mạch hình 2.23, có thể vẽ được các họ đặc tuyến tĩnh quan trọng nhất của mạch EC : I mA B UCE = 2V U = 6V U CE CE (ra) 10 UBE (vao) E UBE V 1 Hình 2.23: Sơ đồ Ec Hình 2.24: Họ đặc tuyến vào Ec 42
44. Để xác định đặc tuyến vào, cần giữ nguyên điện áp UCE, thay đổi trị số điện áp UBE ghi các trị số IB tương ứng sau đó dựng đồ thị quan hệ này, sẽ thu được kết quả như hình 2.24. Thay đổi UEC đến một giá trị cố định khác và làm lại tương tự sẽ được đường cong thứ hai. Tiếp làm tục như vậy sẽ có một họ đặc tuyến vào của tranzito mắc chung emitơ. Từ hình 2.24, có nhận xét đặc tuyến vào của tranzito mắc chung emitơ giống như đặc tuyến của chuyến tiếp p-n phân cực thuận, vì dòng IB trong trường hợp này là một phần của dòng tổng IE chảy qua chuyển tiếp emitơ phân cực thuận (h 2.23). Ứng với một giá trị UCE nhất định dòng IB càng nhỏ khi UCE càng lớn vì khi tăng UCE tức là tăng UCB (ở đây giá trị điện áp là giá trị tuyệt đối) làm cho miền điện tích không gian của chuyến tiếp colectơ rộng ra chủ yếu về phía miền bazơ pha tạp yếu. Diện áp UCB càng lớn thì tỉ lệ hạt dẫn đến colectơ càng lớn, số hạt dẫn bị tái hợp trong miền bazơ và đến cực bazơ để tạo thành dòng bazơ càng ít, do đó dòng bazơ nhỏ đi. Để vẽ đặc tuyến ra của tranzito mắc CE, cần giữ dòng IB ở một trị số cố định nào đó, thay đổi điện áp UCE và ghi lại giá trị tương ứng của dòng IC kết quả vẽ được dường cong sự phụ thuộc của IC vào UCE với dòng IC coi dòng IB là tham số như hình 2.25. Từ họ đặc tuyến này có nhận xét sau : Tại miền khuyếch đại độ dốc của đặc tuyến khá lớn vì trong cách mắc này dòng IE không giữ cố định khi tăng UCE độ rộng hiệu dụng miền bazơ hẹo lại làm cho hạt dẫn đến miền colectơ nhiều hơn do đó dòng IC tăng lên. Klhi UCE giảm xuống 0 thì IC cũng giảm xuống 0 (các đặc tuyến đều qua gốc tọa độ ). Sở dĩ như vậy vì điện áp ghi trên trục hoành là UCE= UCB + UBE như vậy tại điểm uốn của đặc tuyến, UCB giảm xuống 0, tiếp tục giảm UCE sẽ làm cho chuyển tiếp colectơ phân cực thuận. Điện áp phân cực này đẩy những hạt dẫn thiểu số tạo thành dòng colectơ quay trở lại miền bazơ,kết quả khi UCE = 0 thì IC cũng bằng 0. ngược lại nếu tăng UCE lên quá lớn thì dòng IC sẽ tăng lên đột ngột (đường đứt đoạn trên hình 2.25), đó là miền đánh thủng tiếp xúc (điốt) JC của tranzito.(Tương tự như đặc tuyến ngược của điốt, khi UCE tăng quá lớn tức là điện áp phân cực ngược UCB lớn lớn tới một giá trị nào đó, tại chuyển tiếp colectơ sẽ sảy ra hiện tương đánh thủng do hiệu ứng thác lũ và hiệu ứng Zener làm dòng IC tăng đột ngột ). Bởi vì khi tranzito làm việc ở điện áp UCE lớn cần có biện pháp hạn chế dòng IC để phồng tránh tranzito bị hủy bởi dòng IC quả lớn. UCE = 6V IC mA IB =60mA UCE = 2V 4 IB =40mA I mA IB =20mA B 100 5 UCE V Hình 2.25: Đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt của tranzito mắc Ec 43
45. Đặc tuyến truyền đạt biểu thị mối quan hệ giữa dòng ra (IC) và dòng vào IB khi UCE cố định. Đặc tuyến này có thể nhận được bằng cách giữ nguyên diện áp UCE, thay đổi dòng bazơ IB ghi lại giá trị tương ứng IC trên trục tọa độ, thay đổi các giá trị của UCE làm tương tự như trên có họ đặc tuyến truyền đạt, cũng có thể suy ra họ đặc tuyến này từ các đặc tuyến ra (h 2.25). Cách làm như sau : tại vị trí UCE cho trước trên đặc tuyến ra vẽ đường song song với trục tung, đường này cắt họ đặc tuyến ra ở những điểm khác nhau. Tương ứng với các giao điểm này tìm được giá trị IC. Trên hệ tạo độ IC, IB có thể vẽ được nhữnh điểm thảo mãn cặp trị số IC, IB vừa tìm được, nối các điểm này với nhau sẽ được đặc tuyến truyền đạt cần tìm. b - Mạch chung bazơ Tranzito nối mạch theo kiểu chung bazơ là cực bazơ dùng chung cho cả đầu vào và đầu ra. Tín hiệu vào được đặt giữa hai cực emitơ và bazơ, còn tín hiệu ra lấy từ cực colectơ và bazơ. Để đo điện áp ở đầu ra và đầu vào từ đó xác định các họ đặc tuyến tĩnh cơ bản của tranzito mắc chung bazơ (BC) người ta mắc những vôn kế và miliampe kế như hình 2.26. IE mA UCB = 6V U U EB (vao) CB(ra) U CB = 1V 3 B UBEV -1 Hình 2.26: Sơ đồ Bc Hình 2.27: Họ đặc tuyến vào Bc Dựng đặc tuyến vào trong trưòng hợp này là xác định quan hệ hàm số IE =f(UEB) khi điện áp ra UCB cố định. Muốn vậy cần giữ UCB ở một giá trị không đổi, thay đổi giá trị UBE sau đó ghi lại giá trị dòng IE tương ứng. Biểu diễn kết quả này trên trục tọa độ IE (UEB) sẽ nhận được đặc tuyến vào ứng với trị UCB đã biết. Thay đổi các giả trị cố định của UCB làm tương tự như trên sẽ được họ đặc tuyến vào như hình 2.27. Vì chuyển tiếp emitơ luôn phân cực thuận cho nên đặc tuyến vào của mạch chung bazơ cơ bản giống như đặc tuyến thuận của điốt. Qua hình 2.26 còn thấy rằng ứng với điện áp vào UEB cố định dòng vào IE càng lớn khi điện áp UCB càng lớn, vì điện áp UCB phân cực ngược chuyển tiếp colectơ khi nó tăng lên làm miền điện tích không gian rộng ra, làm cho khoảng cách hiệu dụng giữa emitơ và colectơ ngắn lại do đó làm dòng IE tăng lên. Đặc tuyến ra biểu thị quan hệ IC= f(UCB) khi giữ dòng vào IE ở một giá trị cố định. Căn cứ vào hình 2.26, giữ dòng IE ở một giá trị cố định nào đó biến đổi giá trị của UCB ghi lại các giá trị IC tương ứng, sau đó biểu diễn kết quả trên trục tọa độ IC – UCB sẽ được đặc tuyến ra. Thay đổi các giá trị IE sẽ được họ đặc tuyến ra như hình 2.28. Từ hình 2.28 có nhận xét là đối với IE cố định, IC gần bằng IE. Khi UCB tăng lên IC chỉ tăng không đáng kể điều này nói lên rằng hầu hết các hạt dẫn được phun vào miền bazơ từ miền emitơ đều đến được colectơ. Dĩ nhiên dòng IC bao giờ cũng phải nhỏ 44
46. hơn dòng IE. Khi UCB tăng làm cho đọ rộng miền điện tích không gian colectơ lớn lên, độ rộng hiệu dụng của miền bazơ hẹp lại, số hạt dẫn đến được miền colectơ so với khi UCB nhỏ hơn, nên dòng IC lớn lên. Cũng từ hình 2.28 còn nnhận xét rằng khác với trường hợp đặc tuyến ra mắc CE khi điện áp tạo ra UCB giảm tới 0. Điều này có thể giải thích như sau : Khi điện áp ngoài UCB giảm đến 0, bản thân chuyển tiếp chuyển tiếp colectơ vẫn còn điện thế tiếp xúc, chính điện thế tiếp xúc colectơ đã cuốn những hạt dẫn từ bazơ sang colectơ làm cho dòng IC tiếp tục chảy. Để làm dừng hẳn IC thì chuyển tiếp colectơ phải được phân cực thuận với giá trị nhỏ nhất là bằng điện thế tiếp xúc, khi ấy điện thế trên chuyến tiếp colectơ sẽ bằng 0 hoặc dương lên,làm cho các hạt dẫn từ bazơ không thể chuyển sang colectơ (IC= 0). UCB = 6V IC mA IE =3mA UCB = 2V 3 IE =2mA IE =1mA IE mA 3 5 UCB V Hình 2.29: Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của sơ đồ Bc Miền đặc trưng trong đó chyển tiếp colectơ phân cực thuận gọi là miền bão hòa. Nếu tăng điện áp ngược UCB đến một giá trị nhất định nào đó (gọi là điện áp đánh thủng ) dòng IC tăng lên đột ngột có thể dẫn đến làm hỏng tranzito hiện tượng đánh thủng này do mọt trong hai nguyên nhân : Hoặc là do hiệu ứng thác lũ hoặc hiệu ứng Zener như trưnờng hợp điốt, hoặc là do hiện tượng xuyên thủng (do điện áp ngược UCB lớn làm miền điện tích không gian của miền chuyển tiếp colectơ mở rộng ra tới mức tiếp xúc với miền điện tích không gian chuyển tiếp emitơ, kết quả làm dòng IC tăng lên đột ngột ). Đặc tuyến truyền đạt chỉ rõ quan hệ hàm số giữa dòng ra và dòng vào IC=f(IE) khi điện áp ra giữ cố định. Để vẽ đặc tuyến này có thể làm bằng hai cách : hoặc bằng thực nghiệm áp dụng sơ đồ (2.25), giữ nguyên điện áp UCB thay đổi dòng vào IE, ghi lại các kết quả tương ứng dòng IC, sau đó biểu diễn các kết quả thu được trên tạo độ IC – IE sẽ được đặc tuyến truyền đạt. Thay đổi giá trị cố định UCB sẽ được họ đặc tuyến truyền đạt như hình 2.29. Hoặc bằng cách suy ra từ đặc tuyến ra : từ điểm UCB cho trước trên đặc truyến ta vẽ đường song song với trục tung, đường này sẽ cắt họ đặc tuyến ra tại các điểm ứng với IE khác nhau từ các giao điểm này có thể tìm được trên 45
47. trục tung các giá trị IC tương ứng. Căn cứ vào các cặp giá trị IE, IC này có thể vẽ đặc tuyến truyền đạt ứng với một điện áp UCB cho trước, làm tương tự với các giá trị UCB khác nhau sẽ được họ đặc tuyến truyền đạt như hình 2.29. c - Mạch chung colectơ (CC) Mạch chung colectơ có dạng như hình 2.30, cực colectơ dung chung cho đầu vào và đầu ra. Để đo điện áp vào, dòng vào, dòng ra qua đó xác các đặc tuyến tĩnh cơ bản của mạch CC dung các vôn kế và miliampe kế được mắc như hình 2.30. IB mA UEC = 21V 100 UEC =41V UEC(ra) UBC(vao) C UBC V -4 Hình 2.30: Sơ đồ Cc Hình 2.31: Họ đặc tuyến vào Cc Đặc tuyến vào của mạch chung colectơ (CC) IB= f(UCB) khi điện áp ra UCE không đổi có dạng như hình 2.31 nó có dạng khác hẳn so với các đặc tuyến vào của hai cách mắc EC và BC xét trước đây. Đó là vì trong kiểu mắc mạch này điện áp vào UCB phụ thuộc rất nhiều vào điện áp ra UCE (khi làm việc ở chế độ khuyếch đại điện áp UCB đối với tranzito silic luôn giữ khoảng 0.7V, còn tranzito Gecmani vào khoảng 0.3V trong khi đó điện áp UCE biến đổi trong khoảng rộng ). Ví dụ trên hình 2.31 hãy xét trường hợp UEC = 2V tại IB = 100mA UCB = UCE –UBE = 2V – 0.7 V =1,3V UEC = 6V IE mA IB =60mA UEC = 2V IB =40mA 4 IB =20mA IB mA 100 5 UEC V Hình 2.29: Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của sơ đồ Cc 46
48. Khi điện áp vào UCB tăng điện áp UBE giảm làm cho IB cũng giảm. Đặc tuyến ra của tranzito mắc CC mô tả quan hệ giữa dòng IE và điện áp UCE khi dòng vào IB không đổi. Đặc tuyến truyền đạt trong trường hợp này mô tả quan hệ giữa dòng ra IE và dòng vào IB khi điện áp UCE không đổi. Trong thực tế có thể coi IC ≈ IE cho nên đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt (trường hợp mắc chung colectơ ) tương tự như trường hợp mắc chung emitơ (h 2.32). 2.2.3. Phân cực và ổn định nhiệt điểm công tác của tranzito a – Nguyên tắc chung phân cực tranzito Muốn tranzito làm việc như một phần tử tích cực thì các phần tử của tranzito phải thảo mãn điều kiện thích hợp. những tham số này của tranzito như ở mục trước đã biết, phụ thuộc rất nhiều vào điện áp phân cực các chuyển tiếp colectơ và emitơ. Nói một cách khác các giá trị tham số phụ thuộc vào điểm công tác của tranzito. Một cách tổng quát, dù tranzito được mắc mạch theo kiểu nào, muốn nó làm việc ở chế độ khuyếch đại cần có các điều kiện sau: - Chuyển tiếp emitơ – bazơ luôn phân cực thuận. - Chuyển tiếp bazơ – colectơ luôn phân cực ngược. Có thể minh họa điều này qua ví dụ xet tranzito, loại pnp (h.2.33). Nếu gọi UE, UB, UC lần lượt là điện thế của emitơ, bazơ, colectơ, căn cứ vào các điều kiện phân cực kể trên thì giữa các điện thế này phải thảo mãn điều kiện: UE > UB >UC (2-48) Hãy xết điều kiện phân cực cho từng loại mạch. -Từ mạch chung bazơ hình 2.34 với chiều mũi tên là hướng dương của điện áp và dòng điện, có thể xác định được cực tính của điện áp và dòng điện các cực khi tranzito mắc CB như sau: UEB = UE – UB > 0 IE > 0 UCB = UC – UB > 0 IC 0 IB < 0 UCE = UC – UE < 0 IE < 0 (2-51) 47
49. Đối với tranzito npnđiều kiện phân cực để nó làm việc ở chế độ khuyếch đại là UE < UB < UC (2-52) Từ bất đẳnh thức (2-52) có thể thấy rằng hướng dòng điện và điện áp thực tế trong tranzito pnp. b - Đường tải tĩnh và điểm công tác tĩnh Đường tải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến ra tĩnh của tranzito để nghiên cứu dòng điện và điện áp khi nó mắc trong mạch cụ thể nào đó (khi có tải ). Điểm công tác (hay còn gọi là điểm tĩnh, điểm phân cực) là điểm nằm trên đường tải tĩnh xác định dòng điện vào trên điện áp tranzito khi không có tìn hiệu đặt vào, nghĩa là xác định điều kiện phân cực của tranzito. Để hiểu rõ về đường tải tĩnh và điểm công tác tĩnh, ta hãy xét trường hợp tranzito loại npn mắc chung emitơ như hình 2.37. Phương trình quan hệ ở dòng và áp ở mạch có dạng: UCE = ECC -ICRt (2-53) Nếu như điện áp phân cực UBE làm cho tranzito khóa, khi ấy IC = 0 và UCE = ECC – (0.Rt) = ECC = 20V. Như vậy điểm có tọa độ (IC = 0, UCE= 20V) là điểm A trên đặc tuyến ra. Giả thiết rằng UBE tăng làm cho tranzito mở và IC= 0,5mA khi ấy UCE = 20V – 0,5mA.10kΩ = 20V – 5V = 15V, trên đặc tuyến ra đó là điểm B có tọa độ (0,5mA ; 15V) Bằng cách tăng UBE, làm tương tự như trên có thể vẽ được ví dụ ứng với các tọa độ sau : Điểm C ứng với IC = 1mA ; UCE = 10V Điểm D ứng với IC = 1,5mA ; UCE =5V Điểm E ứng với IC = 2 mA ; UCE = 0V Nối các điểm trên đây với nhau ta sẽ được một đường thẳng đó là đường tải tĩnh với Rt =10 kW. Có thể vẽ được bằng cách chọn 2 điểm đặc biệt, điểm cắt trục tung E (UCE = 0 ; IC= UCC/Rt =2mA) và điểm cắt trục hoành A (UCE= UCC =20V ; IC=0A). Qua những điểm phân tích trên thấy rằng đường tải chính là đường biến thiên của dòng IC theo điện áp UCE ứng với điện trở tải Rt và điện áp nguồn ECC nhất định. Trong ba giá trị IB, IC và UCE chỉ cần biết một rồi căn cứ vào từng giá trị tải xác định hai giá trị còn lại. Cần nhấn mạnh là đường tải vẽ ở hai trường hợp trên chỉ đúng trong trường hợp UCC = 20V và Rt = 10kW. Khi thay đổi các điều kiện này phải vẽ các đường tải khác. Khi thiết kế mạch, điểm công tác tĩnh là điểm được chọn trên đường tải tĩnh. Như trên đã nói, điểm này xác định giá trị dòng Ic và điện áp UCE khi không có tín hiệu đặt vào. Khi có tín hiệu đặt vào, dòng IB biến đổi theo sự biển đối của biên độ tín hiệu, dẫn 48
50. tới dòng Ic biến đổi, kết quả là điện áp ra trên tải biến đổi giống như quy luật biến đổi của tín hiệu đầu vào. IC mA ECC/ Rc//Rt IBmax M • P IB0 IC0 • N IB =0mA • UCE V UC0 ECC Hình 2.38: Chọn điểm công tác tĩnh Với sơ đồ nguyên lí như hình 2.37a trên đường tải tĩnh 10kW giả thiết chọn điểm công tác tĩnh Q như hình 2.38. ứng với điểm Q này IB = 20mA ; Ic = 1mA và UCE = 10V. Khi IB tăng từ 20mA đến 40mA, trên hình 2.38 thấy Ic có giá trị bằng l,95mA và UCE = Ucc - ICRT = 20V - l,95mA . 10kW = 0,5V. Có thể thấy rằng khi DIB = + 20mA dẫn tới DUCE = -9,5V. Khi IB giảm từ 20mA xuống 0 thì Ic giảm xuống chỉ còn O,05mA và UCE = 20V - (0,05mA.10kW) = 19,5V, tức là khi IB giảm đi một lượng là DIB = 20mA làm cho Uc tăng lên một lượng DUc = + 9,5V. Tóm lại, nếu chọn điểm công tác tĩnh Q như trên thì ở đầu ra của mạch có thể nhận được sự biến đổi cực đại điện áp DUc = + 9,5V. Nếu chọn điểm công tác tĩnh khác. Ví dụ Q' tại đó có Ic . = 0,525 mA ; UCE = 14,75V. Tính toán tương tự như trên ta có DIB = ± 10mA và DUc = 14,75V. Nghĩa là biên độ biến đổi cực đại của điện áp ra đảm bảo không méo dạng lúc này chỉ là ±4,75V. 49
51. Như vậy việc chọn điểm công tác tĩnh trên hoặc dưới điểm Q sẽ dẫn tới biến thiên cực đại của điện áp ra trên tải (đảm bảo , không méo dạng) đểu nhỏ hơn 9,5v, hay để có biên độ điện áp ra cực đại, không làm méo dạng tín hiệu, điểm công tác tĩnh phải chọn ở giữa đường tải tĩnh. Cũng cần nói thêm là khi điện áp ra không yêu cầu nghiêm ngặt về độ méo thì điểm công tác tĩnh có thể chọn ở những điểm thích hợp trên đường tải. Mạch thí nghiệm: Khảo sát ba cách mắc tranzito c - Ổn định điểm công tác tĩnh khi nhiệt độ thay đổi Tranzito là một linh kiện rất nhạy cảm với nhiệt độ vì vậy trong những sổ tay hướng dẫn sử dụng người ta thường cho dải nhiệt độ làm việc cực đại của tranzito. Ngoài giới hạn nhiệt độ kể trên tranzito sẽ bị hỏng hoặc không làm việc. Ngay cả trong khoảng nhiệt độ cho phép tranzito làm việc bình thường thì sự biến thiên nhiệt độ cũng ảnh hưởng đến tham số của tranzito. Hai đại lượng nhạy cảm với nhiệt độ nhất là điện áp emitơ-bazơ UBE và dòng ngược ICBO (Xem phần 2.1). Ví dụ đối với tranzito O silic, hệ số nhiệt độ của UBE (DUBE/DT) là 2,2mV/ C, còn đối với tranzito gecmani là O O -l,8mV/ C. Đối với ICBO nói chung khi nhiệt độ tăng lên 10 C giá trị dòng ngược này tăng lên hai lần. 50
52. Khi tranzito làm việc, dòng ngược ICBO chảy qua chuyển tiếp này như đã biết rất nhạy cảm với nhiệt độ, khi nhiệt độ tăng sự phát xạ cặp điện tử, lỗ trống tăng, dòng ICBO tăng, từ quan hệ giữa ICBO và IC đã nêu ở phần trước: IC=IB + (α +1)ICBO Có thể thấy ràng ICBO tăng làm cho IC tăng (dù cho giả thiết rằng IB và a không đổi). Dòng IC tăng nghĩa là mật độ các hạt dẫn qua chuyển tiếp colectơ tăng lên làm cho sự va chạm giữa các hạt với mạng tinh thể tăng. Nhiệt độ tăng làm cho ICBO tăng chu kì lại lặp lại như trên làm dòng IC và nhiệt độ của tranzito tăng mãi. Hiện tượng này gọi là hiệu ứng quá nhiệt. Hiệu ứng quá nhiệt đưa tới : Làm chay đổi điểm công tác tĩnh và nếu không có biện pháp hạn chế thì sự tăng nhiệt độ có thể làm hỏng tranzito. Sự thay đổi nhiệt độ cũng làm cho UBE thay đổi và do đó làm thay đổi dòng IC dẫn tới thay đổi điểm công tác tĩnh. Trong những điều kiện thông thường ảnh hưởng của đòng ICBO đến IC nhiều hơn so với UBE. Bởi vậy khi nói ảnh hưởng của nhiệt độ đến điểm công tác thường chỉ quan tâm đến dòng ICBO' Như vậy sự ổn định nhiệt độ ở đây hàm ý chỉ sự thay đổi dòng IC khi dòng ICBO thay đổi có thể định nghĩa hệ số ổn định nhiệt của tranzito như sau : ΔI S = C (2-54) ΔICBO trong đó: IC = h21e IB + (1 + h21e) .ICBO (2-55) Từ định nghĩa này thấy rằng S càng nhỏ thì tính ổn định nhiệt càng cao, trong trường hợp lí tưởng S = 0, (trong thực tế không có sự ổn định nhiệt độ tuyệt đối). Để xác định hệ số ổn định nhiệt S với một sơ đồ tranzito cho trước, giả thiết do nhiệt độ thay đổi, dòng ICBO biến đổi một lượng là DICBO, IB biến đổi một lượng là DIB và IC bin đổi một lượng là DIC. Qua một số biến đổi từ biểu thức (2-55) ta có : ΔI h +1 S = C 21e (2-56) ΔICBO 1 h21e ()ΔIB/ΔΔC Khi biết các gia số dòng điện căn cứ vào (2-56) có thể tính được hệ số ổn định nhiệt. Biểu thức (2-56) là biểu thức tổng quát để tính hệ số ổn định nhiệt độ chung cho các loại mắc mạch. d-Phân cực tranzito bằng dòng cố định Nếu tranzito được mắc như hình 2.39, dòng IB từ nguồn một chiều cung cấp cho tranzito sẽ không đổi, bởi vậy người ta gọi điều kiện phân cực này là phân cực bằng dòng không đổi. Có thể có hai cách tạo ra dòng cố định, trường hợp thứ nhất như hình 2.39a dùng một nguồn một chiều Ecc. Dòng IB được cố định bằng Ecc và RB Từ hình 2.39a tính được: Ecc - UBE IB = (2-57) RB 51
53. Hình 2.39: Mạch phân cực dòng không đổi a)Mạch một nguồn; Mạch hai nguồn Trường hợp thứ hai như hlnh 2.39b. Người ta dùng hai nguồn một chiều. Hai mạch này hoàn toàn tương đương nhau. Nếu Ecc = UBB có thể thay bằng 2.39a Căn cứ vào sơ đồ nguyên lí hlnh 2.39a, có thể suy ra những biểu thức cho việc tính toán thiết kế mạch phân cực dòng cố định áp dụng định luật Kiếckhôp (Kirchhoff) cho vòng mạch bazơ và chú ý rằng ở đây UBB = Ecc có thể viết Ecc = IB.RB +UBE (2-58) Khi làm việc chuyển tiếp emitơ luôn phân cực thuận cho nên UBE thường rất nhỏ (từ 0,2v đền 0,7V) và trong biểu thức (2-58)có thể bỏ qua, như vậy có thể viết: Ecc=IB.RB (2-59) Ecc Và IB » (2-60) RB Trong mạch colectơ có thể viết: Ecc = IcRt + UcE (2-61) Biểu thức (2-61) thường gọi là phương trình đường tải, ở đây giá trị Ecc và Rt cố định, từ (2-61) có thể thấy rằng Ic tăng thì UcE giảm và ngược lại Ic giảm thì UcE tăng. Từ các biểu thức trên có thể tính được điều kiện phân cực tĩnh khi biết hệ số khuếch đại dòng tĩnh h21e và giá trị các phần tử của mạch. Bây giờ xét tới tính ổn định nhiệt của loại sơ đồ phân cực hình 2.39. Như đã biết theo kiểu mắc mạch này thì IB luôn luôn không đổi cho nên: ΔI B = 0 (2-62) ΔIC Từ đẳng thức (2-62) tính được hệ số ổn định nhiệt bằng 52
54. S = h21e + 1 (2-63) Từ biểu thức (2-63), rút ra kết luận sau: Sơ đồ phần cực tranzito bằng dòng cố định có hệ số ổn định nhiệt S phụ thuộc vào hệ số khuếch đại dòng tĩnh h21e, nghĩa là khi dùng loại mạch này muốn thay đổi độ ổn định nhiệt chỉ có một cách là thay đổi tranzito thường lớn cho nên hệ số S của loại mạch này lớn và do đó ổn định nhiệt kém.Trong thực tế cách phân cực cho tranzito như hình 2.39 chỉ dùng khi yêu cầu ổn định nhiệt không cao. e - Phân cực cho tranzito bằng điện áp phản hồi (phân cực colectơ - bazơ) Ở trên đã biết mạch phân cực tranzito bằng dòng ổn định có độ ổn định nhiệt không cao, ngoài ra khi dòng Ic tăng làm điện áp UcE giảm. Có thể lợi dụng hiện tượng này làm cho dòng IB giảm do đó ổn định được dòng Ic. Thật vậy dòng Ic phụ thuộc vào hai yếu tố ICBO và IB do ảnh hưởng của nhiệt độ dòng ICBO tăng lên khiến Ic cũng tăng lên. Nhưng nếu lợi dụng sự tăng của dòng Ic này làm giảm dòng IB khiến dòng Ic giảm bớt thì kết quả là dòng Ic trở lại giá trị ban đầu. Hình 2.40: Phân cực bằng điện áp phản hồi điện áp colectơ-bazơ Việc mắc tranzito như hình 2.40 sẽ thỏa mãn điều kiện trên. Cách phân cực tranzito như vậy gọi là phân cực bằng colectơ. Như thấy trên sơ đồ, điện trở RB được nối trực tiếp giữa cực colectơ và cực bazơ. Sự khác nhau cơ bản giữa mạch phân cực bằng điện áp phản hồi và ứng dòng phân cực cố định là : trong mạch phân cực bằng điện áp phản hồi bao hàm cơ chế dòng lB cảm biến theo điện áp (hoặc dòng điện) ở mạch ra, còn trong mạch phân cực dòng cố định thì không có điều này. Điểm công tác tĩnh được xác định như sau: Từ hình 2.40, quan hệ điện áp trong mạch ra có dạng. Ecc = (Ic + IB) Rt + UcE (2-64) còn quan hệ điện áp trong mạch bazơ có thể viết ở dạng: 53
55. Ecc = (Ic + IB)Rt + IB.RB + UBE (2-65) Nếu coi UBE nhỏ, có thể bỏ qua thì Ecc = (Ic + IB)Rt + UBE (2-65) Từ 2-64 và 2-66 cô thể suy ra: UcE » IBRB (2-67) Thay Ic = h21e.IB vào biểu thức (2-66) ta tìm được Ecc = (h21e + 1)IB.Rt + IBRB (2-68) rút ra: Ecc IBQ = (2-69) ()h21e +1Rt+RB Sau đó tính dòng colectơ ứng với điểm công tác tĩnh Q IcQ = h21e.IBQ (2-70) Và điện áp giữa colectơ và emitơ ứng với điểm công tác tĩnh Q căn cứ vào (2-67) tính được: UcEQ = IBQ.RB (2-71) Nếu biết h21e của tranzito có thể áp dụng biểu thức (2-70) và (2-71) tính được điều kiện phân cực tĩnh tranzito. Bây giờ hãy xác định đặc tính ổn định nhiệt độ của mạch phân cực dùng điện áp phản hồi. Từ biểu thức (2-66), tìm được Ecc Rt IB = -Ic (2-72) RB + RC RB +Rt Lấy vi phân biểu thức (2-72) theo Ic được: dI R B = - t (2-73) dIc RB +Rt Thay biểu thức (2-73) vào (2-56), được; h +1 S = 21e (2-74) 1+ []h21eRt()RB+Rt 54
56. Có thể biến đổi (2-74) về dạng thuận lợi cho việc tính toán hơn. (h21e +1)(RB +Rt ) S = (2-75) (h21e+1)Rt+RB Từ biểu thức (2-75) có nhận xét rằng hệ số ổn định S trong mạch phân cực bằng điện áp phản hồi không cố định mà phụ thuộc vào giá trị các điện trở R B và R t . Trong trường hợp RB << Rt thì S gần tới một đơn vị, điều này nói lên rằng dù có mạnh Rb thì hệ số ổn định nhiệt S không giảm xuống nhỏ hơn 1. Điện áp phản hồi âm qua điện trở RB trong mạch phân cực làm tăng tốc độ ổn định nhiệt đồng thời lại làm giảm hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều (xem mục 2.3). Như trên đã nói để tăng tính ổn định nhiệt độ, phải làm giảm điện trở Rb nhưng khi đó hệ số khuếch đại của mạch cũng giảm đi, ở đây có mâu thuẫn giữa độ ổn định nhiệt của mạch và hệ số khuếch đại. Có một cách cho phép đạt được độ ổn định nhiệt cao mà khonng phải trả giá về hệ số khuếch đại đó là cách mắc mạch như ở hình 24.1. Điện trở Rb trong trường hợp này được chia làm hai thành phần R1 và R2, điểm nối 2 điện trở này được nối đất qua tụ C. Đối với điện áp và dòng một chiều thì tụ C coi như hở mạch do đó không ảnh hưởng gì đến chế độ 1 chiều. Ngược lại với tín hiệu xoay chiều thì tụ C coi như ngắn mạch xuống đất không cho phản hồi ngược lại đầu vào. Hình 2.41: Phương pháp loại trừ phản hồi tín hiệu xoay chiều Qua phân tích trên thấy rằng mạch phân cực điện áp phản hồi có độ ổn định tốt hơn mạch phân cực dòng cố định, tuy nhiên hai phân cực này không thể tăng độ ổn định nhiệt độ cao vì điểm công tác tĩnh và độ ổn định nhiệt độ của mạch phụ thuộc lẫn nhau, đó chính là một nhược điểm lớn là khó khăn cho vấn đề thiết kế mạch loại mạch này. 55
57. g. Phân cực tranzito bằng dòng emitơ (tự phân cực) Mạch phân cực tranzito bằng dòng emitơ có dạng như hình 2.42. Điện R1, R2 tạo thành một bộ phân áp cố định tạo UB đặt vào Bazơ tranzito từ điện áp nguồn Ecc. Điện trở RE mắc nối tiếp với cực emitơ của tranzito có điện áp rơi trên nó là UE = IERE Vậy: IE = (UB – UBE)/RE (2-76) Nếu thỏa mãn điều kiện UB ≥ UBE thì IE ≈ UBE/RE (2-77) và rất ổn định.Để tiện cho viejc phân tích tiếp theo có thể vẽ sơ đồ tương đương của hình 2.42 như hình 2.43 bằng cách áp dụng định lý tevenin trong đó : R1.R2 RB = (2-78) R1 +R2 R1.Ecc UB = (2-79) R1 +R2 Hình 2.42: Phân cực bằng dòng IE Hình 2.43: Sơ đồ tương đương tĩnh Vấn đề ở đây là phải chọn R1 và R2 thế nào để đảm bảo cho UB ổn định. Từ hình 2.42 thấy rõ phải chọn R1 và R2 sao cho RB không lớn hơn nhiều so với RE, nếu không sự phân cực của mạch lại tương tự như trường hợp phân cực dòng cố định. Để có UB ổn định cần chọn R1 và R2 càng nhỏ càng tốt, nhưng để đảm bảo cho điện trở vào của mạch đủ lớn thì R1 và R2 càng lớn càng tốt. Để dung hòa hai yêu cầu mâu thuẫn này trong thực tế thường chọn RB= RE. 56
58. Căn cứ vào sơ đồ tương đương (h.2.43) để phân tích mạch phân cực dòng emitơ. Tổng điện áp rơi trong mạch bazơ bằng: UB= IBRB + UBE + (IC + IB)RE (2-80) Trong đó đã thay IE = Ic + IB nếu như biết h21e có thể biến đổi (2-80) thành UB = IB[ RB+(h21e + 1)RE] + UBE + ICO(h21e + 1) . RE (2-81) Trước khi phân tích hãy chú ý là điện áp UBE trong trường hợp phân cực này không thể bỏ qua như những trường hợp khác. Trong quá trình làm việc chuyển tiếp emitơ luôn phân cực thuận cho nên tổng điện áp một chiều ở đầu vào của mạch này là UB. Trong hầu hết các trường hợp UB nhỏ hơn Ecc nhiều lần. Trước đây có thể bỏ qua UBE vì nó quá nhỏ so với Ecc , nhưng trong trường hợp này UBE độ lớn vào cỡ UB cho nên không thể bỏ qua được. Số hạng cuối cùng trong (2-81) chứa Ico thường được bỏ qua vì trong thực tế dòng ngược rất nhỏ (với tranzito silic dòng này chỉ có vài nano ampe ). Cũng từ sơ đồ tương đương hình 2.43 có điện áp giữa emitơ và đất bằng IE. RE. Dòng emitơ IE = IC + IB = (h21e +1)IB (bỏ qua được dòng ngược Ico). Như vậy điện áp giữa emitơ và đất có thể viết UE = (h21e +1)IB.RE. Đại lượng (h21e +1) là đại lượng không thứ nguyên nên có thể liên hệ với IB tạo thành dòng (h21e + 1) hoặc liên hợp với RE tạo thành điện trở (h21e +1)IB. Nếu quan niệm như vậy thì có thể nói rằng điện áp giữa emitơ và đất là điện áp do dòng (h21e +1)IB rơi trên điện trở RE hay do dòng IB rơi trên điện trở (h21e+1)RE. Nếu thành phần điện áp gây ra bởi Ico trong biểu thức (2-81) có thể bỏ qua thì biểu thức này có thể minh họa bằng sơ đồ tương đương hình 2.44. Ở đây điện trở RE - trong nhánh emitơ biến thành điện trở (h21e +1)RE trong mạch bazơ. Một cách tổng quát, bất kỳ một điện kháng nào trong mạch emitơ đều có thể biến đổi sang mạch bazơ bằng cách nhân nó với (h21e +1). Từ hình 2.44 và biểu thức (2-81) có thể tìm thấy dòng bazơ tại điểm phân cực. UB UBE IBQ = (2-82) RB + (h21e +1)RE Từ đó tính ra được ICQ = h21e.IBQ (2-83) Từ sơ đồ tương đương hình 2.44 trong mạch colectơ có thể viết : Ecc = Ic.Rt + UE + IERE (2-86) Biết rằng Ic thường lớn hơn IB rất nhiều lần cho nên ở đây có thể bỏ qua thành phần điện áp do IB gây ra trên RE. Như vậy (2-86) được viết thành : Ecc = (Rt + RE). Ic + UCE (2-87) 57
59. Hình 2.44: Sơ đồ tương đương mạch Bc Biểu thức (2-87) chính là biểu thức đường tải tĩnh của mạch phân cực bằng dòng emitơ. Nếu dòng EcQ và UcEQ là dòng điện và điện áp ứng với điểm công tác tĩnh thì có thể viết (2-87) thành dạng : UECQ = Ecc - (Rt + RE). IcQ (2-88) Căn cứ vào biểu thức (2-88) có thể tính được điều kiện phân cực tĩnh của tranzito khi biết hệ số khuếch đại h21e và loại tranzito. Sau đây xét độ ổn định nhiệt của mạch phân cực bằng dòng emitơ, có thể viết lại (2- 80) ở dạng : UB UBE IB (RB +RE ) IC = RE Do đó UB UBE RB IB = IC (2-89) RB +RE RB +RE Lấy đạo hàm riêng biểu thức này theo Ic và một lần nữa chú ý rằng UBE không đổi sẽ được : I R 1 B= E = (2-90) IE RB+RE k2 Theo định nghĩa của hệ số ổn định nhiệt thì trong trường hợp này: h +1 S= 21e (2-91) 1+(h21e k2 ) 58
60. Từ (2-91) thấy rằng hệ số ổn định nhiệt tiến tới cực tiểu (độ ổn định cao nhất) khi k2 có giá trị nhỏ nhất. Điều ấy có nghĩa là để cho mạch ổn định, phải thiết kế sao cho RE có giá trị càng lớn càng tốt, và giá trị RB càng nhỏ càng tốt. Hệ số k2 không bao giờ nhỏ hơn 1, giá trị này chỉ dẫn tới 1 (ứng với trường hợp RE rất lớn và RB rất nhỏ ) từ đó suy ra rằng hệ số ổn định S chỉ có thể giảm nhỏ tới giới hạn là 1. Một nhận xét quan trọng nữa là hệ số ổn định S không phụ thuộc vào Rt nghĩa là không phụ thuộc vào điểm công tác. Hình 2.45:Dùng tụ ngăn hồi tiếp âm trên Re a) Ngắn mạch hoàn toàn b) Ngắn mạch một phần Hình 2.46: Dùng điôt bù nhiệt 59
61. Ở trên đã nói vấn đề nâng cao độ ổn định nhiệt của loại mạch này bằng cách tăng RE và giảm RB. Bản chất của sự ổn định nhiệt trong loại mạch này chính là dòng phản hồi âm qua điện trở RE. Tăng RE có nghĩa là tăng phản hồi âm do đó làm giảm tín hiệu khuếch đại xoay chiều của mạch. Để khắc phục mâu thuẫn này trong thực tế có thể dung hai mạch như hình 2.45a,b. Dùng kiểu mạch này có thể loại trừ hoặc nhỏ tác dụng phản hồi âm đối với tín hiệu xoay chiều (xem phần 2.3), do đó không làm giảm hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều của mạch. Giá trị CE phân mạch ở đây phải chọn đủ lớn sao cho đối với tín hiệu xoay chiều thì trở kháng của nó gần như bằng 0. ngược lại với dòng một chiều thì coi như hở mạch. Thực tế thường gặp trường hợp phải thiết kế mạch phân cực khi biết các điều kiện phân cực cũng như hệ số khuếch đại của tranzito. Ở những phần trên chỉ xét ảnh hưởng của nhiệt độ đến dòng Ico. Sau đây sẽ trình bày ảnh hưởng của nhiệt độ đến dòng UBE và hệ số khuếch đại h21e. Đối với cả hai loại tranzito, làm từ silic và gecmani, khi nhiệt độ tăng UBE giảm, còn h21e lại tăng. Ảnh hưởng của nhiệt độ đến các tham số của tranzito silic công tác trong khoảng - 61˚C đến +175˚C còn tranzito thì từ -63˚C đến +75˚C. Sự khác nhau nữa là trị số ICO và UBE của tranzito silic và tranzito gecmani biến thiên ngược nhau khi nhiệt độ thay đổi. Bảng (2-4) liệt kê những giá trị điển hình của ICO, UBE và h21e của tranzito silic và gecmani ở những nhiệt độ khác nhau. Bảng 2 – 4 Giá trị điển hình của một tham số chịu ảnh hưởng của nhiệt độ Vật liệu làm tranzito ICO(A) UBE(V) h21e t,˚C Si 10 -6 0.8 20 -6.5 Ge 10 -3 0.4 15 -6.5 Si 10 -2 0.6 50 +25 Ge 1 0.2 50 +25 Si 30 0.25 100 +175 Ge 30 0.51 95 +75 Từ bảng 2- 4 có nhận xét: Ở nhiệt độ phòng đối với tranzito silic Ico chỉ cỡ nano ampe, cho nên nếu có thay đổi thì cũng không ảnh hưởng đáng kể đến Ic và ảnh hưởng của nhiệt độ đến điêm công tác tĩnh của tranzito chủ yếu thông qua UBE. Để khắc phục ảnh hưởng này trên thực tế thường mắc nối tiếp emitơ một điôt silic phân cực thuận có chiều ngược với chuyển tiếp emitơ như hình 2.46. Bằng cách mắc như vậy có thể thấy rằng sự thay đổi điện áp thuận trên 2 cực điôt có thể bù trừ sự biến đổi UBE của tranzito do nhiệt độ gây ra. Điôt bù nhiệt ở sơ đồ này luôn được phân cực thuận bởi nguồn EDD cho nên điện trở thuận của nó rất nhỏ. Sơ đồ này hoàn toàn tương đương với sơ đồ phân cực bằng dòng emitơ đã xét ở phần trên. Đối với tranzito gecmani thì ngược lại, tại nhiệt độ phòng Ico khá lớn cho nên khi nhiệt độ thay đổi ảnh hưởng của dòng Ico đến tham số của tranzito chiếm ưu thế. Để ổn định nhiệt 60
62. độ cho sơ đồ, người thiết kế phải chú ý chủ yếu đến việc giảm hệ số ổn định nhiệt độ S. Qua bảng (2-4) trên đây có thể thấy rằng hệ số khuếch đại dòng h21e phụ thuộc vào rất nhiều vào nhiệt độ. Hơn nữa ngay ở cùng một nhiệt độ, tranzito có cùng loại ký hiệu (được chế tạo như nhau) nhưng hệ số h21e của từng chiếc có thể hơn kém nhau vài ba lần. Như đã biết hệ số h21e ảnh hưởng nhiều đến điểm công tác tĩnh của tranzito. Bởi vậy để ổn định điểm công tác tĩnh, người thiế kế phải chú ý đến sự thay đổi hệ số h21e có thể có của loại tranzito dùng trong mạch điện. Để định lượng sự phụ thuộc của Ic vào h21e, giả thiết rằng các giá trị của Ucc và Rt đã biết hệ số khuếch đại dòng của tranzito biến thiên từ h21e1 đến h21e2 bỏ qua Ico (gọi Ic1 là dòng ứng với trường hợp hệ số khuếch đại h21e1 và Ic2 ứng với h21e2) tính được : UB UBE Ic1 = h21e1 (2-92) RB +(h21e1 +1)RE UB UBE Ic2 = h21e2 (2-93) RB +(h21e1 +1)RE Lấy hiệu số của (2-92) và (2-93), được: (UB UBE )(h21e2 h21e1)(RB +RE ) IC = (2-94) [RB +(h21e1 +1)RE ][]RB +(h21e2+1)RE Đem chia biểu thức (2-94) cho (2-92) sẽ được biểu thức cho sự biến thiên tương đối của dòng Ic. I h - h C = 21e1 21e2 (2-95) IC1 h21e1.RE h21e1(1+ ) RB +RE Nhận xét biểu thức (2-95) thấy nó có chứa số hạng gần giống như biểu thức định nghĩa về sự ổn định S ; có thể biến đổi vế phải của (2-95) thành: I h - h h +1 C = 21e2 21e1 . 21e2 (2-96) IC1 h21e1(h21e2 +1) (1+ h21e2 )K Nếu gọi S2 là độ ổn định nhiệt độ khi h21e = h21e1, thì (2-95) có thể viết thành : I Δh .S C = 21e 2 (2-97) IC1 h21e1(h21e1 +1) Trong đó ∆h21e = (h21e2 – h21e1) thường gọi là độ sai lệch của h21e. Biểu thức (2-97) cho thấy sự biến đổi dòng colectơ phụ thuộc trực tiếp vào độ sai lệch hệ số khuếch đại h21e kể trên. Ngoài ra biểu thức này còn cho phép người thiết kế tính được giá trị của điện trở cần thiết giữ cho dòng Ic biến đổi trong một phạm vi nhất định khi h21e thay đổi. 61
63. 2.2.4. Tranzito trường (FET) Khác với tranzito lưỡng cực đã xét ở phần trên mà đặc điểm chủ yếu là dòng điện trong chúng do cả hai loại hạt dẫn (điện tử và lỗ trống tự do) tạo nên, qua một hệ thống gồm hai mặt ghép p-n rất gần nhau điều khiển thích hợp, tranzito trường (còn gọi là tranzito đơn cực FET) hoạt động dựa trên nguyên lý ứng trường, điều khiển độ dẫn điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của 1 điện trường ngoài. Dòng điện trong FET chỉ do một laọi hạt dẫn tạo ra. Công nghệ bán dẫn, vi điện tử càng tiến bộ, FET càng tỏ rõ nhiều ưu điểm quang trọng trên hai mặt xử lý gia công tín hiệu với độ tin cậy cao và mức tiêu hao năng lượng cực bé. Phần này sẽ trình bày tóm tắt những đặc điểm quang trọng nhất cảu FET về cấu tạo, ngyuên lý hoạt động và các tham số đặc trưng đối với hai nhóm chủng loại: FET có cực cửa là tiếp giáp p-n (JFET) và FET có cực cửa cách li (MOSFET hay IGFET). a- Tranzito trường có cực cửa tiếp giáp (JFET) - Cấu tạo và ký hiệu qui ước: D Drain D G - Kênh n Gate G Si- S n D p G + Kênh p S Source S Hình 2.47: Cấu tạp JFET và ký hiệu quy ước Hình 2.47a đưa ra một cấu trúc JFET kiểu kênh n : trên đế tinh thể bán dẫn Si-n người ta tạo xung quanh nó 1 lớp bán dẫn p (có tạp chất nồng độ cao hơn so với đế) và đưa ra 3 điện cực là cực nguồn S (Source), cực máng D (Drein) và cực cửa G (Gate). Như vậy hình thành một kênh dẫn điện loại n nối giữa hai cực D và S, cách li với cực cửa G (dùng làm điện cực điều khiển) bởi 1 lớp tiếp xúc p-n bao quanh kênh dẫn. Hoàn toàn tương tự, nếu xuất phát từ đế bán dẫn loại p, ta có loại JFET kênh p với các ký hiệu quy ước phân biệt cho trên hình 2.47b. Nguyên lý hoạt động: Để phân cực JFET, người ta dùng hai nguồn điện áp ngoài là UDS > 0 và UGS < 0 như hình vẽ (với kênh P, các chiều điện áp phân cực sẽ ngược lại, sao cho tiếp giáp p-n bao quanh kênh dẫn luôn được phân cực ngược). Do tác dụng của các điện trường này, trên kênh dẫn xuất hiện 1 dòng điện (là dòng điện tử với kênh n) hướng từ cực D tới cực S gọi là dòng điện cực máng ID. Dòng ID có độ lớn tuỳ thuộc vào các giá trị UDS và UGS vì độ dẫn điện của kênh phụ thuộc mạnh cả hai điện trường này. Nếu xét riêng sự phụ thuộc của ID vào từng điện áp khi giữ cho 62